Micron разрабатывает технологии производства памяти следующего поколения
19 марта, 2003 г.- Micron Technology, Inc., выпустила первый 4Гигабайтный DDR SDRAM DIMM модуль памяти для Intel Corporation. Выпуск модуля такого размера произведен благодаря недавно представленным 1Гб DDR266 SDRAM микросхемам, произведенным по 0,11µм техпроцессу в JEDEC-стандартном 400 mil TSOP корпусе.
Micron производит 1Гб DDR266 SDRAM микросхемы по 0,11µм техпроцессу, применяя стековые конденсаторы, который является наиболее совершенным на данный момент в отрасли. Применение такого техпроцесса позволяет уместить больше ячеек памяти на единице площади, что приводит к снижению стоимости микросхем.
Micron разрабатывает технологии производства памяти следующего поколения
19 марта, 2003 г.- Micron Technology, Inc., выпустила первый 4Гигабайтный DDR SDRAM DIMM модуль памяти для Intel Corporation. Выпуск модуля такого размера произведен благодаря недавно представленным 1Гб DDR266 SDRAM микросхемам, произведенным по 0,11µм техпроцессу в JEDEC-стандартном 400 mil TSOP корпусе.
Micron производит 1Гб DDR266 SDRAM микросхемы по 0,11µм техпроцессу, применяя стековые конденсаторы, который является наиболее совершенным на данный момент в отрасли. Применение такого техпроцесса позволяет уместить больше ячеек памяти на единице площади, что приводит к снижению стоимости микросхем.