Компания Peregrine выпустила быстродействующий драйвер МОП-транзисторов со скоростью переключения до 40 МГц. Основанная на технологической платформе UltraCMOS, новая микросхема PE29102 идеально подходит для управления затворами внешних силовых устройств, таких как нитрид-галлиевые (GaN) МОП транзисторы, как в полу-, так и в полномостовых конфигурациях.
Драйвер PE29102 оптимизирован по величине мертвого времени и отличается лучшей в своем классе задержкой распространения. Высокие скорости переключении позволяют сократить размеры внешних компонентов и создать инновационные конструкции для таких приложений, как усилители класса D и беспроводные зарядные устройства. Допустимый вытекающий ток микросхемы равен 2 А, а втекающий – 4 А. Устройство выпускается в корпусе на основе перевернутого кристалла размером 2 мм × 1.6 мм, выдерживает напряжения до 60 В и поддерживает напряжения затвора до 6 В.
Основные характеристики
Драйвер МОП-транзисторов верхнего и нижнего плеча;
Управление величиной мертвого времени;
Малая задержка распространения: 9 нс;
Выходы с тремя состояниями;
Субнаносекундные времена нарастания и спада;
Пиковые значения вытекающего и втекающего токов 2 А и 4 А, соответственно;
Корпус на основе перевернутого кристалла.
Оценочный набор GS61004B для драйвера PE29102.
Для демонстрации возможностей управления GaN транзисторами Peregrine совместно с двумя мировыми лидерами в области производства GaN приборов – компаниями GaN Systems и EPC – разработала оценочные наборы:
Оценочная плата GS61004B компании GaN Systems позволяет изучить работу драйвера затворов PE29102 в полномостовой конфигурации.
В плате полумостового драйвера EPC9086 PE29102 используется для управления eGaN полумостом EPC2111 компании EPC с рабочим током 15 А и максимальным напряжением 30 В.
Компания Peregrine выпустила быстродействующий драйвер МОП-транзисторов со скоростью переключения до 40 МГц. Основанная на технологической платформе UltraCMOS, новая микросхема PE29102 идеально подходит для управления затворами внешних силовых устройств, таких как нитрид-галлиевые (GaN) МОП транзисторы, как в полу-, так и в полномостовых конфигурациях.
Драйвер PE29102 оптимизирован по величине мертвого времени и отличается лучшей в своем классе задержкой распространения. Высокие скорости переключении позволяют сократить размеры внешних компонентов и создать инновационные конструкции для таких приложений, как усилители класса D и беспроводные зарядные устройства. Допустимый вытекающий ток микросхемы равен 2 А, а втекающий – 4 А. Устройство выпускается в корпусе на основе перевернутого кристалла размером 2 мм × 1.6 мм, выдерживает напряжения до 60 В и поддерживает напряжения затвора до 6 В.
Основные характеристики
Для демонстрации возможностей управления GaN транзисторами Peregrine совместно с двумя мировыми лидерами в области производства GaN приборов – компаниями GaN Systems и EPC – разработала оценочные наборы: