В линейку автомобильных MOSFET Toshiba добавлен новый 250-вольтовый транзистор TK20F25D в корпусе TO-220SM(W), отличающиеся низком тепловом сопротивлении, полученным за счет использования особой конструкции медной выводной рамки. Прибор предназначен для приложений, в которых не могут использоваться обычные транзисторы с напряжением сток-исток от 100 до 150 В.
Полярность
Наименование
UСИ, В
IС, A
Технология
N-канал
TK20F25D
250
20
π-MOS VII
Особенности:
Низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии (по сравнению с аналогами при таких же условиях): 100 мОм (макс.) при UЗИ = 10 В
Широкая область безопасной работы
Конструкция медной выводной рамки корпуса TO-220SM(W) уменьшает тепловое сопротивление (примерно на 50% по сравнению с соответствующими аналогами)
В линейку автомобильных MOSFET Toshiba добавлен новый 250-вольтовый транзистор TK20F25D в корпусе TO-220SM(W), отличающиеся низком тепловом сопротивлении, полученным за счет использования особой конструкции медной выводной рамки. Прибор предназначен для приложений, в которых не могут использоваться обычные транзисторы с напряжением сток-исток от 100 до 150 В.
Особенности:
Приложения: