Современные 600-вольтовые IGBT серии V, изготовленные компанией STMicroelectronics (ST) по технологии trench-gate field-stop, имеют гладкие и «бесхвостые» характеристики выключения, низкие напряжения насыщения до 1.8 В и максимальную рабочую температуру перехода до 175 °С, что позволяет повышать энергетическую эффективность систем, работать на более высокой частоте переключения и упростить тепловую и электромагнитную конструкцию.
Новые транзисторы компании ST улучшают коммутационные характеристики и максимальную рабочую частоту, устраняя обычный для IGBT «хвост» тока после выключения. Для повышения быстродействия и улучшения рассеивания тепла приборы изготавливаются на ультратонких кристаллах.
Фирменная оптимизированная технология trench-gate field-stop обеспечивает улучшенную тепловую устойчивость, позволяя использовать прибор при температуре до 175 °С. Строгий контроль таких параметров, как напряжение насыщения, позволяет безопасно соединять параллельно несколько IGBT для повышения плотности тока и эффективности в открытом состоянии.
Новые IGBT чрезвычайно устойчивы к высоким значениям скорости нарастания напряжения. Совместно с транзистором в корпус упакован сверхбыстрый диод с мягким восстановлением, что минимизирует потери энергии при выключении. Также, для более чувствительных к стоимости приложений, доступны варианты без встроенного диода.
IGBT серии V на ток от 20 до 80 А выпускаются в корпусах TO-3P, TO-3PF, TO-220, TO-220FP, TO-247 или D2PAK. STGW40V60DF на 40 А/600 В в корпусе TO-247 доступен по цене $2.80 при объемах заказов более 1000 штук.
Современные 600-вольтовые IGBT серии V, изготовленные компанией STMicroelectronics (ST) по технологии trench-gate field-stop, имеют гладкие и «бесхвостые» характеристики выключения, низкие напряжения насыщения до 1.8 В и максимальную рабочую температуру перехода до 175 °С, что позволяет повышать энергетическую эффективность систем, работать на более высокой частоте переключения и упростить тепловую и электромагнитную конструкцию.
Новые транзисторы компании ST улучшают коммутационные характеристики и максимальную рабочую частоту, устраняя обычный для IGBT «хвост» тока после выключения. Для повышения быстродействия и улучшения рассеивания тепла приборы изготавливаются на ультратонких кристаллах.
Фирменная оптимизированная технология trench-gate field-stop обеспечивает улучшенную тепловую устойчивость, позволяя использовать прибор при температуре до 175 °С. Строгий контроль таких параметров, как напряжение насыщения, позволяет безопасно соединять параллельно несколько IGBT для повышения плотности тока и эффективности в открытом состоянии.
Новые IGBT чрезвычайно устойчивы к высоким значениям скорости нарастания напряжения. Совместно с транзистором в корпус упакован сверхбыстрый диод с мягким восстановлением, что минимизирует потери энергии при выключении. Также, для более чувствительных к стоимости приложений, доступны варианты без встроенного диода.
IGBT серии V на ток от 20 до 80 А выпускаются в корпусах TO-3P, TO-3PF, TO-220, TO-220FP, TO-247 или D2PAK. STGW40V60DF на 40 А/600 В в корпусе TO-247 доступен по цене $2.80 при объемах заказов более 1000 штук.