Компания International Rectifier объявила о разработке четырех новых моделей биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Новые IGBT транзисторы, выполненные по траншейной технологии, имеют высокую плотность тока и могут пропускать RMS ток, уровень которого на 60% превышает обычно допустимый для модулей в таком же корпусе.

Оснащенные встроенным диодом сверхбыстрого времени восстановления, транзисторы имеют низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер и малые полные потери на переключение. Благодаря своим качествам компоненты имеют малую мощность рассеяния и высокую энергонапряженность при широком диапазоне частот срабатывания. Новые транзисторы обеспечивают бесперебойную работу при температуре до 175°C. Уменьшенная мощность внутренних потерь позволяет на 50% сократить размер радиатора при сохранении полезной мощности.

Область применения устройств - в приводах кондиционеров, холодильных компрессорах, пылесосах, других бытовых приборах, а также в промышленных приводах и циркуляционных насосах.