12 апреля, 2004г. - International Rectifier, IR® представляет 600-вольтовые 60APU06 и 60EPU06 платиновые (Pt) диффузионные эпитаксиальные диоды со свехскоростным восстановлением. Процесс диффузии платины позволяет с высокой точностью задавать время жизни носителей заряда. Возможность ус...

Новая тройка 20-вольтовых устройств отвечает на запросы следующего поколения процессорной техники с точки зрения VRM10-совметимости и силовых характеристик 24 февраля, 2004г. - International Rectifier дополняет свое семейство МОП-полевых транзисторов DirectFETTM тремя новыми изделиями. Н...

29 апреля, 2004г. - фирма Fairchild Semiconductor представляет новый IGBT-транзистор (1000 В / 60 А), обладающий превосходными переключательными характеристиками и параметрами проводимости, а также устойчивостью к лавинному пробою при работе в системах индукционного нагрева (IH - induct...

8 сентября, 2004 - Корпорация International Rectifier объявила о начале серийного производства не имеющего аналогов 40-вольтового силового МОП транзистора IRF2804S-7P в модифицированном корпусе D2Pak. Новый транзистор нормирован на максимальное сопротивление канала 1,6мОм (типовое 1,2мОм) и ток 160...

27 сентября, 2004 - Корпорация International Rectifier объявила о начале серийного производства тиристоров 70TPS12, 70TPS16 в компактном пластиковом корпусе Super-247TM нормированных на ток 75А и обратное напряжение 1200В и 1600В. Новые тиристоры расширяют номенклатуру тиристоров в пластиковых корп...

30 сентября, 2004 - Корпорация International Rectifier (IR) объявила о начале сертийного производства радиационностойких силовых МОП-транзисторов с логическим уровнем управления затвором, предназначенных для повышения эффективности электронных узлов, в которых традиционно применяются биполярные тра...

19 октября, 2004 - Корпорация International Rectifier (IR) объявила о внедрение в серийное производство инновационной технологии корпусирования силовых полупроводниковых приборов, призванной разрешить технические проблемы возникающие при создании нового поколения электромеханических и электрогидрав...

01 декабря, 2004 - Корпорация International Rectifier анонсировала два новых 55-вольтовых силовых МОП-транзисторов в модифицированном корпусе D2Pak, отвечающих треборваниям норм Q-101 для компонентов устройств автоэлектроники и способных работать в продолжительном режиме с высокими коэффициентами з...

08 декабря, 2004 - Корпорация International Rectifier анонсировала силовой МОП-транзистор IRF6665 в корпусе DirectFETTM, специальнго созданный для высокоэффективных высококачественных аудиоусилителей класса D среднего диапазона мощности. Характеристики нового прибора специально оптимизированы дл...

Компания Panasonic анонсировала новый, уникальный тип фильтров, предназначенных одновременно для подавления электромагнитных помех (EMI) и защиты от электростатического разряда (ESD). В соответствии с требованиями к фильтрам, обеспечивающим защиту устройств от электромагнитных помех или статичес...

Подразделение Tyco Electronics - фирма M/A-COM представляет новые LDMOS-транзисторы "L - диапазона"- MAPL-000817-015C00 и MAPLST1617-030CF. Эти транзисторы выполнены на основе металло-оксидных полупроводников с поверхностной диффузией (laterally diffused metal oxide semicon...

Компания NXP Semiconductors представила первое из серии дискретных кремниевых решений – высокочастотный NPN-транзистор BFU725F. Транзистор BFU725F имеет впечатляющие характеристики: высокая частота переключения, высокий коэффициент усиления и очень низкий уровень шума – это делает его и...

Компания Diodes выпустила выпрямительный диод SBR1U40LP для портативных применений. Как утверждает производитель, новинка является самым миниатюрным прибором такого типа, рассчитанным на ток до 1 А. Размеры крошечного выпрямителя — 1,4 x 1,1 мм (используется корпус типа DFN, рассчитанный на п...

NXP Semiconductors представляет новую серию малосигнальных полевых МОП-транзистров (MOSFETs), размещенных в уникально-миниатюрном корпусе - SOT883. Благодаря своим ультрамаленьким размерам (всего 1.0 x 0.6 мм) корпус SOT-883 транзисторов MOSFET компании NXP имеет показатели рассеиваемой мощности...

Avago Technologies лидер в производстве аналоговых электронных компонентов для коммуникаций, промышленности и общего применения анонсировала новый 1 Вт теплый белый светодиод серии«Moonstone» для использования в различных областях. Особенностью ASMT-MY09 является низкопрофил...

Avago объявила о начале массового производства нового 3 ваттного светодиода серии Moonstone. До этого в арсенале производителя были только 0.5 и 1 Вт светодиоды этой серии. 3 Вт Moonstone это высокоэффективный источник света удобеный при использовании в условиях высоких температур и бол...

STW55NM60ND – N-канальный MOSFET на напряжение 600 В в стандартном корпусе TO-247, с хорошим значением сопротивления в прямом направлении - 60 мОм для MOSFET с быстрым восстановлением. Пиковый ток стока - 51 A позволяет одному MOSFET заменить множество компонент в преобразователях, имеющих же...

Светодиодная лампа построена по технологии AlInGaP, гарантирующей выдающуюся надежность и стабильно высокую светоотдачу в течение длительного времени. Высокая светоотдача обеспечивает хорошую читаемость на солнце. Корпус типа T-1 3/4, выполненный по последней технологии, формирует четкие простра...

Компания Fairchild Semiconductor анонсировала N-канальные MOSFET-транзисторы, выполненные в компактном корпусе MicroFET MLP (2 * 2 * 0.8 мм). Новая линейка представлена одинарным (FDMA410NZ) и сдвоенным (FDMA1024NZ) вариантами. Сверхнизкое сопротивление открытого канала (23 мОм для FDMA410NZ и 54 м...

FDMA1024NZ и FDMA410NZ компании Fairchild Semiconductor - это сдвоенный и одиночный N-канальные Mosfet транзисторы, которые увеличат срок службы батарей в такой аппаратуре как сотовые телефоны, электрические зубные щетки и электробритвы. Транзисторы выпускаются в 2 x 2 x 0,8 мм MicroFET MLP-корпусе...

Компания Fairchild Semiconductor представила разработчикам портативных устройств сдвоенный P-канальный MOSFET-транзистор с сопротивлением открытого канала 60 мОм, что является лучшим в отрасли параметром для P-канальных транзисторов. FDMA6023PZT выполнен в миниатюрном низкопрофильном MicroFET MLP к...

Компания Fairchild представляет FDZ197PZ. Это Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором, изготовленный по технологии Power Trench. Транзистор выполнен в корпусе WL-CSP с размерами 1 мм × 1.5 мм, который кроме того обеспечивает лучший тепловой режим, по сравнению с обычными пласт...

Компания Fairchild Semiconductor представила MOSFET транзистор в корпусе Power56, выполненный по технологии PowerTrench и имеющий уникально низкое сопротивление открытого канала - не более 0.99 мОм! FDMS7650 является первым MOSFET транзистором в корпусе Power56, преодолевшим 1 мОм барьер по со...

ZXMS6004 – защищенный МОП-транзистор компании Diodes нижнего уровня с входом логического уровня. В ZXMS6004 реализованы защиты от перегрева, короткого замыкания, перенапряжения и ESD. Микросхема может управляться непосредственно от микроконтроллера. Отличительные особенности: напря...

STW7N95K3 – N-канальный MOSFET компании STMicroelectronics, выполненный по новой технологии PowerMesh. Отличительной особенностью является малая емкость затвора, позволяющая использовать транзистор в цепях с высокой частотой переключения. Наличие внутреннего защитного стабилитрона позволяет...

NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package). NXP смогла значительно улучшить производительность и эффективность своих MOSFET за счет более низкого...

Компания KEMET объявила о начале выпуска керамических чип конденсаторов на основе новых высокотемпературных ультра стабильных диэлектриков X8R и Х8L. Общее описание Ультра стабильные Х8R и Х8L диэлектрики выполнены по самым последним технологиям и работают в диапазоне температур до 150°C, п...

Мощные полевые МОП-транзисторы DualCool™ NexFET™ с инновационными корпусами обеспечивают на 80% большее рассеяние мощности и на 50% больший ток при стандартной площади монтажа Компания Texas Instruments объявила о выпуске первого в отрасли семейства мощных полевых МОП-транзисторов (MOS...

ФГУП «ГЗ «Пульсар» представляет новые СВЧ транзисторы с высокими энергетическими характеристиками 2Т9205 А-2 ÷ Е-2. Закончена работа Госкомиссии по приемке опытно-конструкторской работы «Освоение - P» по разработке СВЧ мощных кремниевых биполярных транзисторов...

Компания Panasonic объявила о расширении семейства фильтров подавления синфазного шума для поверхностного монтажа. Фильтры предназначены для применения в высокоскоростных системах передачи данных на скоростях от 5 Гбит/с, включая USB3.0. Технические характеристики: Частота среза - 10 ГГц;...

Компания STMicroelectronics представила семейство высокоэффективных выпрямительных диодов STPS50U100C с низким прямым падением напряжения. Областью применения этих диодов могут быть выходные выпрямители в различных адаптерах, настольных компьютерах, сетевых серверах, телевизорах и другой...

Компания IXYS предлагает триак (симистор) CLA60MT1200MHB. Триаки могут работют в квадрантах Q1 и Q3, но возможно производство моделей, работающих в квадрантах Q3 и Q2.   В настоящее время CLA60MT1200MHB производятся в корпусах ТО-247, в дальнейшем ожидается производство в корпусе...

Низковольтные диоды Шоттки высокой эффективности на основе карбида кремния обладают меньшим значением потерь при переключении и повышенным значением допустимого напряжения, чем у кремниевых Компания ROHM объявила о разработке карбид-кремниевых диодов Шоттки (ДШ) нового поколения, которые обладают...

Японская компания NDK планирует запуск в массовое производство самого маленького в мире кварцевого генератора синхронизирующих импульсов NZ2016SF. По сравнению с ранее разработанной моделью NZ2520SF (2.5×2.0×0.9 мм), новинка имеет еще меньший вес и габариты (2.0×1.6×0.7 мм)....

Julien Happich Компания California Micro Device выпустила малогабаритные TVS диоды LuxGuard с напряжением пробоя 50 В для защиты от электростатики светодиодов повышенной мощности и яркости. Характеристики диодов LuxGuard CM1753 и CM1754 обеспечивают защиту от потенциалов достигающих 8 кВ на элект...

Infineon пополнила ассортимент MOSFET для силовых преобразователей моделями OptiMOS™ на 200 и 250 В. Компоненты OptiMOS™ 200V и 250V обеспечивают КПД выпрямительных каскадов в 48-В блоке питания, составляющий более 95%. Этот показатель на 2% превышает типичный для современных систем уро...

Компания CTS объявила о выпуске кварцевых генераторов серии 576. Новинка производится в керамическом корпусе 7×5 мм, соответствует директиве RoHS и поставляется в стандартной упаковке лента в катушке. Технические характеристики: Напряжение питания – от 2.8 В DC до 5 В DC;...

Компания ROHM анонсировала серию чип-резисторов PML100 для измерения тока с широким диапазоном сопротивлений Компания ROHM анонсировала серию чип-резисторов PML100 для измерения тока с широким диапазоном сопротивлений, представленную мощными компонентами (до 3 Вт в корпусе 6432), идеально п...

Компания NXP Semiconductors анонсировала линейку MOSFET-транзисторов в новом компактном корпусе для SMD-монтажа QFN3333, размером всего 3.3×3.3×1 мм. Линейка транзисторов включает в себя 12 элементов. Транзисторы выполнены по технологии шестого поколения Trench 6 и обладают малым сопрот...

В 650-вольтовых CoolMOS™ C6/E6 компании Infineon Technologies сочетается наш опыт ведущего поставщика MOSFET на основе суперперехода и наша способность создавать лучшие в своем классе инновационные решения. К тому же, приборы C6/E6 имеют лучшее для современного рынка соотношени...

Компания IXYS начала производство новых XPT (Extreme Light Punch Through) IGBT транзисторов с номинальными токами от 100 до 210 А при температуре 25 °С. IGBT имеют отличные характеристики: напряжение насыщения (Vcesat) – до 1.8 В, низкое время спада тока (tfi) – до 42 нс...

Diodes Incorporated представила первые MOSFET транзисторы из нового семейства приборов в миниатюрных корпусах DFN3020. Из трех приборов, два представляют собой сдвоенные N-канальные транзисторы с предельным напряжением 20 и 30 В (ZXMN2AMC и ZXMN3AMC, соответственно), а один – комплементарн...

Freescale Semiconductor представила два мощных высокочастотных LDMOS транзистора, которые позволят в передатчиках беспроводных базовых станций охватить все каналы выделенной полосы частот. Благодаря высокоэффективные транзисторам, появится возможность сократить капитальные и эксплуатационные затрат...

Paul O’Shea Компания Central Semiconductor начала производство P-канальных MOSFET транзисторов CMPDM302PH в корпусах SOT-23F. 30-вольтовые транзисторы CMPDM302PH могут переключать токи до 2.4 А. Низкое сопротивление канала (61 мОм) в совокупности небольшим зарядом затвора (2.8 нК) позволяют...

Десять новых приборов, отличающихся ультранизкой выстой 1 мм, имеют индуктивность до 47 мкГн и рабочую частоту 5 МГц Vishay Intertechnology приступила к производству семейства низкопрофильных силовых индуктивностей в корпусах 0806, 1008, 1111 и 1515. Приборы серии IFSC сочетают в себе ультранизкую...

Компания Vishay Intertechnology представила девять серий низкопрофильных быстродействующих и сверхбыстродействующих выпрямительных лавинных диодов в стандартных корпусах для поверхностного монтажа SMP и SMPC с рекордной величиной прямого тока 4 А и энергией лавинного пробоя 20 мДж. Основные хара...

Central Semiconductor представляет MOSFET транзисторы CMNDM7001 (с каналом N-типа) и CMNDM8001 (с каналом P-типа). Это простые 20-вольтовые, 100 мА MOSFET транзисторы в миниатюрном корпусе SOT-953 для поверхностного монтажа. Они представляют собой идеальное решение для разработчиков, ищущих энергос...

