Полевые транзисторы КП801 - КП840 | Справочник по полевым транзисторам
КП101-КПС203 | КП301-КП312 | КП313-3П330 | 3П331-КП350 | КП931-КП948 | КП501-3П608 | КП150-КП640 |
КП701-КП730 | КП731-КП771 | КП801-КП840 | КП901-3П930 | КП931-КП950 | КП951-КП973 | Полевые сборки |
Транзистор | Iз/Uз нА/В |
Cвх пф |
Cпр пф |
Cвых пф |
Uзи/IсU0 В/mАВ |
Uзс В |
Uзи В |
Uси В |
Iс мА |
P мвт |
Тип/ Канал |
КП801А КП801Б КП801В КП801Г |
300мкА | -25 | 100 130 100 |
35 35 35 40 |
65 95 140 |
5 2.5 8 8 |
60 30 100 100 |
P-N/N | |||
КП802А КП802Б |
10мкА | 25 28 |
535 480 |
35 30 |
500 450 |
2.5 | 40 | P-N/N | |||
КП803А КП803Б |
20 | 20 | 85 | 3.525 4.025 |
1010 810 |
30 | 1000 800 |
60 | МДП/N | ||
КП804А | 200 | 25 | 100 | 20 | 60 | 1/4 | 2 | МДП/N | |||
КП809А КП809Б КП809В КП809Г КП809Д КП809Е КП809А1 КП809Б1 КП809В1 КП809Г1 КП809Д1 КП809Е1 |
100мкА | 3000 | 220 | 405 | 20 | 400 500 600 700 800 750 400 500 600 700 800 750 |
25 20 15 15 10 8 25 20 15 15 10 8 |
100 100 100 100 100 100 50 50 50 50 50 50 |
МДП/N | ||
КП812А1 КП812Б1 КП812В1 |
100/20 | 1900 | 170 | 920 | 20 | 60 | 50/200 35/190 35/190 |
100 | МДП/N | ||
КП813А-Б КП813А1-Б1 |
100/20 | 2700 | 240 | 540 | 20 | 200 | 22/88 | 125 | МДП/N | ||
КП820 | 100/20 | 360000 | 37000 | 92000 | 20 | 500 | 2.5/8 | 50 | МДП/N | ||
КП830 | 100/20 | 610000 | 68000 | 160000 | 20 | 500 | 4.5/18 | 74 | МДП/N | ||
КП840 | 100/20 | 1300 | 120000 | 310000 | 20 | 500 | 8/32 | 125 | МДП/N |
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов
|
---|
Резисторы | Конденсаторы | Индуктивности | Динамики | Разъемы | Кабели |
Диоды | Стабилитроны | Варикапы | Тиристоры | Транзисторы | Оптроны |
Микроконтроллеры [ КР1878ВЕ1, PIC ] | Микросхемы | SMD |