Увеличение производительности серверов и персональных компьютеров (ПК) ведет к росту энергопотребления. Это ставит перед разработчиками задачу повышения эффективности AC/DC-преобразователей и увеличения их плотности мощности при одновременном снижении себестоимости. Компания Infineon представила новые 40-В и 60-В приборы OptiMOS™. Новое семейство силовых MOSFET – это новый стандарт плотности мощности, эффективности и коммутационных характеристик. Новые транзисторы позволяют разработчикам создавать блоки питания, параметры которых соответствуют самым современным требованиям.
Это оказывается возможным благодаря снижению сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) на 35% и показателя качества FOM (RDS(on) × Qg) на 45%, по сравнению с аналогами. Увеличение эффективности и значительное снижение выбросов напряжения обеспечивается монолитным интегрированным диодом, подобным диоду Шоттки, в 40-В корпусе SuperSO8 (5 × 6 мм). В свою очередь, это снижает необходимость в снабберных цепочках и позволяет сократить трудозатраты и стоимость разработки.
Компания Infineon – первый производитель полупроводниковых приборов, выпустивший 1-мОм, 40-В MOSFET в корпусе SuperSO8. Такие параметры позволяют вдвое снизить число MOSFET в каскаде синхронного выпрямления 1000-Вт источника питания для сервера, так как отпадает необходимость в их параллельном включении, что, в свою очередь, ведет к существенному росту плотности мощности.
Новые приборы оптимизированы для синхронного выпрямления в импульсных источниках питания, подобных тем, что используются в серверах и настольных ПК. Кроме того, они идеально подходят для многих промышленных приложений, таких как управление электродвигателями или высокочастотные DC/DC-преобразователи. Новые MOSFET с улучшенными характеристиками также выгодно использовать в приборах на солнечных батареях. В типичных фотогальванических топологиях, таких как понижающая/ повышающая для устройств оптимизации питания или резонансная мостовая для микроинверторов, важны как RDS(on), так и характеристики переключения. Использование в микроинверторе солнечной батареи 60-В транзистора BSC016N06NS в корпусе SuperSO8 позволяет при 20%-ной нагрузке увеличить КПД на 1.5%.
Особенности
Высочайшая энергоэффективность – снижение потерь на 10%
Самое низкое по сравнению с аналогами сопротивление канала в открытом состоянии
Увеличение производительности серверов и персональных компьютеров (ПК) ведет к росту энергопотребления. Это ставит перед разработчиками задачу повышения эффективности AC/DC-преобразователей и увеличения их плотности мощности при одновременном снижении себестоимости. Компания Infineon представила новые 40-В и 60-В приборы OptiMOS™. Новое семейство силовых MOSFET – это новый стандарт плотности мощности, эффективности и коммутационных характеристик. Новые транзисторы позволяют разработчикам создавать блоки питания, параметры которых соответствуют самым современным требованиям.
Это оказывается возможным благодаря снижению сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) на 35% и показателя качества FOM (RDS(on) × Qg) на 45%, по сравнению с аналогами. Увеличение эффективности и значительное снижение выбросов напряжения обеспечивается монолитным интегрированным диодом, подобным диоду Шоттки, в 40-В корпусе SuperSO8 (5 × 6 мм). В свою очередь, это снижает необходимость в снабберных цепочках и позволяет сократить трудозатраты и стоимость разработки.
Компания Infineon – первый производитель полупроводниковых приборов, выпустивший 1-мОм, 40-В MOSFET в корпусе SuperSO8. Такие параметры позволяют вдвое снизить число MOSFET в каскаде синхронного выпрямления 1000-Вт источника питания для сервера, так как отпадает необходимость в их параллельном включении, что, в свою очередь, ведет к существенному росту плотности мощности.
Новые приборы оптимизированы для синхронного выпрямления в импульсных источниках питания, подобных тем, что используются в серверах и настольных ПК. Кроме того, они идеально подходят для многих промышленных приложений, таких как управление электродвигателями или высокочастотные DC/DC-преобразователи. Новые MOSFET с улучшенными характеристиками также выгодно использовать в приборах на солнечных батареях. В типичных фотогальванических топологиях, таких как понижающая/ повышающая для устройств оптимизации питания или резонансная мостовая для микроинверторов, важны как RDS(on), так и характеристики переключения. Использование в микроинверторе солнечной батареи 60-В транзистора BSC016N06NS в корпусе SuperSO8 позволяет при 20%-ной нагрузке увеличить КПД на 1.5%.
Особенности
Применение