Компания Murata PS объявила о начале производства трех новых серий сильноточных катушек индуктивности (0.15…10 мкГн) для поверхностного монтажа с токами до 19.5 А. Катушки серий 3700, 3800 и 3900 отличаются исключительно компактными размерами (14.5 × 11.5 × 5.8 ...

Central Semiconductor представила сборку диодов Шоттки CSHD10-100C, предназначенную для поверхностного монтажа в высоковольтных устройствах и обеспечивающую низкое прямое падение напряжения. 10-амперная 100-вольтовая диодная сборка состоит из двух 5-амперных диодов Шоттки, соединенных катодами....

Разработчики систем питания пытаются решить две основные проблемы – уменьшить размеры и при этом увеличить плотность мощности. Это особенно важно в ноутбуках, локализованных к нагрузке DC-DC преобразователях, серверах, игровых и телекоммуникационных приложениях. Для того, чтобы помочь инженер...

Новое семейство транзисторов XR имеет лучшие в своем классе надежность и рабочие характеристики при обычной цене Компания NXP Semiconductors представила свое новое семейство XR («eXtremely Rugged» – чрезвычайно надежных) мощных СВЧ LDMOS транзисторов, предназначенных для самых тр...

Технология призвана обеспечить наивысшую эффективность мультистандартных усилителей мощности Догерти Компания NXP Semiconductors N.V. представила мощные СВЧ LDMOS транзисторы восьмого поколения (Gen8) для беспроводных базовых станций, позволяющие расширить полосу пропускания сигнала до 60 МГц и пр...

Идеальные для мобильных устройств проволочные силовые индуктивности BRHL2518 (2.5 × 1.8 мм, с максимальной высотой 1.5 мм) помогут создавать более компактные DC-DC преобразователи и повышать их КПД По сравнению с серией CBC3225T2R2M (3.2 × 2.5 × 2.5 мм) компании Taiyo Yuden, инду...

CFSH01-30L – это высококачественные 30-вольтовые 100-миллиамперные диоды Шоттки фирмы Central Semiconductor с низким прямым падением напряжения, выпускающиеся в малогабаритных низкопрофильных корпусах SOD-882L. Диоды разработаны для приложений, основными требованиями которых являются малые га...

Vishay расширила предложение сборок диодов Шоттки семейства TMBS двенадцатью новыми 45-вольтовыми устройствами в трех вариантах мощных корпусов, обеспечивающих работу в широком диапазоне токов от 10 до 60 А. Отличающиеся чрезвычайно низким прямом падением напряжения (0.33 В тип. при токе 10 А), уст...

Корпорация Epson Toyocom анонсировала новую серию ПАВ генераторов с дифференциальными выходами, характеризующуюся отличной стабильностью и высокой частотой генерации. При размерах 5.0 × 3.2 мм и высоте всего 1.4 мм ПАВ генераторы серии EG-2121/2102CB для своего класса, возможно, станут самыми...

Компания Infineon в настоящее время выводит на рынок вторую серию нового поколения дискретных интеллектуальных верхних ключей – PROFET™+. В эту серию входят три одноканальных прибора с сопротивлением RDS(on) 30, 45 и 90 мОм. Семейство PROFET™+ специально разработано для управлени...

Diodes анонсировала новое семейство малосигнальных биполярных транзисторов, выпускающихся в миниатюрном корпусе DFN размером 1 × 0.6 мм с электрическими характеристиками эквивалентными устройствам в значительно более крупных корпусах. Новые устройства специально предназначены для приложений п...

Vishay предлагает две новые серии сверхминиатюрных SMD кварцевых резонаторов на диапазон частот от 12 до 25 МГц. Приборы XT23 и XT35 выпускаются в корпусах площадью 3.2 × 2.5 мм и 5.0 × 3.2 мм, соответственно. Высота обоих приборов равна 0.8 мм. Благодаря широкому диапазону частот, н...

При выборе лучшего многослойного чип конденсатора приходится идти на компромисс между стабильностью, емкостью и низкой стоимостью. Европейский производитель пассивных электронных компонентов Syfer Technology представил ряд конденсаторов, упрощающих проблему выбора. Для приложений требующих макси...

Компания Infineon представила три новых несогласованных мощных ВЧ LDMOS-транзистора. Они предназначены для ВЧ усилителей мощности, работающих в диапазоне частот от 700 до 2200 МГц. Эти транзисторы, предлагаемые в трех вариантах с выходной мощностью 4 Вт, 8 Вт и 12 Вт (P1дБ), демонстрируют отличные...

CMPDM203NH и CMPDM202PH – это MOSFET транзисторы фирмы Central Semiconductor, работающие в режиме обогащения, в стандартном корпусе SOT-23F. Сочетание большого тока, низкого заряда затвора и малого сопротивления в открытом состоянии делает эти устройства идеальным выбором для приложений, треб...

SemiSouth Laboratories представила новое семейство дешевых карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов с управляющим p-n переходом (JFET). Устройства имеют очень высокую степень линейности и предназначены для аудио приложений класса Hi-End. SJEP120R100A и SJEP120R063A обеспечивают очень хорошую...

Murata разработала серию многослойных керамических конденсаторов с уникальными внешними металлическими выводами, решающими проблемы, связанные с монтажем конденсаторов больших размеров, включая акустические шумы и поломки, вызванные изгибом печатной платы. Конструкция серии KRM, так же, позволяет м...

Новое семейство OptiMOS™ 25V/30V фирмы Infineon позволяет повысить эффективность стабилизации напряжения в силовых приложениях более чем на 93%. Новая продукция OptiMOS™, выпускаемая в самых миниатюрных корпусах (таких как CanPAK™ и S3O8), отличается чрезвычайно низкими...

Компания Infineon выпустила новое семейство малосигнальных 60-вольтовых OptiMOS™3 в корпусах TSOP-6, SC59 и SOT-89. Эти новые, лучшие в своем классе приборы были разработаны как внешние полевые транзисторы для маломощных DC/DC-преобразователей. Благодаря низкому заряду затвора Qg и небольшой...

Vishay выпустила новый 8-вольтовый мощный TrenchFET® MOSFET транзистор с каналом p-типа, имеющий наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди подобных устройств в корпусе 1.6 × 1.6 мм с высотой менее 0.8 мм. Кроме того, SiB437EDKT – это единственный в своем классе прибор, для...

Central Semiconductor представила высококачественные 30-вольтовые, 100-миллиамперные диоды Шоттки CTLSH01-30 и CTLSH01-30L, предназначенные для приложений, которым особенно важны сверхмалые размеры, низкое прямое напряжение и низкий ток утечки. Корпус TLM2D3D6 имеет размер 0.65 × 0.35 мм и ни...

International Rectifier анонсировала выпуск семейства надежных и эффективных биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), предназначенных для работы при напряжении до 1200 В в устройствах индукционного нагрева, бесперебойных источниках питания, преобразователях солнечных батарей и в сва...

SemiSouth объявила о выпуске нового 1200-вольтового 5-амперного диода в компактном корпусе DPAK (TO-252) для поверхностного монтажа, обеспечивающего необходимый зазор утечки и не требующего центрального вывода. Как и большинство карбид-кремниевых (SiC) диодов от SemiSouth, новые SDB05S120 отлича...

Новые TVS-диоды компании Infineon ESD5V0S1U-02V и ESD5V0L1B-02V существенно повышают надежность электронного оборудования и помогают предотвратить серьезные отказы и гарантийные возвраты, вызванные электростатическим разрядом и бросками напряжения при повседневном использовании. Гибкое решение д...

Vishay объявила о выпуске новой серии 600- и 650-вольтовых n-канальных MOSFET транзисторов с ультранизким максимальным сопротивлением открытого канала, лежащем в диапазоне от 64 до 190 мОм при напряжении на затворе10 В. Допустимые выходные токи, в зависимости от типа транзистора, равны 22…47...

International Rectifier представила пару эффективных, надежных сверхбыстродействующих IGBT транзисторов, оптимизированных для аппаратуры индукционного нагрева и преобразователей с резонансным переключением, таких, например, как сварочное оборудование и выпрямители большой мощности. При изготовлени...

Vishay представила самые миниатюрные в отрасли MOSFET транзисторы размером 0.8 × 0.8 мм, в дополнение к первым n- и p-канальным устройствам, имеющие нормированное сопротивление канала при напряжении на затворе 1.2 В. 8-вольтовые n-канальный Si8802DB и p-канальный Si8805EDB TrenchFET силовые M...

Компания Kemet, один из лидеров в производстве танталовых, керамических, алюминиевых, пленочных, бумажных и электролитических конденсаторов, представила новую серию высокодобротных многослойных керамических конденсаторов для поверхностного монтажа на основе диэлектрика первого класса C0G. Основной...

Сверхкомпактные транзисторы демонстрируют непревзойденные характеристики и экономят место на печатной плате Компания NXP Semiconductors анонсировала первые в отрасли транзисторы средней мощности в бессвинцовых 3-выводных корпусах DFN c размерами 2 × 2 мм. Предлагая уникальное решение в сверх...

Vishay Intertechnology анонсировала новый резистор семейства Power Metal Strip для поверхностного монтажа типоразмера 2512, сочетающий в себе большую рассеиваемую мощность (3 Вт) с очень низким сопротивлением 0.0005 Ом. В новейшей конструкции WSLP2512 использованы резистивные элементы из нихромово...

Bourns анонсировала две новые серии металлооксидных варисторов общего назначения. В новом семействе представлены варисторы с радиальными выводами длиной 14 и 20 мм, предназначенные для защиты цепей от бросков напряжения, вызванных грозовыми разрядами, переключением силовых контактов и наводками от...

Разработанная Infineon новая серия диодов ESD5V3L1B значительно повышает устойчивость системы к электростатическому разряду (ESD), способному привести к отказу компонентов или возникновению скрытых дефектов в смартфонах, планшетных ПК, портативных компьютерах и других устройствах бытовой элект...

Новые приборы имеют лучшее в своем классе сопротивление открытого канала Alpha and Omega Semiconductor (AOS) установила новый стандарт отрасли в части плотности мощности и энергоэффективности силовых MOSFET транзисторов в ультра тонких (0.8 мм) корпусах DFN с размерами 3×3 мм. В производс...

Новые 40-В силовые MOSFET OptiMOS™-T2 компании Infineon обеспечивают лучшие в своем классе технические характеристики благодаря сочетанию инновационной технологии корпусирования и технологического процесса на основе тонких полупроводниковых пластин. Компания применяет диффузионную пайку крист...

International Rectifier анонсировала новый IGBT транзистор AUIRGDC0250, предназначенный для автомобильной электроники и оптимизированный для приложений с «мягкой» коммутацией силовых приборов, например, для используемых в электрических и гибридных автомобилях позисторных нагревателей....

International Rectifier анонсировала первые приборы из новейшей серии HEXFET MOSFET транзисторов в корпусе TSOP-6, предназначенных для приложений с невысокими уровнями мощности, включая коммутаторы питания, зарядные и разрядные ключи для защиты батарей и ключи инверторов. Приборы отличаются очень...

Новое семейство транзисторов имеет наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала при напряжении затвора 4.5 В Vishay Intertechnology представила первые приборы нового семейства мощных n-канальных 30-вольтовых MOSFET транзисторов, изготовленных по технологии TrenchFET Gen IV. Созданные на осн...

International Rectifier (IR) представила семейство мощных MOSFET транзисторов в корпусе TO-220, предназначенных для различных силовых устройств автомобильной электроники, включая приводы бесщеточных двигателей постоянного тока, насосов и элементов систем охлаждения. Новые планарные устройства с до...

NXP Semiconductors представила семейство быстродействующих MOSFET транзисторов в новом сверхнадежном корпусе LFPAK33 с размерами 3.3 × 3.3 мм. В отличие от многих других корпусов для MOSFET подобного размера, конструкция корпуса LFPAK33 была разработана с нуля, чтобы стать надежным решением д...

Vishay Intertechnology представила новую серию многослойных керамических чип конденсаторов для поверхностного монтажа, отличающихся высокой частотой собственного резонанса, добротностью не менее 2000 и низким тангенсом угла потерь, не превышающем 0.05%. Конденсаторы предназначены для высокочастотны...

Широкополосные мощные LDMOS транзисторы могут использоваться на частотах от 1 МГц до 2 ГГц Отвечая на возрастающие запросы рынка высокочастотных мощных транзисторов, Freescale Semiconductor представила два универсальных устройства, изготовленных с использованием технологического процесса LDMOS и д...

Сопротивление открытого канала MOSFET транзистора SiA436DJ нормируется при напряжении затвор-исток 1.2 В Vishay Intertechnology представила новый 8-вольтовый n-канальный MOSFET транзистор семейства TrenchFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала в корпусе PowerPAK SC-70 со сниже...

Vishay Intertechnology представила новую серию супрессоров семейства TransZorb в низкопрофильных корпусах DO-221AC (SlimSMA) для поверхностного монтажа. Серия приборов SMA6F отличается очень малой высотой (0.95 мм), большой пиковой мощностью (600 Вт при tФ/tИ = 10/1000 мкс и 4 кВт при tФ/tИ = 8/20...

International Rectifier анонсировала семейство 600-вольтовых IGBT для силовых устройств электрических и гибридных автомобилей, включая инверторы кондиционеров воздуха, насосы и PTC обогреватели. Содержащие встроенный диод транзисторы, доступные, в частности, в корпусе D2Pak для компактного поверхн...

Samsung Electro-Mechanics (SEM) разработала самый миниатюрный в мире многослойный керамический конденсатор (MLCC) типоразмера 0603*) с емкостью 2.2 мкФ и рабочим напряжением 6.3 В. Его габариты составляют 0.3 × 0.6 × 0.3 мм. Это устройство позволило SEM занять первое место в списке лид...

TDK Corporation разработала самый миниатюрный в мире фильтр синфазных помех с габаритами всего 0.45 × 0.30 × 0.23 мм, что на 75% меньше, чем выпускаемые в настоящее время фильтры в корпусах типоразмера 0806 (по стандарту обозначений комиссии IEC). Несмотря на миниатюрные размеры, тонкоп...

Продуктовая линейка индуктивных компонентов компании Bourns пополнилась новой серией силовых индуктивностей CVH252009, созданной по усовершенствованной многослойной технологии, позволившей изготавливать малогабаритные приборы с большим допустимым током. Благодаря ферритовому сердечнику, индуктив...

