PHB10N40E Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты

PHB10N40E - 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated

PHB10N40E datasheet - 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated



Название/Part No:
PHB10N40E

Описание/Description:
400 V, power MOS transistor avalanche energy rated

Производитель/Maker:
NXP Semiconductors (PHILIPS)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

PHB10N40E и другие

Компонент Описание Производитель PDF
PHB10N40
PowerMOS transistor
NXP Semiconductors
PHB10N40E
400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
NXP Semiconductors

Реклама