Freescale представила мощные высокочастотные LDMOS транзисторы, позволяющие охватить все полосы частот беспроводных базовых станций
25.04.2011

Freescale Semiconductor представила два мощных высокочастотных LDMOS транзистора, которые позволят в передатчиках беспроводных базовых станций охватить все каналы выделенной полосы частот. Благодаря высокоэффективные транзисторам, появится возможность сократить капитальные и эксплуатационные затраты и увеличить гибкость сетевого оборудования.

Мгновенная полоса частот большинства сегодняшних усилителей ограничена интервалом от 20 до 40 МГц, и в каждом канале используется отдельный усилитель. Увеличение беспроводного трафика стимулирует тенденцию к расширению полосы пропусканию усилительных систем, вплоть до всей ширины выделенного диапазона. Новые мощные LDMOS транзисторы радиочастотного диапазона демонстрируют убедительное сочетание высокой линейности, высокого КПД, широкой мгновенной полосы частот и большой мощности, расширяющее мгновенную полосу сигнала до рекордного для отрасли уровня 160 МГц и делающее эти приборы идеальными для усилительных систем следующего поколения.

Транзисторы MRF8P20165WH/S предназначены для работы в полосе частот 1930 … 1995 МГц диапазона PCS, а MRF8P20140WH/S – в полосе 1880 .. 2025 МГц TD-SCDMA диапазонов F и A. Транзисторы дадут возможность поддерживать соответствующие спектры с помощью единственного усилителя. Это значительно уменьшит количество усилителей мощности в многополосных базовых станциях и позволит сетевым операторам консолидировать приборы и оборудование для уменьшения эксплуатационных расходов.

Freescale Semiconductor - MRF8P20165WH/S,  MRF8P20140WHS/S

Транзисторы MRF8P20165WH/S и MRF8P20140WH/S удовлетворяют требованиям для стандартов PCS и TD-SCDMA и демонстрируют КПД не менее 43.7% при усилении множественных несущих, разнесенных на 65 МГц (PCS) и 10 МГц (TD-SCDMA). Оба прибора, разработанных по схемотехнике «dual-path», могут работать в оконечных каскадах усилителей Доэрти, где для усиления основного и пикового сигналов, фактически, используются различные усилители.

Основные характеристики:

 
MRF8P20165WH/S
MRF8P20140WH/S
Полоса
1930…1995 МГц
1880…2025 МГц
Средняя мощность при отношении
пикового уровня сигнала к среднему 9.9 дБ
37 Вт
24 Вт
КПД стока
47.7%
43.7%
Типовое усиление
16.3 дБ
16 дБ

Оба прибора сконструированы для использования в конфигурации усилителя Доэрти с коррекцией цифровыми предыскажениями. Они чрезвычайно прочны и могут работать в условиях рассогласования импедансов с КСВ 10:1 при напряжении питания 32 В и входном сигнале, вдвое превышающем рекомендованные значения. Транзисторы имеют внутренние согласующие цепи с малыми емкостями, что упрощает конструирование схем, а также, встроенную защиту от электростатических разрядов, повышающую устойчивость к блуждающим токам, которые могут возникать в соединительных линиях.

Приборы имеют широкий диапазон допустимых напряжений затвор-исток (–6 … 10 В), увеличивающий эффективность их использования в усилителях класса C. Транзисторы упаковываются в корпуса NI-780-4 и NI-780S-4 фирмы Freescale.

Подробнее >>

Реклама