International Rectifier анонсировала выпуск семейства надежных и эффективных биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), предназначенных для работы при напряжении до 1200 В в устройствах индукционного нагрева, бесперебойных источниках питания, преобразователях солнечных батарей и в сварочном оборудовании.
В новом семействе сверхбыстродействующих IGBT с рабочим напряжением 1200 В используется технология Field-Stop Trench изготовления кристаллов на тонких пластинах, значительно уменьшающая потери переключения и проводимости, увеличивающая плотность мощности и эффективность на более высоких частотах. Это семейство является дальнейшим развитием приборов, оптимизированных для применений, не требующих устойчивости к коротким замыканиям, и дополняет ранее разработанною группу транзисторов с быстродействием 10 мс, предназначенных для управления электромоторами.
Перекрывая широкий диапазон токов от 20 до 50 А для корпусированных приборов и до 150 А для бескорпусных, характеристики транзисторов отличаются широкой областью безопасной работы при обратном смещении, положительным температурным коэффициентом и малым падением напряжения в открытом состоянии. Приборы позволяют уменьшить тепловые потери и получить бóльшую плотность мощности. Помимо этого, устройства могут поставляться как со встроенными диодами со сверхмалым временем восстановления, так и без них. Для достижения наилучших температурных характеристик, повышения надежности и эффективности, возможна, также, поставка транзисторов в кристаллах, снабженных металлизацией для пайки.
International Rectifier анонсировала выпуск семейства надежных и эффективных биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), предназначенных для работы при напряжении до 1200 В в устройствах индукционного нагрева, бесперебойных источниках питания, преобразователях солнечных батарей и в сварочном оборудовании.
В новом семействе сверхбыстродействующих IGBT с рабочим напряжением 1200 В используется технология Field-Stop Trench изготовления кристаллов на тонких пластинах, значительно уменьшающая потери переключения и проводимости, увеличивающая плотность мощности и эффективность на более высоких частотах. Это семейство является дальнейшим развитием приборов, оптимизированных для применений, не требующих устойчивости к коротким замыканиям, и дополняет ранее разработанною группу транзисторов с быстродействием 10 мс, предназначенных для управления электромоторами.
Перекрывая широкий диапазон токов от 20 до 50 А для корпусированных приборов и до 150 А для бескорпусных, характеристики транзисторов отличаются широкой областью безопасной работы при обратном смещении, положительным температурным коэффициентом и малым падением напряжения в открытом состоянии. Приборы позволяют уменьшить тепловые потери и получить бóльшую плотность мощности. Помимо этого, устройства могут поставляться как со встроенными диодами со сверхмалым временем восстановления, так и без них. Для достижения наилучших температурных характеристик, повышения надежности и эффективности, возможна, также, поставка транзисторов в кристаллах, снабженных металлизацией для пайки.
Технические характеристики
Доступность и цена
Цена на IRG7PH35UPBF начинается от $3.00 при покупке партиями 10000 приборов. Транзисторы отгружаются со склада в промышленных количествах немедленно.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман
На английском языке: IR's Reliable, Ultra-fast 1200V IGBTs Significantly Reduce Switching and Conduction Losses to Deliver Higher Overall System Efficiency