20 марта, 2003г.- International Rectifier, IR®, представила новые 600В HEXFET® мощные MOSFET транзисторы с быстрыми встроенными диодами для "мягких" импульсных приложений, таких как схемы коммутации нулевого напряжения (ZVS). ZVS - это технология , используемая для увеличения КПД и обеспечивающая большие выходные мощности в импульсных блоках питания (SMPS). Данная техника широкого используется в современных высокоскоростных, широкополосных системах телекоммуникаций, где эффективность и надежность на первом плане.
Быстрые встроенные диоды в HEXFET MOSFET транзисторах L семейства исключают необходимость применения дополнительных диодов Шоттки и HV диодов в ZVS схемах, что снижает количество внешних компонент и занимаемое пространство. Новые устройства увеличивают надежность системы, т.к. встроенный диод является активным и проводит ток в течение части рабочего цикла, в отличие от мостовых или корректирующих мощность схем, где устройства обычно испытывают "жесткие" импульсы. Потери при включении в ZVS блоках питания исключаются при помощи включения MOSFET транзисторов в момент, когда их интегрированные диоды проводят ток.
Максимальное время восстановления встроенных диодов L семейства составляет менее чем 250нс, и даже меньше для слаботочных устройств. Более короткий период восстановления гарантирует, что интегральный диод полностью восстановится из проводящего в блокирующее состояние до того, как высокое напряжение будет приложено к устройству во время цикла выключения транзистора.
20 марта, 2003г.- International Rectifier, IR®, представила новые 600В HEXFET® мощные MOSFET транзисторы с быстрыми встроенными диодами для "мягких" импульсных приложений, таких как схемы коммутации нулевого напряжения (ZVS). ZVS - это технология , используемая для увеличения КПД и обеспечивающая большие выходные мощности в импульсных блоках питания (SMPS). Данная техника широкого используется в современных высокоскоростных, широкополосных системах телекоммуникаций, где эффективность и надежность на первом плане.
Быстрые встроенные диоды в HEXFET MOSFET транзисторах L семейства исключают необходимость применения дополнительных диодов Шоттки и HV диодов в ZVS схемах, что снижает количество внешних компонент и занимаемое пространство. Новые устройства увеличивают надежность системы, т.к. встроенный диод является активным и проводит ток в течение части рабочего цикла, в отличие от мостовых или корректирующих мощность схем, где устройства обычно испытывают "жесткие" импульсы. Потери при включении в ZVS блоках питания исключаются при помощи включения MOSFET транзисторов в момент, когда их интегрированные диоды проводят ток.
Максимальное время восстановления встроенных диодов L семейства составляет менее чем 250нс, и даже меньше для слаботочных устройств. Более короткий период восстановления гарантирует, что интегральный диод полностью восстановится из проводящего в блокирующее состояние до того, как высокое напряжение будет приложено к устройству во время цикла выключения транзистора.
транзисторов
ние(вкл.) мах (W)
Цены и условия поставки
Новые 600В HEXFET MOSFET транзисторы уже доступны. Цены начинаются от US $1.59 за IRFB16N60L в партиях от 10000 шт.