Boise, Idaho, 9 декабря, 2002. Micron Technology объявила о начале опытного производства микросхем флэш-памяти с многоуровневыми ячейками емкостью 128 Мбит. Новые микросхемы получили фирменное название Q-Flash. Micron уже поставляет данные чипы емкостью 32 и 64 Мбит, которые кстати полностью совмес...

Micron лидирует в разработке технологий чипов памяти следующего поколения и их производстве 23 декабря, 2002г. - Micron Technology, Inc., продемонстрировала первые чипы 1 Гигабит (Gb) синхронной динамической памяти (SDRAM) с удвоенной скоростью обмена данными (DDR), выполненные по 0,11 мкм техпроце...

Micron выводит на рынок 2-х мегабитную HarmonyTM память7 января, 2003г. - Micron Technology объявила о выпуске 2-х мегабитного модуля HarmonyTM тройной ассоциативной памяти (TCAM), работающего на 66 МГц, 83 МГц и 100МГц частотах. HarmonyTM 2-х мегабитный модуль представляется собой высокопроизводит...

Камера типа "система-в-чипе" и автономный сенсор идеально подходят для быстро растущего мобильного рынка 17 февраля, 2003г. - Micron Technology, Inc., анонсировала образцы камеры типа "система-в-чипе" (SoC) с маломощным CMOS сенсором VGA- разрешения (MI-SOC-0343) и автономные CMOS сенсоры (MI-03...

Micron разрабатывает технологии производства памяти следующего поколения 19 марта, 2003 г.- Micron Technology, Inc., выпустила первый 4Гигабайтный DDR SDRAM DIMM модуль памяти для Intel Corporation. Выпуск модуля такого размера произведен благодаря недавно представленным 1Гб DDR266 SDRAM микросх...

Micron продемонстрировала модуль 512Mb DDR400 на платформе PC3200 на выставке JEDEX Micron Technology, Inc., ввела в производство и представила на выставке JEDEX, проходившей 24-25 марта 2003 г. в Silicon Valley Conference Center, новый 512Mb DDR400 модуль, произведенный по 0.11mm технологии и пол...

Компания Micron Technology анонсировала два новых CMOS-сенсора с высоким разрешением. Сенсор MT9P001 имеет разрешение 5 Мп, а MT9T012 - 3,1 Мп. В новых сенсорах используется патентованная технология DigitalClarity, которая обеспечивает чёткие и яркие снимки с пониженным уровнем шумов, а также долго...

Новый 5 мегапиксельный сенсор от компании Micron MT9P401 расширяет линейку высокопроизводительных сенсоров, совместимых со стандартом HDTV. Это сенсор, оснащенный технологией Digital Clarity, выполненный в оптическом формате 1/2.5 дюйма и имеющий разрешение 2592 х 1944 точек. Он имеет следующие...

Данный сенсор изображения MT9V033 доступен как в цветном, так и в монохромном вариантах. Обладает расширенным динамическим диапазоном (HDR), что особенно важно для получения качественного изображения при работе камеры в условиях с различной степенью освещенности. Современные камеры систем видеонабл...

Сенсор изображения MT9P014 5MP фирмы Aptina Imaging отвечает возрастающим требованиям к качеству. Данный сенсор имеет высокую частоту кадровой развертки и высокоскоростной последовательный интерфейс. Изделие также имеет высокую чувствительность и с легкостью встраивается в уже существующие системы....

Компания Micron Technology представляет NAND-flash память с последовательным доступом по шине SPI на скорости до 2.64 Мб/с. Новая разработка имеет объем 1 Гбит и позволяет дешево и просто наращивать объемы памяти во встраиваемых системах, предлагая наилучшее соотношения цена/бит. В последнее время...

Компания Micron Technology представила высокоэффективную мобильную память LPDDR2 (low power DDR2), которая призвана увеличить производительность и снизить энергопотребление мобильных устройств, таких как телефоны, смартфоны, КПК. LPDDR2 является совместной разработкой компаний Micron Technology и N...

Компания Aptina, ведущий поставщик КМОП-сенсоров для всех производителей мобильных телефонов, анонсировала выпуск 8 МП матрицы MT9E013. Новейший сенсор с размером пикселя 1.4 мкм и оптическим форматом 1/3.2. обладает превосходными характеристиками и качеством изображения. Оптический формат 1/3.2. п...

Компания Micron Technology анонсировала производство высокоемких микросхем памяти типа BA NAND (Block Abstracted NAND). BA NAND представляет собой комбинацию многоуровневой флэш-памяти (MLC NAND) и контроллера памяти в одном корпусе. Контроллер реализует алгоритм, выравнивающий среднее количество ц...

Общее описание Micron Technology представила экономичную DDR3 память с высокой пропускной способностью. SODIMM-модули на базе этой памяти удовлетворяют двум основным требованиям разработчиков мобильной техники, в частности ноутбуков : низкая потребляемая мощность и высокая производительность....

IBM и Micron Technology объявили о том, что Micron начнет выпуск нового устройства памяти, впервые построенного по коммерческой КМОП технологии TSV (through-silicon vias – в приблизительном переводе «сквозные связи через кремний»). Усовершенствованный процесс создания микросх...

Компании Intel и Micron совместно разработали первое NAND флеш-устройство на 128 Гб с многоуровневой структурой ячеек (MLC) с использованием технологического процесса 20 нм. IM Flash Technologies, совместное предприятие Intel и Micron, также начало выпуск NAND флеш-памяти на 64 Гб. Восе...

Новая трехуровневая ячейка NAND памяти (TLC) большой емкости обеспечивает высокий уровень технических характеристик: Концентрированный баланс цены, емкости и технических характеристик При той же емкости, что и MLC NAND площадь, кристалла снижена на 28% Ори...