Увеличение производительности серверов и персональных компьютеров (ПК) ведет к росту энергопотребления. Это ставит перед разработчиками задачу повышения эффективности AC/DC-преобразователей и увеличения их плотности мощности при одновременном снижении себестоимости. Компания Infineon представила но...

Самое многочисленное в отрасли семейство транзисторов в корпусах 1 × 0.6 мм уже доступно для приобретения Компания NXP Semiconductors объявила о расширении линейки транзисторов в сверхкомпактном безвыводном корпусе DFN1006B-3 (SOT883B). Теперь NXP предлагает 60 биполярных транзисторов...

International Rectifier анонсирует выпуск новых силовых MOSFET AUIRFR4292 и AUIRFS6535 с низким сопротивлением открытого канала RDS(ON), предназначенных специально для управления пьезоэлектрическими форсунками инжекторов бензиновых и дизельных двигателей. Новыми транзисторами, выпускаемы...

Новые полупроводниковые приборы выполнены в тонких корпусах, отличаются низкими токами утечки затвора Fairchild Semiconductor расширяет свою линейку P-канальных PowerTrench  MOSFET, которые позволят усовершенствовать разрабатываемые для сотовых телефонов и других портативных устройств схемы з...

Самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала и отличные характеристики переключения позволяют создавать источники питания с высоким КПД Компания Alpha and Omega Semiconductor (AOS) анонсировала флагманский 100-вольтовый прибор AON6290 в своем новом семействе средневольтовых транзисторов...

International Rectifier представила новое семейство 600-вольтовых IGBT, оптимизированных для приложений управления двигателями с рабочими частотами менее 10 кГц, включая компрессоры холодильников и кондиционеров. Эти приборы последнего поколения Gen7 F, созданные с использованием новейшей технолог...

Благодаря постоянным усилиям, направленным на повышение энергоэффективности автомобильных приложений, компания Infineon совершила прорыв в области MOSFET. Новая 650-В CoolMOS CFDA – первая на рынке технология с интегрированным быстродействующим диодом, предназначенная для автомобилестроения....

Central Semiconductor представила диоды Шоттки CMSH3-40FL с допустимым напряжением 40 В и максимальным прямым током 3.0 А в низкопрофильных корпусах SMBFL. В новых приборах сохранена конфигурация контактных площадок традиционных корпусов SMB, но их высота уменьшилась на 58%. CMSH3-40FL могут исп...

Fairchild Semiconductor расширила свое семейство IGBT с нормированным временем короткого замыкания, и предлагает разработчикам драйверов электродвигателей новые транзисторы с повышенной надежностью, увеличенной плотностью мощности и лучшей эффективностью. Приборы предназначены, в первую очередь, дл...

Полноценная замена кварцевого генератора в тонком корпусе с размерами 0.5 × 1.6 × 1.2 мм исключает потребность во внешних компонентах при использовании в мобильных устройствах, видео и аудио технике Компания Discera объявила о начале производства самых маленьких и тонких генераторов в...

Murata разработала самую миниатюрную в мире индуктивность с габаритами 0.25 × 0.125 мм (типоразмер 0201). Объем новой индуктивности составляет примерно 25% объема приборов габарита 0402 (0.4 × 0.2 мм) – индуктивности, преобладающей на рынке современных смартфонов. Заметим, что вме...

Central Semiconductor представила серию CBRLD1 одноамперных высоковольтных мостовых выпрямителей. Устройства предназначены для приложений с большой плотностью мощности, критичных к высоте компонентов. Семейство состоит из следующих приборов, ток утечки каждого из которых не превышает 10 мкА: CBRLD...

Microchip Technology анонсировала новое семейство контроллеров преобразователей энергии, а также первую в своей производственной истории серию мощных MOSFET. Контроллер ШИМ и дополняющее его семейство MOSFET с низким комплексным показателем потерь (Figure of Merit – FOM) предназначены для соз...

Компания NXP выпустила новый N-канальный MOSFET автомобильного назначения PMPB40SNA (60 В, 40 мОм) в компактном корпусе DFN2020MD-6 (SOT1220) размером 2 × 2 мм. Корпус DFN2020MD-6 является первым в отрасли, обладающим 100% смачиваемыми (пригодными для пайки) торцами контактных площадок, что з...

International Rectifier представила первое семейство биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), изготовленных на новейшей технологической платформе Gen8. Предназначенные для промышленных и энергосберегающих приложений транзисторы с допустимым коллекторным напряжением 1200 В имеют лучш...

В ближайшем будущем разработчики будут вынуждены уделять все больше внимания достижению наилучшего соотношения цена/производительность. Разработанная Infineon технология TRENCHSTOP 5 призвана сыграть в этом вопросе ключевую роль. Она позволяет снизить стоимость готовых устройств благодаря повышению...

Vishay Intertechnology представила новый мощный, n-канальный TrenchFET MOSFET на напряжение 40 В, соответствует требованиям стандарта AEC-Q101. Разработанный для использования в автомобильных системах, SQM200N04-1m1L – первый мощный MOSFET компании Vishay в 7-выводном корпусе D2PAK, обладающи...

CoolMOS P6 — это седьмое поколение высоковольтных силовых MOSFET компании Infineon, основанное на революционном принципе суперперехода (SuperJunction — SJ). Новая серия CoolMOS P6 вополощает в себе опыт компании Infineon как ведущего поставщика SJ MOSFET и инновации в области энергоэфф...

Авторитетный журнал EDN назвал выпускаемый ROHM Semiconductor 1200-вольтовый карбид кремниевый транзистор второго поколения SCH2080KE одним из «Лучших продуктов 2012 года». Критериями, по которым EDN ежегодно выделяет 100 самых значительных достижений электронной индустрии,...

Компания Vishay представила новую серию двухполярных супрессоров TRANSZORB в корпусах для поверхностного монтажа SMC DO-214AB. Предназначенная для автомобильных и телекоммуникационных приложений, серия SMC3K обладает высокой перегрузочной способностью до 3 кВт при времени нарастания/спада импульса...

Эффективное подавление «звона» напряжения без снижения энергетического КПД TDK Corporation разработала серию шумопоглотителей YNA15 в корпусах типоразмера 1005 (по стандарту IEC), предназначенную для подавления «звона» напряжения, который может возникать при работе импульсн...

Компания Vishay Intertechnology представила новые n- и р-канальные силовые TrenchFET MOSFET с напряжением стока 8 и 20 вольт и самым низким в отрасли сопротивлением в открытом состоянии. Устройства выполнены в корпусах MICRO FOOT с размерами 1 × 1 × 0.55 мм и 1.6 × 1.6 × 0.6...

В оптимизированных MOSFET среднего диапазона напряжений стока тепловое сопротивление переход-среда снижено в 4 раза При конструировании DC/DC преобразователей разработчикам приходится решать противоречивую задачу выбора силовых приборов с минимальными габаритами и минимальным тепловым сопротивлени...

Vishay Intertechnology объявила, что журнал Electronic Products удостоил премии Продукт 2012 Года ее серию прецизионных тонкопленочных SMD резисторных сборок PRAHT. Редакция журнала Electronic Products ежегодно присуждает награды лучшим продуктам, признанным наиболее значимыми новинками, из т...

International Rectifier объявила о появлении первого прибора из нового семейства 300-вольтовых MOSFET, задающих новый уровень отраслевого стандарта величины сопротивления открытого канала (RDS(ON)). Транзисторы предназначены для широкого спектра приложений, таких как устройства защиты силовых сетей...

Компания Microchip расширила свой ассортимент контроллеров управления питанием и быстродействующих MOSFET для DC/DC преобразователей и приложений преобразования энергии Компания Microchip сообщила о выпуске первого в отрасли однокристального аналогового контроллера управления питанием с интегриров...

Vishay Intertechnology представила первую в отрасли серию цементированных проволочных резисторов, выдерживающих броски напряжения до 12 кВ. Предназначенные для ограничения высоковольтных импульсных бросков тока, устройства Vishay Draloric оптимизированы для источников питания электронных счетчиков...

Компания Vishay Intertechnology объявила о расширении серии прецизионных тонкопленочных чип-резисторов с широкими выводами MCW 0406 AT приборами с сопротивлением до 1 Ом. Эти самые компактные среди устройств такого рода низкоомные резисторы в корпусе 0406 имеют точность ±0.1% и ТКС ±2...

ThinQ! пятого поколения — это передовая технология компании Infineon для карбид-кремниевых (SiC) диодов Шоттки. Для данной разработки компания использовала свой запатентованный процесс диффузионной пайки, запущенный при производстве третьего поколения (G3), а также новую, более компактную ко...

Для сокращения времени и энергии поджига устройство использует джоулево или флэш-воспламенение Отвечая на запросы инженеров-пиротехников, Vishay Intertechnology представила новый объемный электро-пиротехнический воспламенитель (massive electro-pyrotechnic ignitor chip – MEPIC) на основе эффе...

Компания Infineon расширила свое пользующееся успехом семейство PROFET+, включив в него новую продукцию с более низким омическим сопротивлением. BTS5008-1EKB, BTS5010-1EKB, BTS5012-1EKB и BTS5016-1EKB обеспечивают все хорошо известные характеристики семейства PROFET+, в том числе превосходные функ...

International Rectifier существенно усовершенствовала свой онлайн селектор биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для оптимизации выбора мощных приборов при разработке различных силовых устройств, в частности, драйверов электромоторов, источников бесперебойного пит...

Vishay Intertechnology выпустила серию VACR компактных резисторов в алюминиевых корпусах с допустимой мощностью рассеивания до 500 Вт. Новые приборы предназначены для использования в промышленности, в системах управления двигателями, на железнодорожном транспорте, в преобразователях энергии возобно...

Diodes Incorporated выпустила 15-амперный SBR-диод SBR15U50SP5, предназначенный для следующего поколения зарядных устройств смартфонов и планшетных компьютеров. (SBR – Super Barrier Rectifier, – «выпрямитель с супер барьером», – выпрямительный диод, изготовленный по но...

Интегрированное решение объединяет МОП-транзистор и диод в одном корпусе, упрощая, тем самым, компоновку печатной платы и занимая на ней меньше места Fairchild Semiconductor оптимизировала процесс выбора MOSFET и диода, представив семейство BoostPak с напряжением сток-исток 100 В – устройств...

Использование высококачественных FlipChip MOSFET улучшает характеристики схем защиты одиночных или сдвоенных литий-ионных аккумуляторов от перенапряжения и глубокого разряда ON Semiconductor представила два новых MOSFET прибора, предназначенных для использования в смартфонах и планшетных компьютер...

Vishay Intertechnology представила первый в отрасли термопредохранитель, способный без непредусмотренного разрыва цепи в течение 1000 часов работать под током 55 А при температуре +160 °C. Квалифицированные по стандарту AEC-Q200 новые приборы серии Beyschlag HCTF предназначены для размыкания си...

Компания Infineon значительно расширила ассортимент своих миниатюрных и тонких TVS-диодов с момента выпуска в 2007 году самого маленького в мире TVS-диода. И сегодня Infineon, поддерживая тенденцию миниатюризации современных беспроводных электронных устройств, предлагает все больше продукции для на...

TDK Corporation расширила серию TPL транспондерных катушек новой миниатюрной версией, разработанной специально для использования в качестве антенной катушки в системах контроля давления в шинах автотранспорта (TPMS). При размерах всего 7.85 × 2.70 × 2.70 мм новые катушки TDK TPL802727 о...

Raj Joshi Electronic Specifier Coilcraft анонсировала новую серию миниатюрных трансформаторов для обратноходовых преобразователей, получившую обозначение LPD5030V. Трансформаторы с отношением витков 1:1 и коэффициентом связи минимум 0.97 выпускаются в самых миниатюрных корпусах среди приборов с э...

Разработав второе поколение тандемных диодов, STMicroelectronics предоставила конструкторам средство создания более дешевого и энергоэффективного оборудования для источников питания, инверторов солнечных электростанций и пунктов зарядки электрических транспортных средств. По сравнению с приборам...

Компания IXYS сообщила, что ее подразделение IXYS Colorado приступило к производству новых серий мощных карбид-кремниевых (SiC) диодов SS150 и SS275. Упакованные в низкоиндуктивные корпуса для поверхностного монтажа серии DE, диоды имеют отличные характеристики переключения....

International Rectifier (IR) объявила о появлении в семействе DirectFET2 силовых MOSFET AUIRF8736M2, предназначенных для особо тяжелых условий эксплуатации в устройствах автомобильной электроники, включая электроусилители руля, тормозные системы и насосы, требующие особо высокой плотности мощности...

Универсальная последовательная шина (USB) стала отраслевым стандартом для портативных устройств благодаря простоте использования — по принципу «подключи и работай». Шина USB 3.0 обеспечивает передачу данных на скорости до 5 Гбит/с, т.е. почти в десять раз быстрее интерфейса второг...

NXP начала продажи двух выпрямительных диодов Шоттки в ультраминиатюрных корпусах DSN0602 размером 0.6 × 0.3 × 0.3 мм. Эти приборы с допустимым прямым током до 200 мА и обратным напряжением до 20 В оптимизируются по одному из двух основных параметров, в соответствии с чем выпускаются по...

Корпорация AVX недавно завершила разработку двух новых серий высокочастотных ультра широкополосных индуктивностей. Получившие обозначения GLM и GLN уникальные компоненты отличаются сверхнизким уровнем вносимых потерь и превосходным согласованием параметров в пределах нескольких октав частотного спе...

С выпуском новых семейств 650-В диодов Rapid 1 и Rapid 2 компания Infineon выходит на рынок высоковольтных сверхбыстродействующих кремниевых диодов. Эти новые семейства дополняют линейку 600/650-В диодов Infineon высокой мощности и заполняют пробел между SiC-диодами и диодами, управляемыми по эмитт...

MOSFET EPAD следующего поколения расширяют диапазон рабочих режимов оборудования с низким напряжения питания Advanced Linear Devices (ALD) анонсировала выпуск первых в отрасли малосигнальных прецизионных согласованных сборок MOSFET с независимыми выводами управления каждым из четырех транзисторов,...

