Увеличенный путь утечки по корпусу и уменьшенная высота для приложений с ограничениями по объему
Toshiba сообщила о начале производства новых оптронов с транзисторными выходами в низкопрофильных 4-выводных корпусах SO6L. При максимальной высоте всего лишь 2.3 мм оптроны TLP385 становятся на 45% ниже приборов в корпусах DIP4, что сделает их привлекательными для использования в разработках с ограничениями по высоте конструкции. Оптоизоляторы найдут применение в материнских платах компьютеров, программируемых логических контроллерах, сетевых адаптерах, интерфейсных платах ввода/вывода, интерфейсах инверторов и в источниках питания общего назначения.
Новый оптрон Toshiba имеет такие же характеристики изоляции, как и эквивалентные устройства в корпусах DIP4 F (с увеличенным расстоянием между выводами), обеспечивая длины путей утечки по корпусу и по выводам не менее 8 мм и минимальное напряжении изоляции 5 кВ с.к.з.
Основные характеристики:
Коэффициент передачи тока: 50 … 600 при IF=5 мА, VCE = 5 В
Время выключения (типовое): 40 мкс при IF = 16 мА
Диапазон рабочих температур: –55 … 110 °C
Напряжение изоляции: 5 кВ с.к.з.
Стандарты безопасности: UL, cUL, VDE, CQC
Новые оптроны с транзисторными выходами уже доступны потребителям. По всем вопросам, связанным получением образцов и информации о ценах, необходимо обращаться в офисы продаж Toshiba.
Увеличенный путь утечки по корпусу и уменьшенная высота для приложений с ограничениями по объему
Toshiba сообщила о начале производства новых оптронов с транзисторными выходами в низкопрофильных 4-выводных корпусах SO6L. При максимальной высоте всего лишь 2.3 мм оптроны TLP385 становятся на 45% ниже приборов в корпусах DIP4, что сделает их привлекательными для использования в разработках с ограничениями по высоте конструкции. Оптоизоляторы найдут применение в материнских платах компьютеров, программируемых логических контроллерах, сетевых адаптерах, интерфейсных платах ввода/вывода, интерфейсах инверторов и в источниках питания общего назначения.
Новый оптрон Toshiba имеет такие же характеристики изоляции, как и эквивалентные устройства в корпусах DIP4 F (с увеличенным расстоянием между выводами), обеспечивая длины путей утечки по корпусу и по выводам не менее 8 мм и минимальное напряжении изоляции 5 кВ с.к.з.
Основные характеристики:
Новые оптроны с транзисторными выходами уже доступны потребителям. По всем вопросам, связанным получением образцов и информации о ценах, необходимо обращаться в офисы продаж Toshiba.