Компания National Semiconductor представила DS10BR150 - одноканальный буфер LVDS с максимальной скоростью передачи 1 Гбит/с, оптимизированный для передачи высокоскоростного сигнала по дорожкам на плате из материала FR4. Полностью дифференциальные каналы передачи сигнала обеспечивают исключительную целостность сигнала и высокую невосприимчивость к шумам.
Широкий диапазон входных напряжений позволяет принимать сигналы с уровнями LVDS, CML, LVPECL; выходные уровни сигнала соответствуют LVDS. Миниатюрный корпус требует минимального места на плате, а вход и выход терминированы резисторами в 100 Ом, что обеспечивает уменьшение потерь в компоненте.
Основные параметры
Низкое дрожание сигнала на скоростях до 1 Гбит/с
Вход и выход терминированы резисторами в 100 Ом, что обеспечивает уменьшение потерь в компоненте
Компания National Semiconductor представила DS10BR150 - одноканальный буфер LVDS с максимальной скоростью передачи 1 Гбит/с, оптимизированный для передачи высокоскоростного сигнала по дорожкам на плате из материала FR4. Полностью дифференциальные каналы передачи сигнала обеспечивают исключительную целостность сигнала и высокую невосприимчивость к шумам.
Широкий диапазон входных напряжений позволяет принимать сигналы с уровнями LVDS, CML, LVPECL; выходные уровни сигнала соответствуют LVDS. Миниатюрный корпус требует минимального места на плате, а вход и выход терминированы резисторами в 100 Ом, что обеспечивает уменьшение потерь в компоненте.Основные параметры
- Низкое дрожание сигнала на скоростях до 1 Гбит/с
- Вход и выход терминированы резисторами в 100 Ом, что обеспечивает уменьшение потерь в компоненте
- 7 кВ ESD-защита входа и выхода
- Миниатюрный корпус LLP
ПрименениеКомпэл