Современные 600-вольтовые IGBT серии V, изготовленные компанией STMicroelectronics (ST) по технологии trench-gate field-stop, имеют гладкие и «бесхвостые» характеристики выключения, низкие напряжения насыщения до 1.8 В и максимальную рабочую температуру перехода до 175 °С, что позв...

Fairchild Semiconductor выпустила новую серию IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором) с рабочим напряжением до 1200 В, выполненных с использованием технологии «field stop trench IGBT». Основной областью применения этих транзисторов являются системы преобразования элек...

АКИП пополнил модельный ряд высокоточных средств измерений для калибровки и поверки тремя магазинами сопротивлений. Магазины сопротивлений АКИП-7502/1, АКИП-7502/2, АКИП-7502/3 представляют собой наборы точных высокоомных высоковольтных резисторов и отличаются между собой их числом и номинало...

В линейку автомобильных MOSFET Toshiba добавлен новый 250-вольтовый транзистор TK20F25D в корпусе TO-220SM(W), отличающиеся низком тепловом сопротивлении, полученным за счет использования особой конструкции медной выводной рамки. Прибор предназначен для приложений, в которых не могут использоваться...

Высокая устойчивость к электростатическим разрядам повышает надежность оборудования, работающего в полевых условиях Компания Littelfuse выпустила новую серию двухканальных сборок супрессоров общего назначения, предназначенных для защиты чувствительных элементов оборудования от повреждений электрос...

Последние компактные модели MOSFET семейства UMOS VIII-H, обладающие низким сопротивлением открытого канала и малой входной емкостью, предназначены для импульсных приложений с напряжением от 60 В до 250 В Toshiba Electronics Europe анонсировала пополнение своего семейства высокоэффективных MOSFET...

Epson создала программируемые VCXO с самым низкими в мире джиттером и потребляемой мощностью Компания Seiko Epson Corporation представляет два программируемых управляемых напряжением кварцевых генератора (VCXO) с низким уровнем джиттера. Частота новых продуктов VG7050EAN и VG7050ECN программируетс...

STMicroelectronics (ST) расширяет три семейства высоковольтных мощных MOSFET, представив два новых варианта корпусов, которые позволят сделать зарядные устройства для аккумуляторов, солнечные микроинверторы и блоки питания компьютеров более компактными, прочными и надежными. Усовершенствованные...

Vishay Precision сообщила, что группой ее дочерних компаний, объединенных под брендом Vishay Foil Resistors (Фольговые Резисторы Vishay, VFR), разработана новая серия ультра высокоточных выводных фольговых резисторов с низким уровнем шумов и минимизированными значениями паразитных параметров, предн...

Разработаны для более высоковольтных приложений в электрооборудовании, работающем в опасных условиях Littelfuse выпустила первый искробезопасный предохранитель с рабочим напряжением 277 В, сертифицированный по нормам последней редакции стандарта безопасности UL913. Приборы серии PICO 305 являются...

Новая серия Infineon CoolMOS C7, представляющая собой революционное достижение в области технологий, обеспечивает самое низкое в мире значение RDS(on)/корпус и повышение эффективности во всем диапазоне нагрузок за счет низких потерь на переключение. Серия C7 оптимизирована для топологий с жестким...

Новый корпус TO-Leadless компании Infineon оптимизирован для приложений с высокими токами нагрузки, таких как автопогрузчики, легкие электромобили (LEV), расположенные рядом с нагрузкой преобразователи (Point of Load — PoL) и телекоммуникационное оборудование. Новый корпус представляет собой...

Компания New Japan Radio (New JRC) представила рынку карбид-кремниевые диоды Шоттки (SiC-SBD) MUSES7001, кристаллы которых соединяются с выводной рамкой толстыми проводниками из меди. Новые приборы предназначены для аудио оборудования класса High-End. Общее описание Основой MUSES7001 является с...

Компания TDK расширила свою линейку многослойных высокодобротных индуктивностей серией миниатюрных устройств MHQ0402P в корпусе IEC 0402. Новые индуктивности с размерами 0.44 × 0.24 × 0.24 мм отличаются самой высокой добротностью среди всех многослойных индуктивностей такого размера, вы...

Компания Infineon выпускает «вторую волну» своего нового поколения интеллектуальных 24 В ключей верхнего плеча PROFET™+. Это три одноканальных прибора с сопротивлением 20, 30 и 50 мОм (BTT6020-1EKA, BTT6030-1EKA, BTT6050-1EKA) и один двухканальный 30-мОм (BTT6030-2EKA). Все чет...

Yageo Corporation начала производство устойчивых к перенапряжениям чип резисторов, самых миниатюрных в серии SR: 0402 и 0603. Теперь серия SR покрывает линейку типоразмеров от 0402 до 2512 с допусками ±5%, ±10% и ±20%. Шкала номинальных сопротивлений резисторов, рассчитанных на...

Новые средневольтные мощные MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением канала и напряжением 80 и 100 В в корпусе TO-220 Расширяя портфолио популярных транзисторов NexFET, Texas Instruments представила 14 мощных MOSFET в корпусах TO-220 и SON с максимальным напряжением от 40 В до 100 В. Высокоэ...

Компания Diodes выпустила новую серию монолитных микросхем, состоящих из транзистора, стабилитрона и резистора. Микросхемы предлагаются в стандартных корпусах SOT89, DPAK или POWERDI5. ZXTR2000 – это семейство высоковольтных транзисторных линейных стабилизаторов напряжения, которые, за счет с...

Недавно ROHM объявила о выпуске самого миниатюрного в отрасли транзистора. Корпус VML0604 с размерами 0.6 × 0.4 мм и высотой 0.36 мм занимает на плате вдвое меньшую площадь, чем аналоги, что делает его идеальным для смартфонов и других устройств, становящихся все меньше и тоньше. В последн...

Vishay Intertechnology представляет новый сдвоенный мощный n-канальный MOSFET семейства TrenchFET в миниатюрном корпусе PowerPAK SC-70 с уменьшенным тепловым сопротивлением. Созданный, чтобы уменьшить занимаемое пространство и увеличить эффективность преобразования энергии в портативных устройствах...

Central Semiconductor представила несколько новых 600-вольтовых выпрямителей семейства HyperFast, разработанных специально для таких сверхбыстрых переключающих схем, как корректоры коэффициента мощности (ККМ), где общие потери проводимости должны быть минимальными, а плотность мощности – макс...

Компания NXP Semiconductors объявила о новой серии из шести диодных ограничителей напряжения (TVS), в миниатюрном безвыводном пластмассовом корпусе DFN2020-3 размером 2 × 2 мм и высотой всего 0.62 мм. Новая серия PTVSxU1UPA поглощает до 300 Вт пиковой импульсной мощности (при времени нарастан...

Компания Vishay Intertechnology представила восемь новых сверхбыстродействующих диодов серии eSMP с максимальными токами 2 и 3 А, изготовленных по технологии FRED Pt в компактном низкопрофильном корпусе SlimSMA (DO-221AC). Сочетая исключительное быстродействие с мягким восстановлением, низким током...

Компания Vishay Intertechnology представила новый мощный 30-вольтовый p-канальный MOSFET семейства TrenchFET в ультракомпактном корпусе с улучшенным теплоотводом PowerPAK SC-70. С минимальным в индустрии сопротивлением канала при напряжениях затвора 4.5 В и 2.5 В среди 30-вольтовых приборов в корпу...

International Rectifier объявила о расширении своего семейства энергоэффективных 600-вольтовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Новая серия IRxx46xx надежных и прочных приборов оптимизирована для большого круга приложений, включая источники бесперебойного питания, солнечные...

Наименьшее в отрасли напряжение насыщения и превосходные характеристики переключения позволяют повысить эффективность систем Компания Alpha and Omega Semiconductor (AOS) сообщила о выпуске IGBT AOK20B135D1 – флагманского устройства в новой серии 1350-вольтовых транзисторов AlphaIGBT. AOK20B1...

Infineon выпустила силовые транзисторы  Blade 3×3  MOSFET с размерами 3.0 × 3.4 мм. Новая революционная концепция корпусов Blade задает новый стандарт в области высокопроизводительных силовых корпусов. В данной технологии больше не используются стандартные процессы корпусир...

В новой серии VS индуктивностей с воздушным сердечником компании Coilcraft сочетаются большие допустимые токи, достигающие 57 А, и отличная добротность, что делает их идеальным компонентом для сильноточных ПЧ/ВЧ приложений. Приборы найдут применение также в фильтрах мощных сигналов, в высокочастотн...

Microsemi Corporation представила новое семейство 1200-вольтовых карбидкремниевых (SiC) MOSFET. Новейшие SiC MOSFET созданы для промышленных приложений большой мощности с повышенными требованиями к эффективности, таких как инверторы солнечных батарей, электрические транспортные средства, сварочные...

International Rectifier представила первые приборы из нового семейства MOSFET Large Can DirectFET, предназначенных для промышленных приложений, требующих сверхнизких сопротивлений открытого канала (RDS(ON)), в частности, для схем управления мощными двигателями постоянного тока, DC/AC инверторов и к...

Infineon Technologies расширила свое обширное семейство карбид кремниевых (SiC) приборов, представив 1200-вольтовые диоды Шоттки пятого поколения thinQ!. Новые SiC диоды отличаются сверхнизким прямым напряжением во всем диапазоне рабочих температур, увеличенным более чем вдвое значением допустимого...

X-REL Semiconductor расширила семейство XTR2N своих высокотемпературных MOSFET, представив два новых P-канальных прибора средней мощности и два малосигнальных транзистора с каналами N и P типов. Предназначенные для высоконадежных приложений, имеющих увеличенный срок службы при работе в условиях экс...

Vishay Intertechnology объявила о выпуске первых транзисторов из нового семейства 500-вольтовых MOSFET, имеющих такие же низкие потери проводимости и переключения, как и выпускаемые компанией 600- и 650-вольтовые приборы серии «Е». Низкое сопротивление открытого канала и малый заряд зат...

Компания E-Switch анонсировала серию TL6210 миниатюрных тактовых кнопок с выводами для поверхностного монтажа и степенью защиты IP67. Кнопки с уникальным сочетанием характеристик снабжены также светодиодной подсветкой, которая может иметь красный, зеленый, желтый, синий или белый цвет, или же комби...

Такого сочетания небольших размеров, отличных параметров и конкурентоспособных цен, как у индуктивностей 0402HP и 0603HP, не найти на сегодняшнем рынке Сопротивление меньше, добротность лучше, допустимый ток выше Компания Coilcraft поставила перед собой задачу создать семейство чип индуктивностей...

Новые OptiMOS™ Fast Diode (FD) с рабочими напряжениями 200 В и 250 В — представители новейшего поколения силовых MOSFET компании Infineon — оптимизированы для жесткой коммутации встроенного диода. Повышенная надежность при жесткой коммутации делает этот прибор идеальным решение...

Компания Infineon расширила линейку своих быстродействующих диодов. Новые приборы предназначены для высокоэффективных приложений с частотами переключения от 18 до 100 кГц. Эти приборы, выпускаемые в корпусах TO-220 и TO-220 FullPAK, отлично подходят для PFC-каскадов и для использования в качестве о...

Новейшее поколение IGBT компании Infineon с функцией обратной проводимости было оптимизировано в соответствии с жёсткими требованиями, предъявляемыми к индукционным кухонным плитам. Новые 20-А приборы RC-H5 дополняют предыдущее поколение IGBT с функцией обратной проводимости, укрепляют лидерство се...

International Rectifier объявила о расширении семейства StrongIRFET мощных MOSFET, к которому теперь добавились 75-вольтовые устройства для различных промышленных приложений, включая электроинструменты, инверторы малоразмерных электрических транспортных средств, схемы защиты Li-Ion аккумуляторных б...

Удовлетворяя растущий спрос на системы высокоскоростной передачи данных, компания IQD представила на выставке Electronica 2014 новые серии IQXV-80 и IQXV-81 управляемых напряжением кварцевых генераторов (VCXO) с выходами LVPECL/LVDS. Выходы низковольтной положительной эмиттерно-связанной логики (LV...

Ультранизкое сопротивление открытого канала и отличные характеристики переключения позволят создавать более компактные силовые устройства Компания Alpha and Omega Semiconductor (AOS) анонсировала выпуск MOSFET AON6590 – первого транзистора в новом семействе средневольтовых устройств. AON6590...

Diodes Incorporated расширила свою линейку ультраминиатюрных дискретных продуктов, анонсировав трио малосигнальных MOSFET в крошечных корпусах DFN0606: 20- и 30-вольтовые транзисторы с n-каналом и p-канальный прибор с допустимым напряжением 30 вольт. При размерах всего 0.6 × 0.6 мм каждое уст...

Efficient Power Conversion анонсирует 60- и 80-вольтовые полумосты EPC2102 и EPC2103, расширяющие отмеченное наградами семейство мощных GaN транзисторов Копания Efficient Power Conversion (EPC) анонсировала новые монолитные полумостовые схемы EPC2102 и EPC2103 с допустимыми напряжениями 60 В и 8...

Infineon Technologies представила новый класс IGBT с малым напряжением насыщения, специально оптимизированных для работы на низких частотах от 50 Гц до 20 кГц. Типичными областями применения таких приборов могут быть бесперебойные источники питания, а также инверторы фотогальванических и сварочных...

Устройство в корпусе MICRO FOOT с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала среди MOSFET с рабочим напряжением 20 В в корпусах размером 1 мм2 Vishay Intertechnology представила новый 20-вольтовый N-канальный TrenchFET MOSFET, разработанный с целью экономии площади платы, снижения поте...

Предназначены для высокоэффективных, высокоскоростных приложений с низким уровнем электромагнитный излучений Компания Power Integrations анонсировала новое семейство 150-вольтовых диодов Qspeed. Являясь самыми быстродействующими кремниевыми диодами в мире, приборы серии Qspeed LQA150 одновременно...

Низкое сопротивление открытого канала приборов TPH3205WS позволяет, не прибегая к параллельному соединению транзисторов, создавать высокоэффективные инверторы мощностью до 3 кВт и самые совершенные источники питания На выставке APEC 2015 компания Transphorm показала инженерные образцы своих новых...

