Компания IXYS начала производство новых XPT (Extreme Light Punch Through) IGBT транзисторов с номинальными токами от 100 до 210 А при температуре 25 °С. IGBT имеют отличные характеристики:
напряжение насыщения (Vcesat) – до 1.8 В,
низкое время спада тока (tfi) – до 42 нс,
малую энергию выключения (Eoff) – до 0.48 мДж.
Транзисторы имеют прямоугольную безопасную рабочую зону обратного смещения (RBSOA) и расширенную безопасную рабочую зону прямого смещения (FBSOA), что положительно сказывается на надежности их работы.
Транзисторы производятся в двух модификациях по диапазону рабочей частоты. Модификация B3 оптимизирована для работы на частотах 10…30 кГц, а модификация C3 на частотах 20…60 кГц. Так же есть модификации с встроенным анти-параллельными быстрыми диодами серии Sonic-FRDTM (индекс H1, например IXXK100N60C3H1) и серии HiPerFREDTM (индекс D1, например IXXH50N60C3D1). Нужно отметить повышенную рабочую температуру (до 175 °С) и положительный температурный коэффициент напряжения насыщения. Это позволяет легко применять параллельное подключение нескольких XPT транзисторов для достижения нужной мощности.
Благодаря своим характеристикам, эти транзисторы идеальны для применения в инверторах, устройствах бесперебойного питания (UPS), устройствах управления электродвигателями, корректорах коэффициента мощности (PFC), зарядных устройства, сварочных аппаратах, балластах для газоразрядных ламп и др.
Компания IXYS начала производство новых XPT (Extreme Light Punch Through) IGBT транзисторов с номинальными токами от 100 до 210 А при температуре 25 °С. IGBT имеют отличные характеристики:
Транзисторы имеют прямоугольную безопасную рабочую зону обратного смещения (RBSOA) и расширенную безопасную рабочую зону прямого смещения (FBSOA), что положительно сказывается на надежности их работы.
Транзисторы производятся в двух модификациях по диапазону рабочей частоты. Модификация B3 оптимизирована для работы на частотах 10…30 кГц, а модификация C3 на частотах 20…60 кГц. Так же есть модификации с встроенным анти-параллельными быстрыми диодами серии Sonic-FRDTM (индекс H1, например IXXK100N60C3H1) и серии HiPerFREDTM (индекс D1, например IXXH50N60C3D1). Нужно отметить повышенную рабочую температуру (до 175 °С) и положительный температурный коэффициент напряжения насыщения. Это позволяет легко применять параллельное подключение нескольких XPT транзисторов для достижения нужной мощности.
Краткие характеристики новых XPT IGBT:
Тип
VCES
(В)
IC25
Tc=25 ºC
(А)
IC110
Tc=110 ºC
(А)
Vcesat
max
(В)
tfi
typ
(нс)
Еoff typ
TJ=125ºC
(мДж)
RthJC
max
(°C/Вт)
Конфигурация
Корпус
IXXH100N60B3
600
210
100
1.8
150
2.80
0.18
Одиночный
TO-247
IXXK100N60B3H1
600
190
100 (90 ºC)
1.8
150
2.80
0.18
Встроенный Sonic-FRD диод
TO-264
IXXH50N60C3
600
100
50
2.3
42
0.48
0.25
Одиночный
TO-247
IXXH50N60C3D1
600
100
50
2.3
42
0.48
0.25
Встроенный HiPerFRED диод
TO-247
IXXH100N60C3
600
190
100
2.2
75
1.40
0.18
Одиночный
TO-247
IXXK100N60C3H1
600
170
100 (90 ºC)
2.2
75
1.40
0.18
Встроенный Sonic-FRD диод
TO-264
TO-247
TO-264
Благодаря своим характеристикам, эти транзисторы идеальны для применения в инверторах, устройствах бесперебойного питания (UPS), устройствах управления электродвигателями, корректорах коэффициента мощности (PFC), зарядных устройства, сварочных аппаратах, балластах для газоразрядных ламп и др.
ЭЛТЕХ