11.02.2018

RF

575

Integra Technologies анонсировала выпуск полностью согласованного GaN/SiC транзистора, отдающего мощность 50 Вт в частотном диапазоне 5…6 ГГц. Изготавливаемый на карбид-кремниевой подложке нитрид-галлиевый HEMT транзистор IGT5259L50 с 50-омным согласованием входа и выхода, предназначе...