Устройство в миниатюрном корпусе CLP0603 высотой 0.27 мм имеет типовую емкость всего 0.29 пФ Vishay Intertechnology выпустила новый двунаправленный симметричный защитный диод в сверхминиатюрном корпусе CLP0603. Прибор VBUS05B1-SD0 в корпусе размером 0.6 × 0.3 мм с высотой всего 0.27 мм, имею...

Infineon Technologies Bipolar расширила номенклатуру выпускаемых биполярных полупроводниковых приборов новыми фототиристорами, способными повысить надежность, снизить стоимость системы в целом и упростить конструкцию приложений сверхвысокой мощности. Новый 6-дюймовый тиристор компании Infineon соде...

600- и 650-вольтовые приборы с низким прямым напряжением и малым повторяющимся импульсным обратным током предназначены для приводов двигателей, источников бесперебойного питания, сварочных инверторов и инверторов солнечных батарей Vishay Intertechnology представила 28 новых 600- и 650-вольтовых FR...

Приборы, оптимизированные для снижения потерь переключения, проводимости и управления, позволяют повысить уровень эффективности систем Компания On Semiconductor продолжает расширять портфель мощных MOSFET новыми высокоэффективными N-канальными приборами, предназначенными для сетевых, телекоммуника...

К своему семейству TrenchFET компания Vishay добавила новый 20-вольтовый MOSFET в корпусе MICRO FOOT с размерами кристалла (CSP), имеющем габариты 0.8 × 0.8 мм и сверхмалую толщину 0.357 мм. Разработанные для сокращения занимаемого пространства, снижения потребляемой мощности и увеличения вре...

Компания Diodes представила новое семейство переключающих диодов DLLFSD01x. Приборы предназначены для приложений, требующих ультра низких токов утечки и сверхвысоких скоростей переключения, в частности, для LCD дисплеев, портативной электроники, компьютеров и других потребительских изделий. Особую...

NXP начала производство своих первых выпрямительных диодов Шоттки средней мощности, изготовленных по технологии Trench. Приборы PMEG45T15EPD выпускаются в корпусе CFP15 FlatPower (SOT1289). Благодаря использованию технологии Trench обратный ток диодов удалось снизить до исключительно низкого значен...

Кнопки для поверхностного монтажа серии KXT имеют сверхмалую высоту 0.58 мм Компания C&K Components разработала ультранизкопрофильные тактовые кнопки поверхностного монтажа, предназначенные для приложений, особо критичных к размерам компонентов, включая носимую электронику, слуховые аппарат...

Превосходная эргономика новых переключателей серии KBD идеально подходит для игровых приложений и промышленных клавиатур Компания C&K Components представила новую серию высоконадежных эргономичных клавишных переключателей для устройств с увеличенным сроком службы, включая игровые консоли, клав...

Diodes Incorporated выпустила сверхскоростной диод DSR8F600. Этот 600-вольтовый прибор с максимальным током 8 А был разработан специально для использования в качестве демпферного диода в схемах коррекции коэффициента мощности (ККМ) и преобразователях, работающих в режиме непрерывной проводимости. О...

Fairchild приступила к производству лучших в отрасли средневольтовых MOSFET в корпусах Dual Cool размером 8 × 8 мм. Новые транзисторы Dual Cool 88 дают разработчикам силовой электроники первую в своем роде альтернативу громоздким корпусам D2-PAK с вдвое сокращенными размерами, повышенной плот...

Компания Diodes представила MOSFET DMN10H120SFG, разработанный для использования в качестве переключающего элемента в 48-вольтовых системах PoE (питание по кабелю Ethernet), соответствующих стандарту IEEE 802.3. Этот переключатель позволяет по кабелю Ethernet передавать энергию к конечному оборудов...

Компания NXP выпустила семь новых выпрямительных диодов Шоттки в ультра миниатюрных низких корпусах DSN1006 (0402) с размерами 1 × 0.6 × 0.27 мм. Новым семейством NXP отвечает на запросы отрасли, нуждающейся в сверхминиатюрных компонентах для мобильных устройств, плотность компоновки и...

Решения на базе герметичных 150-ваттных супрессоров обеспечивают наивысшую степень защиты оборудования бортовых сетей передачи данных Microsemi Corporation объявила о выпуске новой серии запатентованных мощных супрессоров (ограничительных диодов) с ультра низкой емкостью. Вобрав в себя 50-летний о...

Компания Diodes впустила 30-вольтовый N-канальный MOSFET DMN3027LFG, сконструированный для работы в качестве ключа быстрого и безопасного разряда больших батарей конденсаторов, используемых на шинах питания ПЛИС. Новейшие ПЛИС, используемые в телекоммуникационном оборудовании, серверах и центрах об...

Непревзойденные характеристики переключения упростят производителям выполнение строгих требований по уровням энергоэффективности и электромагнитной совместимости Компания Fairchild сообщила о доступности первого прибора из планируемой к выпуску серии 1200-вольтовых карбид-кремниевых (SiC) диодов....

Устанавливают новые стандарты эффективности для переключающих систем большой мощности ON Semiconductor представила новую серию биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), изготовленных по запатентованной компанией технологии Ultra Field Stop с щелевой структурой. Транзисторы NGTB40N12...

Central Semiconductor приступила к выпуску новейших энергоэффективных высоковольтных MOSFET семейства UltraMOS, разработанных для минимизации общих потерь проводимости и увеличения плотности мощности. Транзистор CDM22012-800LRFP в корпусе TO-220FP (Full Pack) рассчитан на ток до 12 А и напряжение д...

Крошечный корпус LGA на 80% меньше традиционных коммутаторов нагрузки Texas Instruments (TI) анонсировала изготовленный по технологии FemtoFET мощный 60-вольтовый N-канальный транзистор, способный существенно снизить потребление мощности в конечных системах за счет рекордного для отрасли сопр...

Специалисты ОАО «Ангстрем» по заказу ОАО «Российские космические системы» (Роскосмос) разработали два типа транзисторов, стойких к факторам космического пространства. Подобные изделия, стойкие к тяжелым заряженным частицам (ТЗЧ), выпускает всего одна компания в мире, однако...

Компания Ampleon сообщила о завершении разработки сверхнадежного транзистора BLCU188XRS, способного в режиме усиления непрерывных колебаний отдавать выходную мощность 1400 Вт. Транзистор будет выпускаться в усовершенствованном пластиковом корпусе ACP3 с медными фланцами и воздушной полостью дл...

Компания Diodes представляет новый прибор, изготовленный по технологии Trench SBR (Super Barrier Rectifier) – выпрямительный диод SBRT3M40P1, оптимизированный для снижения прямого падения напряжения при сохранении минимальных габаритов и низкого обратного тока. Эти особенности ориентированы н...

Компания Linear Integrated Systems (LIS) сообщила о начале массового производства монолитных сдвоенных P-канальных МОП транзисторов LSJ689 с напряжением шумов 1.8 нВ/Гц на частоте 1 кГц. LSJ689 является P-канальной комплементарной парой к сдвоенному N-канальному МОП транзистору LSK489. Это нов...

Низкое напряжение насыщения и оптимальные характеристики переключения способствуют росту эффективности и повышению эксплуатационной надежности новых транзисторов Alpha and Omega Semiconductor объявила о добавлении к своему семейству AlphaIGBT 1350-вольтовых IGBT нового прибора AOK30B135W1. Харак...

Alpha and Omega Semiconductor объявила о выпуске сдвоенного n-канального 12-вольтового MOSFET с объединенными стоками, сопротивление между которыми в открытом состоянии имеет рекордно низкое значение 2.15 мОм при напряжении затворов 4.5 В. В новом транзисторе AOC3860 еще больше улучшено сопротивлен...

Принадлежащая Cree компания Wolfspeed анонсировала выпуск 1000-вольтовых MOSFET, которые позволят снизить общую стоимость систем, одновременно улучшив их КПД и снизив размеры. Новые MOSFET, специально оптимизированные для устройств быстрой зарядки и промышленных источников питания, обеспечат 30-про...

АО «НИИЭТ» разработало мощные сверхвысокочастотные линейные транзисторы серии 2П9103 с выходной мощностью до 300 Вт в диапазоне частот от 470 до 1000 МГц, со значением коэффициента интермодуляционных искажений не более -25 дБ , обеспечивающим усиление первоначального сигнала практически...

«Росэлектроника» изобретает «русский транзистор» на нитриде галлия «Росэлектроника» приступила к созданию перспективных типов транзисторов, относящихся к самым передовым в мире. Новые разработки открывают большие возможности в развитии мобильной и космической связи, а также уже в ближайш...

Устройство на 60 В в корпусе SOP Advance для поверхностного монтажа позволяет проектировщикам оптимизировать эффективность и снизить размеры источников питания и блоков управления электродвигателями Компания Toshiba Electronics Europe продолжает расширять серию компактных высокоэффективных...

Central Semiconductor представила свой новейший энергоэффективный высоковольтный MOSFET семейства UltraMOS, разработанный для минимизации потерь проводимости и увеличения плотности мощности. 800-вольтовый MOSFET CDM2206-800LR в корпусе TO-220 рассчитан на максимальный ток 6 А. Ключом к высокой энер...

Новый корпус компании Toshiba со сверхнизким сопротивлением совместим на уровне монтажа со стандартным D2PAK Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию мощных автомобильных МОП-транзисторов и представляет TK1R5R04PB – первое устройство в новом корпусе со сверхнизким сопротивлением...

Более жесткая спецификация Vth позволяет снизить мертвое время в схемах полумостов, H-мостов и B6-мостов, а также повысить эффективность и снизить потери при синхронном переключении в параллельных схемах Компания Toshiba Electronics Europe представляет новый МОП-транзистор на 100 В и 160&nb...

В Росэлектронике заместили импортные варикапы Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех освоил выпуск варикапов, способных заместить импортные изделия, использующиеся в российской радиоэлектронной аппаратуре. Специалисты томского предприятия холдинга - АО «НИИ полупроводнико...

Специалисты АО «Ангстрем» разработали силовые транзисторы для отечественного медицинского оборудования АО «Ангстрем» совместно с ООО «Альтомедика» испытало макетные образцы внешних дефибрилляторов, которые изготовлены с использованием российской микроэлектроники. Высоковольтн...

Тепловыделение снижено на 40 % Компания Toshiba Electronics Europe представляет два новых МОП-транзистора с каналом n-типа для переключателей нагрузки в мобильных устройствах с ведущим в классе [1] низким сопротивлением в открытом состоянии. Транзисторы SSM6K513NU и SSM6K514NU позволяют соз...

MOSFET с суперпереходом с наименьшим в отрасли показателем RDS(ON)∙QG предназначены для телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений Компания Vishay представила первый прибор из серии E мощных 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения. Разработанный подразделением Vishay S...

Быстродействующие МОП-транзисторы с максимальным током стока до 260 А теперь выпускаются в корпусе DSOP Advance Компания Toshiba Electronics Europe расширяет ассортимент высокоэффективных МОП-транзисторов U-MOS IX-H и представляет устройство с каналом n-типа в SMD-корпусе DSOP Advance с дву...

Последнее дополнение серии низковольтных устройств на основе технологического процесса U-MOS IX-H Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию низковольтных мощных МОП-транзисторов с каналом n-типа на основе технологии U-MOS IX-H и представляет новые устройства на 40 и 45 В, обладающ...

Новые приборы найдут применение в схемах светодиодной подсветки и жидкокристаллических дисплеях Объемный портфель диодов компании Toshiba Electronics Europe пополнился серий из шести диодов Шоттки с низкими обратными токами. Новые приборы CCS15F40, CUS15F40, CBS10F40, CUS10F40, CTS05F40 и CUS05F...

Снижают потери мощности и физические размеры источников питания Компания Mitsubishi Electric сообщила о начале промышленного производства гибридных карбид-кремниевых диодов Шоттки (SiC-SBD), конструкция которых основана на сочетании барьера Шоттки с p-n переходом (JBS). Выпрямители подобной стру...

На выставке Embedded World 2017 компания Diodes представила первый в отрасли двунаправленный 1800-ваттный ограничитель напряжения (TVS диод) D28V0H1U2P5Q, удовлетворяющий требованиям, предъявляемым к электронным устройствам для автоиндустрии. Устройство разработано для защиты чувствительных электро...

Компания Diodes разработала транзисторные сборки DMNH4015SSDQ и DMTH6016LSDQ с малым значением произведения заряда затвора на сопротивление открытого канала. Новые сдвоенные 40- и 60-вольтовые MOSFET с индуцированным каналом минимизируют потери мощности, позволяя создавать недорогие высокоэффективн...

Устройство с максимальным допустимым постоянным током стока 37.8 А и сопротивлением открытого канала 8.4 мОм в компактном корпусе PowerPAK SC-70 Vishay Intertechnology выпустила на рынок новый 30-вольтовый мощный n-канальный MOSFET, созданный с использованием четвертого поколения технологии Tren...

Более низкое энергопотребление благодаря управлению логическими уровнями 4.5 В для работы в схемах быстрой зарядки. Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию устройств U-MOS VIII-H и представляет два новых низковольтных мощных МОП-транзистора с каналом n-типа. МОП-транзисторы пред...

Выпущенный компанией STMicroelectronics (ST) полный набор 1200-вольтовых карбид-кремниевых (SiC) диодов с барьером Шоттки, рассчитанных на рабочие токи от 2 А до 40 А, расширит круг приложений, которые получат выигрыш от низких потерь переключения, быстрого восстановления и стабильных температурных...

STMicroelectronics (ST) анонсировала новые MOSFET в усовершенствованных корпусах PowerFLAT площадью 5×6 мм, двухстороннее охлаждение которых даст возможность увеличить плотность мощности в электронных блоках управления автомобилей. Новые MOSFET уже были выбраны компанией Denso – ведущим...

Второе поколение приборов соответствует требованиям стандарта AEC-Q101 для автомобильных приложений высокой мощности Компания Transphorm анонсировала второе поколение своей высоковольтной нитрид-галлиевой (GaN) технологии, изготовив транзисторы, которые впервые в отрасли успешно прошли стресс-те...

Компания Diodes представила новую серию диодов Шоттки SDT. Применение усовершенствованного технологического процесса с глубокими изолирующими канавками позволило создать устройства с превосходными характеристиками при такой же, или более низкой цене, чем у планарных аналогов. На первом этапе в семе...

Выпущенные STMicroelectronics (ST) миниатюрные одиночные TVS диоды (супрессоры) типоразмера 0201 быстро ограничивают броски напряжения всего от 7 В и выдерживают пиковые импульсные токи до 7 А, обеспечивая превосходную защиту и гибкость конструирования малогабаритных интеллектуальных устройств. Эти...

Компания Alpha and Omega Semiconductor (AOS) анонсировала первый прибор, изготовленный на новой технологической платформе αMOS5 – высоковольтный MOSFET AOTF190A60L. Транзистор AOTF190A60L оптимизирован для источников питания серверов, высокопроизводительных компьютеров, зарядных станций...

Компания SSDI выпустила новейший карбид-кремниевый (SiC) выпрямительный диод Шоттки SSR15C120D1. 15 амперный диод с допустимым пиковым обратным напряжением 1200 В заменяет устройства серии SSR05C100, превосходя их по величине выходного тока и обратного напряжения. SSR15C120 серийно выпускается в ко...

Характеристики устройств IHLP-1616BZ-0H нормируются для частот до 10 МГц, а потери имеют наименьшие значения среди всех дросселей составной конструкции, предназначенных для частот 1 МГц и выше Vishay Intertechnology представила первые низкопрофильные сильноточные дроссели для расширенного диапаз...

Семейства транзисторов MOSFET Infineon CoolMOS P7 и отладочные средства для них. Часть 1 Семейства транзисторов Infineon MOSFET CoolMOS™ P7 с рабочими напряжениями 700 и 800 В были разработаны для маломощных импульсных источников питания, основанных на обратноходовой топологии: адаптеров и зар...

Компания Bourns выпустила новую серию мостовых диодных выпрямителей, предназначенных для преобразования переменного тока в постоянный ток в силовых приложениях. Новая серия приборов для поверхностного монтажа, получившая обозначение CDTO269-BR1xL, отличается малыми потерями мощности, низким прямым...

Сочетание ультранизких коммутационных потерь, высокой эффективности и исключительной надежности, даже в условиях высоких рабочих температур Расширяя линейку полупроводниковых продуктов, компания Littelfuse представила свою первую серию карбид-кремниевых (SiC) MOSFET. В марте 2017 года Littelfuse...

Устройства с рабочими токами 20 А, 35 А, и 40 А высотой 1.3 мм и прямыми напряжениями от 0.44 В Развивая технологию TMBS (Trench MOS Barrier Schottky), Vishay Intertechnology выпустила новое семейство выпрямителей eSMP в корпусах для поверхностного монтажа SlimDPAK (TO-252AE). При лучших тепловы...

Устройства на 40 и 60 В с технологией U-MOS-IX-H в корпусе DPAK обладают исключительно низким RDS(ON) до 3.1 мОм. Компания Toshiba Electronics Europe представила новые мощные МОП-транзисторы на 40 и 60 В на основе собственного технологического процесса формирования канавки полупро...

Надежное, универсальное решение для приложений коммутации нагрузки в системах, поддерживающих USB PD, с расширенным диапазоном входных напряжений Alpha and Omega Semiconductor (AOS) сообщила о выпуске первого прибора нового семейства MOSFET. Усовершенствованный технологический процесс изготовлен...

МОП-транзистор на основе технологического процесса U-MOS-IX-H с каналом n-типа со встроенным диодом с мягким восстановлением прекрасно подходит для источников питания и приводов электродвигателей Компания Toshiba Electronics Europe расширила ассортимент МОП-транзисторов на основе собственного те...

Устройство с сопротивлением открытого канала 0.58 мОм при напряжении затвора 10 В и низким зарядом затвора 61 нКл в компактном корпусе PowerPAK SO-8 Vishay Intertechnology представила новый мощный 25-вольтовый N-канальный MOSFET, основанный на IV поколении технологии TrenchFET, с наименьшим для...

АО «Концерн «Созвездие» (в составе объединенного холдинга АО «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех) приняло участие в XVII Международной специализированной выставке «Радиоэлектроника и приборостроение», проводившейся в Санкт-Петербурге 21-23 ноября 2017 года...

17.01.2018

Дискретные компоненты, Интерфейсы

672

Миниатюрные диоды обеспечивают защиту от электростатических разрядов до 30 кВ Toshiba Electronics Europe представила новые двунаправленные TVS диоды DF2B7ASL для защиты линий проводных интерфейсов от электростатических разрядов в приложениях с жестко ограниченными размерами. S-образная во...

15.01.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

581

Предназначены для приложений с повышенными требованиями к надежности и управлению тепловыми режимами Littelfuse выпустила четыре новых серии 1200-вольтовых карбид-кремниевых (SiC) диодов Шоттки, расширивших ее семейство продуктов второго поколения, впервые появившееся на рынке в мае 2017 года....

06.02.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

622

Новые MOSFET серии U-MOS IX-H имеют самые низкие сопротивления каналов в своем классе приборов Toshiba Electronics Europe начала продажи двух новых 100-вольтовых N-канальных MOSFET, дополняющих серию низковольтных приборов U-MOS IX-H. Новые устройства идеально подходят для источников питания про...

13.02.2018

Дискретные компоненты

583

Компания Diodes объявила о выпуске самого совершенного в своей линейке продуктов ограничителя напряжения (TVS диода) DESD3V3Z1BCSF-7. Новый прибор предназначен для защиты от электростатических разрядов и бросков напряжения высокоскоростных входных и выходных портов современных систем на кристалле (С...

14.02.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

671

Оптимальный энергетический КПД, основанный на новейшей технологии корпусирования, устанавливает новый стандарт отрасли для приложений с большой плотностью мощности Alpha and Omega Semiconductor представила новый сдвоенный 25-вольтовый N-канальный MOSFET AONE36132, предназначенный для использован...

26.02.2018

Дискретные компоненты

785

В ходе осуществления опытно-конструкторской работы «Сила-И8» специалисты АО «Ангстрем» разработали 95 типов силовых транзисторов средней и большой мощности. Эти изделия заменяют более 1000 иностранных аналогов. Работа выполнялась по заданию Минпромторга в рамках государственн...

10.03.2018

Дискретные компоненты, Питание

565

Высокоэффективные ограничительные диоды для защиты линий питания в интерфейсах мобильных устройств Toshiba Electronics Europe начала массовое производство новой серии супрессоров (ограничителей напряжения) для защиты линий питания USB и разъемов питания, используемых в мобильных устройствах....

12.03.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

677

Обнародовав характеристики новых 120-амперных 650-вольтовых нитрид-галлиевых (GaN) E-HEMT транзисторов, канадская компания GaN Systems подтвердила свое лидирующее положение в отрасли мощных GaN приборов. Растущие уровни мощности порождают потребность во все более высоких рабочих токах. Поэтому много...

27.03.2018

Дискретные компоненты, Питание

582

В новых устройствах сочетаются высокий КПД и низкий уровень шумов Компания Toshiba объявила о начале производства серий 600-вольтовых планарных MOSFET, изготавливаемых по новой технологии, имеющей фирменное название «π-MOS IX». Приборы предназначены для импульсных источников питани...

01.05.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

636

Сопротивление открытого канала снижено благодаря использованию нового миниатюрного низкоомного корпуса Toshiba Electronics Europe расширила свою серию 40-вольтовых N-канальных автомобильных MOSFET, выпустив два новых прибора в низкоомном корпусе SOP Advance (WF) с размерами 5 мм × 6 мм. Тра...

24.04.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

514

350-вольтовые сверхминиатюрные мощные транзисторы EPC2050 с сопротивлением канала 65 мОм и максимальным током 26 А адресованы разработчикам силовых систем. Новые устройства идеально подходят для таких приложений, как многоуровневые преобразователи, зарядные устройства электрических транспортных сред...

25.04.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

491

Канадская компания GaN Systems представила самые сильноточные и энергоэффективные в отрасли 100-вольтовые GaN E-HEMT GS-010-120-1-T с сопротивлением открытого канала 5 мОм и максимальным током 120 А. По величине допустимого тока новый прибор в 1.3 раза превосходит 90-амперный транзистор, выпускаемый...

11.06.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

462

Infineon расширяет семейство 650-вольтовых IGBT, изготавливаемых по технологии TRENCHSTOP 5Infineon Technologies расширяет свое семейство IGBT, изготавливаемых на тонких пластинах по технологии TRENCHSTOP 5. В новое семейство приборов с интегрированными 40-амперными антипараллельными диодами вошли I...

07.06.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

515

Единственные в отрасли устройства, совместимые с посадочным местом корпуса Power-SO8 и отвечающие новым стандартам для оборудования с батарейным питанием Nexperia объявила о пополнении линейки MOSFET, выпускаемых в корпусах LFPAK56, двумя новыми приборами, с длинами путей утечки по корпусу и выв...

10.07.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

573

Изготовленные с использованием новейшей технологии транзисторы устанавливают новый отраслевой стандарт для приложений с высокой плотностью мощности Alpha and Omega Semiconductor выпустила новую транзисторную сборку AONX38168 из двух 25-вольтовых N-канальных MOSFET. В безвыводном корпусе XSPairFE...

06.08.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

546

Infineon Technologies приступила к производству 1200-вольтовых IGBT нового поколения TRENCHSTOP IGBT6. Это первые на рынке дискретные IGBT с обратным диодом, изготавливаемые на 12-дюймовых пластинах. Новая технология изготовления IGBT разработана для удовлетворения растущих требований потребителей к...

09.09.2018

Дискретные компоненты

480

АО «НИИЭТ» (в составе АО «Концерн «Созвездие») разработало новые мощные СВЧ GaN транзисторы ПП9139Б1. Основной сферой их применения является радиопередающая аппаратура. Транзисторы ориентированы на создание и модернизацию перспективных образцов существующих автоматизиро...

12.09.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

529

EPC2051 дает разработчикам силовых устройств 100-вольтовый мощный, но миниатюрный транзистор с импульсным током 37 А и сопротивлением канала 25 мОм. Новые устройства идеально подходят для таких приложений, как 48-вольтовые преобразователи энергии, лидары и светодиодные системы освещения. Компани...

18.09.2018

Дискретные компоненты, Авто

493

Меньшие потери и большие скорости переключения обеспечивают высокий КПД, компактные размеры и низкую стоимость решений ON Semiconductor расширила свое семейство карбидокремниевых (SiC) диодов Шоттки устройствами, созданными специально для тяжелых условий эксплуатации в автомобильном оборудовании...

23.09.2018

Дискретные компоненты

540

Компания Ampleon анонсировала выпуск мощного высоконадежного транзистора BLF189XRA, предназначенного для ЧМ радиовещательных передатчиков диапазона 88 – 108 МГц. Устройство работает при стандартном для отрасли напряжении питания 50 В, отдавая в нагрузку непрерывную мощность свыше 1600...

01.10.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

562

Позволяет создавать высокочастотные высокоэффективные системы управления питанием таких приложений, как электрические и гибридные транспортные средства, датацентры и вспомогательные источники питания Расширяя свой портфель SiC MOSFET, компания Littelfuse представила новый 1700-вольтовый прибор L...

07.10.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

449

Отсутствие компромисса между областью безопасной работы и рабочим КПД К семейству MOSFET NextPower Live, оптимизированных для работы в линейном режиме, Nexperia добавила новый прибор PSMN3R7-100BSE с лучшей в своем классе комбинацией области безопасной работы (Safe Operating Area – SOA) и...

15.10.2018

Дискретные компоненты, Силовая электроника

661

При питании ноутбуков и мобильных устройств выпрямители в корпусах TO-220AB могут пропускать токи от 30 А до 40 А Vishay Intertechnology представила четыре новых 100- и 120-вольтовых выпрямителя, основанных на технологии TMBS (Trench MOS Barrier Schottky), прямое падение напряжения на которых до...

29.01.2019

Дискретные компоненты, Силовая электроника

463

Устройство с суперпереходом снижает потери проводимости и переключения, повышая КПД телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений Vishay Intertechnology представила новейшее устройство в своем семействе 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения серии E. Обеспечивая высокий КПД ис...

29.01.2019

RF, Дискретные компоненты

404

Ampleon объявила о доступности нового 500-ваттного радиочастотного LDMOS транзистора BLC2425M10LS500P, предназначенного для работы в импульсном и непрерывном режимах в частотном диапазоне от 2400 МГц до 2500 МГц. Транзистор BLC2425M10LS500P, пригодный для использования в широком спектре промышленног...

14.02.2019

Дискретные компоненты, Силовая электроника

445

Незначительный обратный ток восстановления, высокая перегрузочная способность и максимальная рабочая температура перехода 175 °C Littelfuse представила две новых серии 650-вольтовых карбидокремниевых (SiC) диодов Шоттки, сертифицированных на соответствие стандарту AEC-Q101. В зависимости от...

19.02.2019

Дискретные компоненты, Силовая электроника, Авто

398

Сниженное на 48% сопротивление открытого канала, увеличенная до 300 Вт мощность Nexperia представила новые 40-вольтовые MOSFET с низкими сопротивлениями каналов, соответствующие требованиям стандарта AEC-Q101 и предназначенные для компактных силовых модулей, работающих в тяжелых условиях автомоб...

21.02.2019

Дискретные компоненты, Авто

444

Эффективное сдвоенное устройство, идеально подходящее для использования в драйверах светодиодных фар автомобилей Toshiba Electronics Europe выпустила сдвоенный MOSFET с высокими уровнями защиты от электростатических разрядов. Новый прибор SSM6N813R предназначен для использования в жестких услови...

26.02.2019

Дискретные компоненты

387

Компания Diodes сообщила о выпуске семейства NPN и PNP мощных биполярных транзисторов с повышенной плотностью мощности в миниатюрных корпусах размером 3.3 мм × 3.3 мм, предназначенных для приложений с напряжениями до 100 В и токами до 3 А. NPN и PNP транзисторы уменьшенного...

11.04.2019

Дискретные компоненты

409

Bourns анонсировала два новых семейства TVS диодов, сертифицированных на соответствие стандарту AEC-Q101. Эти семейства, получившие обозначения SM8S-Q и SM8SF-Q, содержат как однонаправленные, так и двунаправленные TVS диоды. Устройства предназначены для защиты от бросков напряжения, быстрых переход...

