Новая технология SuperMESH3 производства MOSFET-транзисторов STP6N62K3 и STP3N62K3 обеспечивает более низкое сопротивление открытого канала, что позволяет сократить потери мощности в импульсных преобразователях. Эту технологию отличает также высокая устойчивость к скорости нарастания напряжения (dU/dt) и большой запас по напряжению пробоя.

Новые транзисторы найдут применение в полумостовых коммутаторах электронных балластов ламп, а также в коммутаторах импульсных источников питания. Их применение позволяет существенно улучшить надежность и безопасность преобразовательной техники – светотехнических устройств и импульсных источников питания.

Основные характеристики STP6N62K3:

• рабочее напряжение до 620 В;
• рабочий ток до 5,5 А;
• сопротивление канала: 1,28 Ом;
• рассеиваемая мощность до 90 Вт;
• корпус TO-220.
•  

Основные характеристики STP3N62K3:

• рабочее напряжение до 620 В;
• рабочий ток до 2,7 А;
• сопротивление канала: 2,5 Ом;
• рассеиваемая мощность до 90 Вт;
• корпус TO-220.

Внутренняя структура транзисторов STPxN62K3 показана на рисунке ниже.

Области применения: импульсные источники питания: квазирезонансные, прямоходовые, обратноходовые; энергосберегающие лампы; корректоры коэффициента мощности; источники бесперебойного питания.