Компания Ramtron International распространила сообщение о своем намерении представить в ближайшее время первые образцы модулей энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти (Ferroelectric Random Access non-volatile Memory, FeRAM). Основными преимуществами модулей FeRAM по сравнению с широко используемой в настоящее время энергонезависимой флэш-памятью типа NAND и NOR являются значительно более высокие скоростные характеристики и меньший уровень энергопотребления.

Первыми серийно выпускаемыми модулями памяти FeRAM станут микросхемы Ramtron FM22L16, имеющие емкость 4 Мбит. Согласно предварительной информации, среднее время доступа к ячейке памяти составит 55 нс, а гарантированное количество циклов записи/стирания — порядка 100 трлн.

Уже известно, что производство этих компонентов с использованием 130-нанометрового технологического процесса будет развернуто на одном из предприятий компании Texas Instruments. По заявлению одного из представителей Ramtron, при необходимости для промышленного производства модулей FeRAM можно будет задействовать (после незначительной модернизации) существующие линии по производству КМОП-микросхем.

Регулярные поставки микросхем FM22L16 планируется начать в IV квартале 2007 года.

КомпьютерПресс