13.05.2019

Дискретные компоненты, Интерфейсы

387

Alpha and Omega Semiconductor (AOS) сообщила о выпуске TVS диода AOZ8661BDT-05, созданного на новейшей технологической платформе Super Low Cap (Сверхнизкая Емкость), и предназначенного для защиты линий высокоскоростных интерфейсов. Новый диод идеально подходит для таких приложений с USB Type-C, как...

23.05.2019

Дискретные компоненты, Силовая электроника

388

650-вольтовые GaN E-HEMT с рабочими токами 150 А и 80 А для рынков электрических транспортных средств, накопителей энергии и приводов промышленных двигателей GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с высокой подвижностью электронов (E-HEMT),...

27.05.2019

Дискретные компоненты, Силовая электроника, Авто

442

Компания Diodes представила выпрямительные диоды с «супер барьером» (Super Barrier Rectifier – SBR) SBR10M100P5Q и SBR8M100P5Q, изготовленные по запатентованной Diodes оригинальной технологии. Новые приборы, отвечающие требованиям автомобильных стандартов, могут значительно сократи...

05.06.2019

Дискретные компоненты, Интерфейсы, Безопасность

406

Littelfuse анонсировала расширение своей серии цифровых индикаторов температуры PolySwitch setP, предназначенных для защиты зарядных кабелей USB Type‑C и USB PD от опасного перегрева. Новейшее дополнение к семейству продуктов – SETP0805-100-CC – оптимизировано для использования в кабелях...

12.06.2019

Дискретные компоненты, Силовая электроника

404

Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество компонентов, перейдя от трехуровневой топологии, основанной на...

01.07.2019

Дискретные компоненты

410

01-07-2019Vishay VDRUSУстройства обеспечивают защиту потребительских устройств и промышленного оборудования от высоких и импульсных напряжений Vishay Intertechnology представила новую серию VDR металл-оксидных варисторов, сертифицированных для работы при температурах до +125 °C в соотве...

14.08.2019

Дискретные компоненты

401

SiSS22DNУстройство в корпусе PowerPAK 1212-8S, разработанное для стандартных драйверов затворов, имеет низкий заряд затвора 22.5 нКл и выходной заряд 34.2 нКл Vishay Intertechnology представила новый мощный 60-вольтовый n-канальный MOSFET в корпусе PowerPAK 1212-8S размером 3.3 м...

27.08.2019

Дискретные компоненты

372

HM66M HM78MЭкранированные SMD дроссели серий HM66M и HM78M с расширенным диапазоном рабочих температур и уменьшенными размерами идеально подходят для рынков промышленного и телекоммуникационного оборудования TT Electronics анонсировала две новых серии силовых дросселей для поверхностного монта...

31.10.2019

Дискретные компоненты

347

IGT40R070D1 E8220 IGLD60R190D1Infineon Technologies расширила серию транзисторов CoolGaN двумя новыми приборами. 400-вольтовое устройство CoolGaN (IGT40R070D1 E8220) предназначено для Hi-Fi аудиосистем премиум-класса, где потребители требуют воспроизведения мельчайших деталей своих звуковых дорож...

13.11.2019

Дискретные компоненты, Интерфейсы

338

DF2B5M4ASL DF2B6M4ASLСреди основных вариантов использования – защита высокоскоростных сигнальных линий в промышленных приложениях Toshiba Electronics Europe сообщила о доступности двух TVS диодов с низкой емкостью (диодов защиты от электростатических разрядов), поддерживающих высокоскоро...

04.12.2019

Дискретные компоненты, Силовая электроника

358

GAN063-650WSAПроверенный, надежный и масштабируемый технологический процесс, готовый к использованию в массовом производстве Nexperia объявила о выходе на рынок нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов со своим первым высоконадежным 650-вольтовым устройством GAN063-650WSA с напряжением затво...

20.12.2019

Дискретные компоненты

329

SiSF20DNУстройство, предназначенное для двунаправленной коммутации в 24-вольтовых системах, имеет лучшее в своем классе сопротивление исток-исток и самое низкое в отрасли сопротивление на единицу площади корпуса Vishay Intertechnology выпускает на рынок новый сдвоенный 60-вольтовый n-канальный...

24.12.2019

Дискретные компоненты, Аудио

341

MAF1608GAD-L Запатентованная TDK технология ферритового материала с низкими искажениями обеспечивает высокое качество звука. Большой номинальный ток от 2 А для умных колонок и внешних динамиков. Корпорация TDK расширила свою серию фильтров подавления помех MAF двумя новыми приборами...

28.01.2020

Дискретные компоненты

344

TMBS2- и 3-амперные устройства с обратными напряжениями от 45 В до 200 В и прямым падением напряжения до 0.36 В Vishay Intertechnology расширила перечень предлагаемых SMD выпрямительных Trench MOS выпрямительных диодов с барьером Шоттки шестнадцатью новыми 2- и 3-амперными устрой...

12.03.2020

Дискретные компоненты

315

CoolMOS S7Infineon Technologies разработала решения для приложений с самыми высокими требованиями, предъявляемыми к эффективности и качеству. Недавно выпущенное семейство 600-вольтовых продуктов CoolMOS S7 прокладывает путь к увеличению плотности мощности и повышению КПД таких приложений, где MOSF...

24.04.2020

Дискретные компоненты

259

Простые в использовании корпуса для массового производства носимых устройств Nexperia выпустила серию MOSFET в ультраминиатюрных корпусах DFN0606, предназначенных для мобильных и портативных приложений, включая носимые устройства. Транзисторы имеют самые низкие для своих размеров значения сопроти...

22.05.2020

Датчики, Дискретные компоненты

342

B82801A1Корпорация TDK представляет новую серию компактных токоизмерительных трансформаторов EPCOS, монтируемых на поверхность печатной платы. Устройства предназначены для измерения токов до 7 А в диапазоне частот от 50 Гц до 1 МГц. В серию B82801A1 входят трансформаторы девяти типо...

26.05.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника, Высоковольтные

297

AOK065V120X2Тепловые и импульсные характеристики, оптимизированные для высокоэффективных приложений Alpha and Omega Semiconductor анонсировала выпуск нового 1200-вольтового карбидокремниевого (SiC) MOSFET, изготовленного на технологической платформе αSiC. Эта технология следующего поколен...

03.06.2020

Дискретные компоненты

283

DMN3012LEGКомпания Diodes сообщила о доступности первого прибора из нового поколения дискретных MOSFET. При меньших размерах транзистор DMN3012LEG за счет повышенной эффективности обеспечивает значительную экономию средств, мощности и места на плате для широкого спектра приложений преобразования э...

18.06.2020

Дискретные компоненты

302

PMEG120G10ELR PMEG120G20ELP PMEG120G20ELR PMEG120G30ELPСертифицированные по стандарту AEC-Q101 устройства с обратными напряжениями 120 В, 150 В и 200 В сочетают в себе лучшие атрибуты диодов Шоттки и быстровосстанавливающихся диодов Nexperia анонсировала ряд новых кремний-герм...

25.06.2020

Дискретные компоненты, Интерфейсы

290

RClamp3371ZCНовый TVS диод компании Semtech с ультранизкой емкостью обеспечивает лучшую в отрасли защиту высокоскоростных линий данных от разрядов статического электричества Компания Semtech анонсировала новейшее дополнение к своей платформе RClamp. RClamp3371ZC превосходит отраслевые стандарты...

28.06.2020

Дискретные компоненты

247

Компания Panasonic анонсировала существенное расширение серии пленочных конденсаторов ECWFG: на сегодняшний день диапазон рабочих напряжений серии составляет 630…1100 В (DC). Серия ECWFG поддерживает уникальную функцию микропредохранителей. Полипропиленовые конденсаторы безындуктивного...

09.07.2020

Дискретные компоненты

285

SiZF300DTСдвоенное устройство с интегрированным диодом Шоттки увеличивает плотность мощности и КПД, занимая на плате на 65% меньше места, чем корпуса 6 мм × 5 мм Vishay Intertechnology представила новый 30-вольтовый полумостовой силовой каскад на основе MOSFET, в компактном корп...

09.07.2020

Дискретные компоненты

362

BLF974P BLF978PКомпания Ampleon объявила о появлении двух новых 50-вольтовых приборов в семействе высокоэффективных мощных Si LDMOS транзисторов радиочастотного диапазона девятого поколения. Транзисторы BLF978P и BLF974P, разработанные для использования в радиочастотных усилителях сверхвысокой мо...

29.07.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

277

Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых транзисторов CoolSiC и галлий-нитридных транзисторов CoolGaN. Компания Infineon в...

04.08.2020

Дискретные компоненты, Светотехника, Авто

287

ZXTP56020FDBQ ZXTP56060FDBQКомпания Diodes объявила о выпуске сдвоенных PNP транзисторов ZXTP56060FDBQ и ZXTP56020FDBQ, соответствующих требованиям стандартов автомобильной электроники. Эти новые продукты предоставляют OEM-производителям высокоэффективное решение для управления матричными светоди...

26.08.2020

Дискретные компоненты

290

PAM8823Компания Diodes представила высокоэффективный цифровой аудио усилитель класса D PAM8823 с выходной мощностью 25 Вт в режиме стерео и 50 Вт в режиме моно, имеющий вход I2S и предназначенный для управления стереодинамиками, соединенными мостом. При воспроизведении музыки в режи...

27.08.2020

Дискретные компоненты

328

SiRA99DPУстройство, предлагаемое в корпусе PowerPAK SO-8, имеет лучшее в своем классе произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала Vishay Intertechnology представила первый в мире мощный 30-вольтовый p-канальный MOSFET, имеющий сопротивление открытого канала 1.7 мОм при на...

01.09.2020

Дискретные компоненты

270

XPN12006NC XPN3R804NC XPN6R706NC XPN7R104NCУстройства, сертифицированные на соответствие требованиям стандартов автоэлектроники, снижают энергопотребление для повышения топливной экономичности автомобиля Toshiba Electronics Europe разработала серию новых высокоэффективных N-канальных MOSFET...

02.09.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

311

CoolSiC CoolGaN CoolMOSИсточники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, свойственные Si-ключам. В ста...

08.09.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

273

AONS32310Alpha and Omega Semiconductor анонсировала выпуск 30-вольтового MOSFET AONS32310 с низким сопротивлением открытого канала и широкой областью безопасной работы (Safe Operating Area, SOA), который идеально подходит для таких ответственных приложений, как схемы горячей замены и электронные п...

14.09.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

273

EPC2215 EPC2207Эти 200-вольтовые eGaN полевые транзисторы нового поколения идеальны для синхронных выпрямителей с выходным напряжением 48 В, аудиоусилителей класса D, солнечных микроинверторов и оптимизаторов, а также многоуровневых высоковольтных AC/DC преобразователей EPC улучшает...

17.09.2020

Дискретные компоненты, Авто

279

SRF4530AНовая серия синфазных чип дросселей SRF4530A является оптимальным решением для подавления помех в широком спектре приложений высокотемпературной электроники Bourns представила новую серию синфазных чип дросселей для шины CAN. Новые дроссели, состоящие из ферритового сердечника и бифиляр...

28.09.2020

Дискретные компоненты

240

SiSS94DNУстройство в корпусе площадью 10.89 мм2 имеет типовое сопротивление открытого канала 61 мОм и показатель качества 854 мОм·нКл Vishay Intertechnology представила новый 200-вольтовый n-канальный MOSFET с самым низким в отрасли типовым сопротивлением открытого канала...

06.10.2020

Дискретные компоненты

248

ПП9139Б1АО «НИИЭТ» продолжает расширять номенклатуру мощных СВЧ GaN-транзисторов. Предприятие получило патент на топологию 100-ваттной GaN-транзисторной структуры L-, S- диапазонов частот с напряжением питания 28 В со сложной структурой затворной шины. Об этом сообщил технический...

12.10.2020

Дискретные компоненты

260

SP1250-01ETGLittelfuse анонсировала выпуск новой серии 50-амперных однонаправленных матриц TVS диодов. По сравнению с решениями, доступными в настоящее время на рынке, новые матрицы TVS SP1250-01ETG обеспечивают лучшую защиту за счет более низкого напряжения ограничения и низкого тока утечки, зани...

14.10.2020

Дискретные компоненты

265

CBRDFA4-100Central Semiconductor представила 4-амперный 1000-вольтовый двухполупериодный выпрямитель CBRDFA4-100 с кристаллом, пассивированным стеклом. Прибор, упакованный в прочный низкопрофильный эпоксидный корпус BR DFN-A высотой 1.55 мм, идеально подходит для источников питания и устройст...

19.10.2020

Дискретные компоненты

189

SiZ240DTУстройство в компактном корпусе PowerPAIR размером 3.3 мм × 3.3 мм с сопротивлением открытого канала всего 8.05 мОм и зарядом затвора 6.5 нКл Vishay Intertechnology представила новый 40-вольтовый полумостовой силовой каскад на n-канальных MOSFET, который обеспе...

26.10.2020

Дискретные компоненты

292

BLF989EКомпания Ampleon выпустила мощный радиочастотный транзистор BLF989E, изготавливаемый на основе новейшего высоковольтного (50 В) технологического процесса LDMOS девятого поколения. BLF989E был разработан для использования в высокоэффективных усилителей Догерти, необходимых для следующег...

27.10.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника, Высоковольтные

267

TW070J120BУстройство позволяет значительно сократить потери, повысив, тем самым, КПД преобразователей энергии Toshiba Electronics Europe выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) MOSFET для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники питания с входным напряжением 400 В A...

28.10.2020

Дискретные компоненты, Питание

236

IHVR-4024KE-51Устройство с вертикальной установкой в компактном корпусе типоразмера 4024 имеет вдвое меньшее сопротивление постоянному току, чем обычные силовые дроссели, и при этом экономит место на печатной плате Vishay Intertechnology представила новый сильноточный дроссель для повышения КПД...

02.11.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

239

IQE013N04LM6 IQE013N04LM6CGДля достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным инновациям с усовершенствов...

11.11.2020

Дискретные компоненты, Авто

255

SQJ264EPКомпактное устройство размером 5 мм × 6 мм сократит занимаемую площадь и повысит КПД импульсных источников питания в автомобильных приложениях Vishay Intertechnology представила n-канальный 60-вольтовый MOSFET, который является первым в отрасли устройством такого рода в двойном ас...

18.11.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

221

Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того же карбида кремния – решения для бортовых и внешних зарядных устройс...

19.11.2020

Дискретные компоненты

225

AOTL125A60Оптимизированы для мощных источников питания серверов и солнечных инверторов с высокой плотностью монтажа Alpha and Omega Semiconductor (AOS) анонсировала выпуск быстродействующего 600-вольтового MOSFET с суперпереходом в корпусе TOLL для поверхностного монтажа. Высоковольтный MOSFET,...

22.11.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

243

EPC2059EPC предлагает разработчикам 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059 с сопротивлением открытого канала 6.8 мОм – более миниатюрный, эффективный, надежный и дешевый, чем устройства, доступные в настоящее время Новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059 с сопротивлением о...

25.11.2020

Дискретные компоненты

179

За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC практически до уровня их кремниевых собратьев. Использова...

30.11.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

271

BLP2425M10S250PAmpleon анонсировала выпуск мощного 250-ваттного радиочастотного транзистора BLP2425M10S250P для твердотельных систем приготовления пищи, а также для промышленных, научных и медицинских (ISM) приложений, использующих диапазон частот от 2400 МГц до 2500 МГц. Транзист...

07.12.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

222

SiHH070N60EFN-канальное устройство четвертого поколения, снижая потери проводимости и переключения, увеличивает КПД системы питания Vishay Intertechnology дополнила новым устройством семейство 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения серии EF с быстродействующим паразитным диодом. N-канальный...

23.12.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

185

С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС драйверов затвора из линейки EiceDRIVER, основанных на одном вых...

29.12.2020

Дискретные компоненты, Силовая электроника

252

Alpha and Omega Semiconductor анонсирует новые MOSFET с широкой областью безопасной работы AOTL66518 AOB66518LAlpha and Omega Semiconductor (AOS) объявила о выпуске новых 150-вольтовых MOSFET AOTL66518 и AOB66518L с низкими сопротивлениями открытых каналов и широкой областью безопасной работы (SOA...

10.01.2021

Дискретные компоненты

210

Новые высокотемпературные бесснабберные симисторы компании STMicroelectronics повысят надежность приложений 8HДопустимый рабочий ток выпущенных STMicroelectronics 800-вольтовых симисторов не снижается даже при максимальной температуре перехода 150 °C, что позволяет до 50% уменьшить площадь...

13.01.2021

Дискретные компоненты, Силовая электроника, Авто

220

Vishay выпускает 100-вольтовый p-канальный автомобильный MOSFET с лучшим в своем классе сопротивлением открытого канала SQJ211ELPПервое в отрасли устройство в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5 мм × 6 мм с выводами типа «крыло чайки» с сопротивлением открытого...

13.01.2021

Дискретные компоненты

218

Быстрые диоды 6-го поколения для лидеров!В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1 до 50 А. Отличит...

04.02.2021

Дискретные компоненты

176

Nexperia выпускает компактное устройство защиты для линий данных высокоскоростных интерфейсов PUSB3BB2DF PESD5V0C2BDF PESD4V0Z2BCDFЛучшая в своем классе защита от электростатических разрядов для интерфейсов USB3.2 и HDMI2.1 Nexperia анонсировала три новых защитных устройства TrEOS, обеспечиваю...

22.02.2021

Дискретные компоненты, Силовая электроника

188

ON Semiconductor анонсирует новые 650-вольтовые SiC MOSFET NVBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 NVH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1Превосходные коммутационные характеристики и повышенная надежность обеспечивают увеличение плотности мощности в различных сложных приложениях ON Semiconductor анонсировала н...

01.03.2021

Дискретные компоненты, Силовая электроника, Авто

208

Nexperia расширяет семейство MOSFET полумостов LFPAK56D BUK7V4R2-40H BUK9V13-40HВ компактном полумосте LFPAK56D, предназначенном для использования в трансмиссии, системах управления двигателем и DC/DC преобразователях, на 60% снижена паразитная индуктивность и улучшены тепловые характеристики N...

09.03.2021

Дискретные компоненты, Силовая электроника

177

Infineon анонсирует StrongIRFET 2 - новое поколение силовых MOSFET IPP016N08NF2S IPP019N08NF2S IPP024N08NF2S IPP026N10NF2S IPP040N08NF2S IPP050N10NF2S IPP055N08NF2S IPP082N10NF2S IPP129N10NF2SInfineon представила транзисторы StrongIRFET 2 – новое поколение силовых MOSFET с допустимыми...

17.03.2021

Дискретные компоненты, Силовая электроника

178

Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC - шаг навстречу энергоэффективному и экологичному мируОбобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств....

17.03.2021

Дискретные компоненты

149

«Росэлектроника» выпустила 5-миллиардный герконХолдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех выпустил пятимиллиардный геркон. Изделия экспортируются в 55 стран мира, обеспечивая долю в 14% глобального рынка. Герконы широко применяются в бытовой технике, автомобильной, медицинской и...

09.04.2021

Дискретные компоненты, Авто

200

Vishay выпускает лучший в мире 80-вольтовый P-канальный автомобильный MOSFET SQJA81EPСертифицированное по стандарту AEC-Q101 устройство с лучшим в отрасли фактором качества в компактном корпусе PowerPAK SO-8L с выводами в виде крыла чайки Vishay Intertechnology представила лучший в мире p-каналь...

23.04.2021

Дискретные компоненты, Интерфейсы

178

Vishay Intertechnology выпустила сдвоенные двунаправленные защитные диоды со сверхнизкой емкостью VBUS05M2-HT5Устройство обеспечивает сверхнизкую емкость с типовым значением 0.37 пФ для защиты интерфейсов в коммерческих и автомобильных приложениях Vishay Intertechnology выпустила новый сдво...

05.05.2021

Дискретные компоненты

176

TDK предлагает сверхминиатюрные TVS диоды для высокоэффективной защиты от электростатических разрядов CSP01005 CSP0201Корпорация TDK выпустила крошечные мощные TVS диоды для защиты от электростатических разрядов, расширив семейство своих компонентов для двунаправленной защиты от перенапряжений инт...

10.05.2021

Дискретные компоненты, Интерфейсы, Авто

185

TDK анонсирует новые синфазные дроссели для автомобильных интерфейсов CAN-FD ACT1210DКомпактные низкопрофильные устройства для широкого диапазона температур от –40 °C до +150 °C обеспечивают исключительные частотные зависимости S-параметров Корпорация TDK объявляет о разр...

20.05.2021

Дискретные компоненты

166

Vishay представляет новую серию прецизионных тонкопленочных резисторов P2TC P2TCУстройства в корпусах пяти типоразмеров от 0402 до 2010 работают в температурном диапазоне от –55 °C до +155 °C и рассеивают мощность до 1 Вт Vishay Intertechnology представила новые высо...

25.05.2021

Дискретные компоненты, Интерфейсы

151

STMicroelectronics выпускает сверхминиатюрный TVS диод для защиты линий автомобильных интерфейсовСдвоенный TVS диод ESDCAN03-2BM3Y компании STMicroelectronics предназначен для защиты линий интерфейсов CAN и CAN-FD. Сертифицированное для автомобильной промышленности устройство в крошечном корпусе име...

31.05.2021

Дискретные компоненты, Авто

198

Новые 40-вольтовые MOSFET от Nexperia обеспечат высочайшую плотность мощности в автомобильных и промышленных приложениях BUK7S0R5-40H PSMNR55-40SSHNexperia анонсировала выпуск новых 40-вольтовых мощных MOSFET с сопротивлениями открытых каналов 0.55 мОм в высоконадежных корпусах LFPAK88, предн...

08.06.2021

Дискретные компоненты, Силовая электроника

169

UnitedSiC анонсирует шесть новых SiC полевых транзисторов в корпусах D2PAK-7L UF3C065080B7S UF3C120150B7S UF3SC065030B7S UF3SC120040B7SПродолжая расширять свой портфель полевых транзисторов, UnitedSiC представила шесть новых 650- и 1200-вольтовых приборов, размещенных в стандартном для отрасли к...

16.06.2021

Дискретные компоненты, Интерфейсы

172

Alpha and Omega представляет TVS-диоды с высоким рабочим напряжением и сверхнизкой емкостью OZ8S303BLS-24 AOZ8S305BLS-24Идеально подходят для защиты интерфейсов USB 4, Thunderbolt 3 и PCI Express в компьютерах и мобильных телефонах Alpha and Omega Semiconductor (AOS) представила серию...

10.11.2021

Дискретные компоненты

139

40 В MOSFET семейства OptiMOS 5 с нормальным уровнем сигнала на затвореКомпания Infineon представила 40-вольтные MOSFET семейства OptiMOS 5. Данные транзисторы относятся к категории Normal Level MOSFET и имеют повышенное значение порогового напряжения (по сравнению с другими низковольтными MOSFET),...

07.12.2021

Дискретные компоненты

135

В МИЭТе разработали транзисторы для силовой электроникиОсновным направление развития силовой электроники в мире в последние годы является развитие технологий широкозонных полупроводников. Такая технология прежде всего необходима для сверхмощных и сверхвысоковольтных приборов, работающих в диапазоне...

01.02.2022

Дискретные компоненты

139

Nexperia анонсировала семейство стабилитронов с рабочими токами 50 мкА BZX8450 BZX38450 BZX58550 BZX8850SNexperia анонсировала выпуск широкого ассортимента слаботочных стабилитронов. 50-микроамперные устройства доступны в трех различных типах корпусов для поверхностного монтажа, в сверхминиатюрн...

09.02.2022

Дискретные компоненты, Инструменты и технологии

148

НИИЭТ создаст доступное по цене оборудование для лабораторийВ прошлом году воронежский Научно-исследовательский институт электронной техники отметил свой 60-летний юбилей. Но и 2022 год для предприятия тоже юбилейный: 40 лет назад НИИЭТ начал проводить испытания электронной компонентн...

04.04.2022

Дискретные компоненты

131

Делает и показывает НИИЭТ — GaN силовые транзисторыВ новом выпуске «Делает и показывает НИИЭТ» инженер-технолог III категории Павел Пролубников познакомит вас с силовыми транзисторами по технологии GaN на кремнии. Вы узнаете, какими преимуществами обладают данные транзисторы и в каких сф...

21.11.2022

Дискретные компоненты, Микроконтроллеры

97

АО «НИИЭТ» приступил к разработке серии микроконтроллеров для гражданского рынкаВоронежский НИИ электронной техники приступил к реализации нового комплексного проекта «Разработка и освоение в серийном производстве серии 32-разрядных микроконтроллеров» с использованием программы субсидиро...

20.12.2022

Дискретные компоненты, Силовая электроника

129

EPC начала поставки 150- и 200-вольтовых GaN МОП-транзисторов с самыми низкими в отрасли сопротивлениями открытых каналов EPC2304 EPC2305Компания EPC представила 150- и 200-вольтовые GaN МОП-транзисторы EPC2305 и EPC2304 с сопротивлениями открытых каналов 3 мОм и 5 мОм, соответствен...

26.01.2023

Дискретные компоненты

94

АО «НИИЭТ» в сотрудничестве с АО «Светлана-Рост» завершило разработку серии из двух полностью отечественных мощных СВЧ GaN-транзисторовТранзисторы предназначены для работы в S-диапазоне частот и характеризуются выходной мощностью 14 и 90 Вт при компрессии коэффициента усиления на 1 дБ...

07.04.2023

Дискретные компоненты, Силовая электроника

84

НИИ электронной техники запустил в серийное производство силовые GaN-транзисторы серии ТНГ-КВоронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах. НИИЭТ...

20.11.2023

Дискретные компоненты

72

Аналогов нет. В АО «НИИЭТ» созданы новые LDMOS транзисторы КП9171АВ 2019 году на всей территории Российской Федерации завершился переход с аналогового на цифровой формат телевещания. Произошло это в рамках федеральной целевой программы «Развитие телерадиовещания в Российской Федерации на 2009...

23.11.2023

Дискретные компоненты

62

Toshiba выпускает первый 30-вольтовый сдвоенный n-канальный MOSFET с объединенными стоками SSM10N961LНовое устройство обеспечивает двунаправленную передачу мощности в приложениях USB Toshiba Electronics Europe выпустила свой первый 30-вольтовый сдвоенный n-канальный MOSFET с объединенными стокам...

19.01.2024

Дискретные компоненты

48

АО «НИИЭТ» приступает к реализации нового проекта по импортозамещениюСегодня перед российской авиационной промышленностью в условиях санкций, запретивших поставки новых и обслуживание используемых иностранных самолетов, поставлена задача нарастить долю отечественных лайнеров с нынешних 33% до 81% и...

06.02.2024

Дискретные компоненты, Питание

51

Bel Fuse предлагает первые в отрасли самовосстанавливающиеся предохранители для поверхностного монтажа, рассчитанные на переменное напряжение 240 В 0ZAFКомпания Bel Fuse анонсировала выпуск первых в отрасли самовосстанавливающихся предохранителей PPTC в исполнении для поверхностного монтажа, рассчи...

07.03.2024

Дискретные компоненты

51

EPC анонсировала первый GaN полевой транзистор с сопротивлением открытого канала 1 мОм EPC2361Компания EPC представляет 100-вольтовый GaN полевой транзистор EPC2361 с сопротивлением открытого канала 1 мОм в компактном корпусе QFN размером 3 мм × 5 мм, обеспечивающий б...

20.05.2024

Дискретные компоненты, Телевидение

38

АО «НИИЭТ» завершило испытания транзисторов для телевиденияНаучно-исследовательский институт электронной техники (входит в Группу «Элемент») являясь ведущим отечественным разработчиком мощных СВЧ-транзисторов, в частности, специализируется на разработке и производстве транзисторов для пе...

30.05.2024

Дискретные компоненты

34

Сделано на Микроне: три транзистора Trench MOSFET для силовой электроники сертифицированы МТППЛинейка изделий для систем управления Trench MOSFET Микрона, крупнейшего производителя российской микроэлектроники (входит в группу компаний «Элемент»), резидента ОЭЗ «Технополис Москва&ra...

01.07.2024

Дискретные компоненты, Светотехника

24

«Росэлектроника» разработала миниатюрные светодиоды для подсветки бортовой аппаратурыХолдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех завершил разработку миниатюрных светодиодов поверхностного монтажа под шифром «Капля». По техническим параметрам изделия не уступают импортным ан...