HAT2285WP_10 Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


HAT2285WP_10 - Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching




Название/Part No:
HAT2285WP_10

Описание/Description:
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

Производитель/Maker:
Renesas Technology Corp (RENESAS)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


HAT2285WP_10 и другие

Компонент Описание Производитель PDF
HAT2285WP_10
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
Renesas Technology Corp

Реклама