CFY25-23 Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


CFY25-23 - GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)




Название/Part No:
CFY25-23

Описание/Description:
GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)

Производитель/Maker:
Siemens Semiconductor Group (SIEMENS)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


CFY25-23 и другие

Компонент Описание Производитель PDF
CFY25-20
GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
Siemens Semiconductor Group
CFY25-20
HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
Infineon Technologies AG
CFY25-20P
HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
Infineon Technologies AG
CFY25-23
HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
Infineon Technologies AG
CFY25-23
GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
Siemens Semiconductor Group
CFY25-23P
HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
Infineon Technologies AG

Реклама