Toshiba сообщила о разработке 2 Гб микросхемы флэш-памяти NAND, являющейся, по ее утверждению, самым емким на текущий момент подобным компонентом, выполненном на одном кристалле (при ее изготовлении применяется 0,13-микронная технология). Помимо этого, компания анонсировала 4-гигабитовые модули флэш-памяти NAND, которые состоят из двух описанных выше чипов, заключенных в одном корпусе TSOP (Thin Small Outline Package).
Как отмечается Toshiba, из четырех таких модулей можно сделать карту CompactFlash емкостью 2 Гб.
Образцы 2 Гб микросхем доступны уже сейчас, а поставки образцов 4 Гб модулей планируется начать в следующем месяце.
Toshiba сообщила о разработке 2 Гб микросхемы флэш-памяти NAND, являющейся, по ее утверждению, самым емким на текущий момент подобным компонентом, выполненном на одном кристалле (при ее изготовлении применяется 0,13-микронная технология). Помимо этого, компания анонсировала 4-гигабитовые модули флэш-памяти NAND, которые состоят из двух описанных выше чипов, заключенных в одном корпусе TSOP (Thin Small Outline Package).
Как отмечается Toshiba, из четырех таких модулей можно сделать карту CompactFlash емкостью 2 Гб. Образцы 2 Гб микросхем доступны уже сейчас, а поставки образцов 4 Гб модулей планируется начать в следующем месяце.
Подробнее >>