Транзисторы OptiMOS с ориентацией кристалла истоком вниз могут стать новым стандартом в изготовлении MOSFET
OptiMOS
Традиционно производители дискретных силовых полупроводниковых приборов добиваются улучшения ключевых характеристик за счет усовершенствования кристалла. Однако специалисты компании Infineon добились впечатляющих результатов, сориентировав кристалл в корпусе истоком вниз. Такая ориентация кристалла применена, например, в серии MOSFET OptiMOS.
Как показали результаты исследований специалистов Infineon, для уменьшения потерь при преобразовании иногда достаточно всего лишь изменить ориентацию кристалла транзистора внутри его корпуса.
Новый способ сборки MOSFET, при котором их кристаллы ориентируются истоком вниз, в ближайшем будущем имеет все шансы стать отраслевым стандартом, а пока данная технология применяется лишь в некоторых продуктах компании Infineon, одними из которых являются уже успевшие завоевать широкую популярность транзисторы семейства OptiMOS.
Транзисторы OptiMOS с ориентацией кристалла истоком вниз могут стать новым стандартом в изготовлении MOSFET
OptiMOS
Традиционно производители дискретных силовых полупроводниковых приборов добиваются улучшения ключевых характеристик за счет усовершенствования кристалла. Однако специалисты компании Infineon добились впечатляющих результатов, сориентировав кристалл в корпусе истоком вниз. Такая ориентация кристалла применена, например, в серии MOSFET OptiMOS.
Как показали результаты исследований специалистов Infineon, для уменьшения потерь при преобразовании иногда достаточно всего лишь изменить ориентацию кристалла транзистора внутри его корпуса.
Новый способ сборки MOSFET, при котором их кристаллы ориентируются истоком вниз, в ближайшем будущем имеет все шансы стать отраслевым стандартом, а пока данная технология применяется лишь в некоторых продуктах компании Infineon, одними из которых являются уже успевшие завоевать широкую популярность транзисторы семейства OptiMOS.
Подробнее »