MOSFET EPAD следующего поколения расширяют диапазон рабочих режимов оборудования с низким напряжения питания
Advanced Linear Devices (ALD) анонсировала выпуск первых в отрасли малосигнальных прецизионных согласованных сборок MOSFET с независимыми выводами управления каждым из четырех транзисторов, размещенных в одном корпусе. Эти инновационные приборы откроют новые возможности создателям следующих поколений устройств сбора энергии и маломощных мобильных устройств.
Прецизионные сборки N-канальных MOSFET ALD210800A/ALD210800 с нулевым напряжением порога устанавливают новые отраслевые стандарты проходной и выходной проводимости. Изготавливаемые по разработанной ALD КМОП технологии EPAD, сборки позволят конструкторам создавать схемы с ультранизкими, никогда ранее не доступными напряжениями питания.
Следующие уникальные особенности приборов могут изменить традиционные правила игры для схемотехников:
Пороговое напряжение затвора VGS(TH) с высокой точностью установлено на уровне 0.00 В ±0.01 В
Независимое управление каждым транзистором прибора изменит подход к разработке схем благодаря возможности индивидуальной установки входных и выходных характеристик.
Прецизионные сборки N-канальных MOSFET ALD210800A/ALD210800 дадут разработчикам возможность сократить количество аккумуляторов, необходимых для их мобильных устройств. Уникальная гибкость новых устройств позволит повысить энергоэффективность медицинских приборов, улучшить качество звучания головных телефонов премиум-класса и потребительских устройств, расширить рабочий диапазон устройств сбора энергии, повысить чувствительность сенсорных матриц и поднять на новый уровень качества еще множество низковольтных микромощных приложений.
Конструкторы, использующие сборки ALD210800A/ALD210800, смогут создавать многокаскадные схемы, работающие при экстремально низких напряжениях питания и смещения. Теперь появляется возможность построить нановаттный входной каскад усилителя, работающий при напряжении питания менее 0.2 В, – это новый рекорд отрасли.
Технологические особенности
Новые сборки ALD210800A/ALD210800, фактически, на новом качественном уровне продолжают линейку согласованных пар MOSFET ALD110800A/ALD110800 – первых в отрасли приборов с нулевым напряжением порога, предназначенных для создания устройств с ультра низким напряжением питания. Первостепенное внимание разработчики транзисторов уделяли согласованию характеристик MOSFET. В результате были созданы приборы с исключительно точным пороговым напряжением затвора 0.00 В ±0.01 В, током стока +10 мкА при напряжении сток-исток 0.1 В и типовым напряжением смещения ±1 мВ.
Кроме того, транзисторы ALD210800A/ALD210800 могут использоваться в качестве универсальных элементов самых различных аналоговых узлов, таких, как токовые зеркала, схемы согласования, источники тока, входные каскады дифференциальных усилителей, передаточные логические элементы и мультиплексоры. Приоритетными областями применения приборов могут быть также приложения с ограниченным рабочим напряжением, например, фиксаторы уровней очень малых напряжений и постоянно включенные схемы с нановаттным потреблением мощности.
Характеристики каждого отдельного MOSFET строго контролируются в процессе изготовления, что позволяет гарантировать идентичность параметров даже для приборов из разных производственных партий. Приборы, создававшиеся с акцентом на минимизацию напряжения смещения и чувствительности к температуре, могут использоваться в усилительных и переключательных схемах с напряжением питания от +0.1 В до +10 В (от ±0.05 до ±5 В), требующих низких токов смещения, малых входных емкостей и высоких скоростей переключения. Транзисторы сборок работают в режиме обогащения при VGS > 0.00 В и в обедненном режиме при VGS < 0.00 В.
MOSFET EPAD следующего поколения расширяют диапазон рабочих режимов оборудования с низким напряжения питания
Advanced Linear Devices (ALD) анонсировала выпуск первых в отрасли малосигнальных прецизионных согласованных сборок MOSFET с независимыми выводами управления каждым из четырех транзисторов, размещенных в одном корпусе. Эти инновационные приборы откроют новые возможности создателям следующих поколений устройств сбора энергии и маломощных мобильных устройств.
Прецизионные сборки N-канальных MOSFET ALD210800A/ALD210800 с нулевым напряжением порога устанавливают новые отраслевые стандарты проходной и выходной проводимости. Изготавливаемые по разработанной ALD КМОП технологии EPAD, сборки позволят конструкторам создавать схемы с ультранизкими, никогда ранее не доступными напряжениями питания.
Следующие уникальные особенности приборов могут изменить традиционные правила игры для схемотехников:
Влияние на схемотехнику
Независимое управление каждым транзистором прибора изменит подход к разработке схем благодаря возможности индивидуальной установки входных и выходных характеристик.
Прецизионные сборки N-канальных MOSFET ALD210800A/ALD210800 дадут разработчикам возможность сократить количество аккумуляторов, необходимых для их мобильных устройств. Уникальная гибкость новых устройств позволит повысить энергоэффективность медицинских приборов, улучшить качество звучания головных телефонов премиум-класса и потребительских устройств, расширить рабочий диапазон устройств сбора энергии, повысить чувствительность сенсорных матриц и поднять на новый уровень качества еще множество низковольтных микромощных приложений.
Конструкторы, использующие сборки ALD210800A/ALD210800, смогут создавать многокаскадные схемы, работающие при экстремально низких напряжениях питания и смещения. Теперь появляется возможность построить нановаттный входной каскад усилителя, работающий при напряжении питания менее 0.2 В, – это новый рекорд отрасли.
Технологические особенности
Новые сборки ALD210800A/ALD210800, фактически, на новом качественном уровне продолжают линейку согласованных пар MOSFET ALD110800A/ALD110800 – первых в отрасли приборов с нулевым напряжением порога, предназначенных для создания устройств с ультра низким напряжением питания. Первостепенное внимание разработчики транзисторов уделяли согласованию характеристик MOSFET. В результате были созданы приборы с исключительно точным пороговым напряжением затвора 0.00 В ±0.01 В, током стока +10 мкА при напряжении сток-исток 0.1 В и типовым напряжением смещения ±1 мВ.
Кроме того, транзисторы ALD210800A/ALD210800 могут использоваться в качестве универсальных элементов самых различных аналоговых узлов, таких, как токовые зеркала, схемы согласования, источники тока, входные каскады дифференциальных усилителей, передаточные логические элементы и мультиплексоры. Приоритетными областями применения приборов могут быть также приложения с ограниченным рабочим напряжением, например, фиксаторы уровней очень малых напряжений и постоянно включенные схемы с нановаттным потреблением мощности.
Характеристики каждого отдельного MOSFET строго контролируются в процессе изготовления, что позволяет гарантировать идентичность параметров даже для приборов из разных производственных партий. Приборы, создававшиеся с акцентом на минимизацию напряжения смещения и чувствительности к температуре, могут использоваться в усилительных и переключательных схемах с напряжением питания от +0.1 В до +10 В (от ±0.05 до ±5 В), требующих низких токов смещения, малых входных емкостей и высоких скоростей переключения. Транзисторы сборок работают в режиме обогащения при VGS > 0.00 В и в обедненном режиме при VGS < 0.00 В.