International Rectifier представила технологическую платформу IGBT последнего поколения
25.11.2012

International Rectifier представила первое семейство биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), изготовленных на новейшей технологической платформе Gen8. Предназначенные для промышленных и энергосберегающих приложений транзисторы с допустимым коллекторным напряжением 1200 В имеют лучший в своем классе параметр VCE(ON), позволяющий сократить потери мощности, увеличить плотность компоновки и повысить надежность систем.

International Rectifier - Gen8 1200V IGBT

Новая технология обеспечивает более мягкие характеристики выключения, идеальные для приложений управления электродвигателями и снижающие электромагнитные излучения и выбросы напряжения за счет минимизации параметра dv/dt. Узкая область разброса характеристик гарантирует отличное токораспределение при параллельном включении нескольких IGBT в сильноточных модулях. Использование тонких полупроводниковых пластин улучшает тепловое сопротивление приборов и дает возможность поднять рабочую температуру перехода до 175 °C.

Технические характеристики

Прибор
VCES
IC
(ном.)
VCE(ON)
(тип.)
Корпус
1200 В
10 А
1.7
Кристалл на пленке
15 А
25 А
35 А
40 А
50 А
75 А
100 А
150 А
200 А

Доступность

Образцы приборов семейства Gen8 1200V поставляются главным OEM и ODM партнерам International Rectifier.

Подробнее >>

Реклама