Компания International Rectifier объявила о расширении семейства силовых модулей, представив мощный сдвоенный MOSFET IRFHE4250D FastIRFET с уменьшенными более чем на 5% потерями мощности при нагрузке 25 А, по сравнению с лучшими в своем классе силовыми модулями. Максимальное рабочее напряжение микросхемы составляет 25 В, но, в первую очередь, она нацелена на использовании в понижающих преобразователях постоянного тока с входным напряжением 12 В для телекоммуникационного и сетевого оборудования, серверов, графических адаптеров, настольных компьютеров, ультрабуков и ноутбуков.
Особенностями IRFHE4250D являются изготавливаемые IR кремниевые пластины последнего поколения, низкопрофильный корпус PQFN 6×6 мм с теплоотводящей площадкой на верхней стороне, удобный для монтажа на обратной стороне платы, прекрасные тепловые характеристики, низкое сопротивление открытого канала и малый заряд затвора. Эти преимущества позволяют получить лучшую плотность мощности и более низкие потери переключения при одновременном снижении размеров печатной платы и повышении общего КПД системы.
Как и все силовые модули компании IR, IRFHE4250D совместим с любым контроллером или драйвером, что обеспечивает гибкость при конструировании, и, несмотря на небольшие размеры корпуса, позволяет создавать еще более сильноточные, эффективные и высокочастотные устройства. Новый прибор расширяет ассортимент силовых модулей IR, выпускаемых в корпусах PQFN с размерами 6 × 6 мм.
IRFHE4250D, рассчитанный на эксплуатацию в промышленном диапазоне температур, а по степени влагоустойчивости соответствующий уровню MSL2, выпускается в корпусе PQFN 6 × 6 мм с теплоотводящей площадкой на верхней стороне, удовлетворяющем предписаниям директивы RoHS.
Технические характеристики
Название
микросхемы
Корпус
Ток
нагрузки
(А)
Ср./Макс Rоткр. кан.
при 4.5В
(мОм)
Qз при 4.5 В
(нК)
Qзи при 4.5 В
(нК)
IRFHE4250D
PQFN
6×6 мм
60
3.2 / 4.1
1.35 / 1.0
13
35
5 × 13
Доступность и цена
Цены IRFHE4250D начинаются от $1.44 за экземпляр при заказе партии от 1 тыс. шт. Приборы отгружаются со склада сразу по подтверждении заказа. Цены могут изменяться.
Компания International Rectifier объявила о расширении семейства силовых модулей, представив мощный сдвоенный MOSFET IRFHE4250D FastIRFET с уменьшенными более чем на 5% потерями мощности при нагрузке 25 А, по сравнению с лучшими в своем классе силовыми модулями. Максимальное рабочее напряжение микросхемы составляет 25 В, но, в первую очередь, она нацелена на использовании в понижающих преобразователях постоянного тока с входным напряжением 12 В для телекоммуникационного и сетевого оборудования, серверов, графических адаптеров, настольных компьютеров, ультрабуков и ноутбуков.
Особенностями IRFHE4250D являются изготавливаемые IR кремниевые пластины последнего поколения, низкопрофильный корпус PQFN 6×6 мм с теплоотводящей площадкой на верхней стороне, удобный для монтажа на обратной стороне платы, прекрасные тепловые характеристики, низкое сопротивление открытого канала и малый заряд затвора. Эти преимущества позволяют получить лучшую плотность мощности и более низкие потери переключения при одновременном снижении размеров печатной платы и повышении общего КПД системы.
Как и все силовые модули компании IR, IRFHE4250D совместим с любым контроллером или драйвером, что обеспечивает гибкость при конструировании, и, несмотря на небольшие размеры корпуса, позволяет создавать еще более сильноточные, эффективные и высокочастотные устройства. Новый прибор расширяет ассортимент силовых модулей IR, выпускаемых в корпусах PQFN с размерами 6 × 6 мм.
IRFHE4250D, рассчитанный на эксплуатацию в промышленном диапазоне температур, а по степени влагоустойчивости соответствующий уровню MSL2, выпускается в корпусе PQFN 6 × 6 мм с теплоотводящей площадкой на верхней стороне, удовлетворяющем предписаниям директивы RoHS.
Технические характеристики
микросхемы
нагрузки
(А)
при 4.5 В
(мОм)
при 4.5 В
(нК)
при 4.5 В
(нК)
Доступность и цена
Цены IRFHE4250D начинаются от $1.44 за экземпляр при заказе партии от 1 тыс. шт. Приборы отгружаются со склада сразу по подтверждении заказа. Цены могут изменяться.