Компания RFMD анонсировала изготовленную по GaN технологии микросхему широкополосного усилителя мощности RFHA1003, спроектированную для усиления, как непрерывных колебаний, так и импульсных сигналов, в таких приложениях, как военное коммуникационное оборудование, средства ведения радиоэлектронной борьбы, беспроводная инфраструктура, радары, аппаратура двухсторонней радиосвязи, а также, в приложениях общего назначения. Использованный усовершенствованный процесс изготовления нитрид-галлиевых полупроводников с большой плотностью мощности позволил создать качественные усилители, отличающиеся высоким КПД, равномерностью усиления и выходной мощности во всей полосе частот. Этот дискретный нитрид-галлиевый усилитель имеет согласованный 50-омный вход и упаковывается в компактный корпус SOIC-8 с размерами 5 × 6 мм, который обеспечивает превосходную температурную стабильность благодаря усовершенствованным технологиям теплоотвода и рассеяния мощности. Благодаря встроенной оптимизированной схеме согласования входа, позволяющей совместить широкополосное усиление и высокую производительность в одном приборе, усилитель легко интегрируется в любое устройство. Возможность внешнего согласования выхода дает гибкость в выборе способа оптимизации мощности и эффективности в пределах любого поддиапазона полной полосы частот.

Характеристики и особенности

• Использование усовершенствованных процессов производства GaN HEMT приборов и технологий теплоотвода
• Входное сопротивление 50 Ом обеспечивается внутренними схемами согласования
• Выходная мощность 9 Вт при рабочем напряжении 28 В
• Полоса пропускания от 30 МГц до 512 МГц
• Усиление 19 дБ
• КПД суммирования мощности 70%
• Доступны модели для большого сигнала
• Экспортный контроль EAR99

Области применения

• Гражданские системы подвижной радиосвязи, военная связная аппаратура 
• Средства ведения радиоэлектронной борьбы
• Мощные каскады усиления для коммерческой беспроводной инфраструктуры
• Гражданские и военные радары
• Усилители передатчиков общего назначения