Стандарт Wi-Fi, или Wireless fidelity, играет важную роль в современных системах связи. Он обеспечивает постоянный обмен данными между устройствами в диапазонах 2.4 ГГц и 5 ГГц, а также позволяет пользователям ноутбуков и устройств, поддерживающих интерфейсы беспроводных сетей, получать широкополосный доступ к Интернету, перемещаясь между фиксированными или общественными точками доступа.
Разработанное Infineon cемейство BFx840xESD – это серия биполярных транзисторов с гетеропереходом (Hetero-junction Bipolar Transistor – HBT), предназначенных для высокопроизводительных 5-ГГц малошумящих усилителей (LNA) в устройствах Wi-Fi. Транзисторы BFx840xESD изготавливаются с использованием SiGe:C B9HFM-процесса, обеспечивающего fT = 80 ГГц, и специальной геометрии для снижения паразитной емкости между подложкой и транзистором, которая приводит к ухудшению высокочастотных характеристик. В результате, при использовании всего 8 пассивных компонентов и отсутствии необходимости согласования входов, транзисторы серии BFx840xESD обеспечивают максимальное усиление 18 дБ и лучший в своем классе коэффициент шума (0.96 дБ) в устройствах 5-ГГц диапазона.
ВЧ транзисторы серии BFx840xESD RF позволяют инженерам улучшить бюджет ВЧ линии связи, а также отношение сигнал/шум (SNR) в маршрутизаторах, точках доступа и мобильных станциях, чтобы увеличить зону покрытия. Это особенно важно при использовании схем модуляции более высокого порядка, например, в новейших спецификациях беспроводной связи с очень высокой пропускной способностью, таких как квадратурная амплитудная модуляция 256-QAM в стандарте IEEE 802.11ac, ужесточающем требования к отношению сигнал/шум как для точки доступа, так и для клиентской системы.
Первые B9HFM SiGe:C-транзисторы предлагаются в стандартном корпусе SOT-343 (BFP840ESD), в корпусе TSFP-4-1 с плоскими выводами (BFP840FESD) и в корпусе TSLP-3-9 малой (0.3 мм) высоты, предназначенном специально для модулей Wi-Fi (BFR840L3RHESD).
Особенности
Высокая граничная частота fT = 80 ГГц
Лучшие в своем классе ВЧ характеристики
Высокая максимальная входная ВЧ мощность
Устойчивость к электростатическому разряду 1.5 кВ по модели человеческого тела (HBM)
Согласование в диапазоне 5 ГГц
Для достижения максимального усиления (18 дБ) и лучшего в своем классе коэффициента шумов (0.95 дБ) требуется всего восемь внешних пассивных компонентов
Низкое энергопотребление, идеально подходит для мобильных устройств
Низкое напряжение питания, например VCC = 1.2 В и 1.8 В
Транзисторы выпускаются в стандартных корпусах, корпусах с плоскими выводами и в корпусах чрезвычайно малой высоты
Применение
Серия BFx840xESD предназначена для использования в качестве 5…6-ГГц малошумящего усилителя (LNA) в сетях Wi-Fi стандарта 802.11 a/n/ac. Эта серия ориентирована на такую потребительскую продукцию, как Wi-Fi-маршрутизаторы, точки доступа и модули Wi-Fi.
Другие возможные области применения:
Устройства мобильной и фиксированной связи: WiMAX и UWB
Спутниковые системы связи: спутниковое радио (SDARS, DAB), навигационные системы (например, GPS, GLONASS) и малошумящие блоки (LNB) C-диапазона (1-й и 2-й каскады LNA)
ВЧ каскады LNB Ku-диапазона (2-й или 3-й каскад LNA и активный смеситель)
Стандарт Wi-Fi, или Wireless fidelity, играет важную роль в современных системах связи. Он обеспечивает постоянный обмен данными между устройствами в диапазонах 2.4 ГГц и 5 ГГц, а также позволяет пользователям ноутбуков и устройств, поддерживающих интерфейсы беспроводных сетей, получать широкополосный доступ к Интернету, перемещаясь между фиксированными или общественными точками доступа.
Разработанное Infineon cемейство BFx840xESD – это серия биполярных транзисторов с гетеропереходом (Hetero-junction Bipolar Transistor – HBT), предназначенных для высокопроизводительных 5-ГГц малошумящих усилителей (LNA) в устройствах Wi-Fi. Транзисторы BFx840xESD изготавливаются с использованием SiGe:C B9HFM-процесса, обеспечивающего fT = 80 ГГц, и специальной геометрии для снижения паразитной емкости между подложкой и транзистором, которая приводит к ухудшению высокочастотных характеристик. В результате, при использовании всего 8 пассивных компонентов и отсутствии необходимости согласования входов, транзисторы серии BFx840xESD обеспечивают максимальное усиление 18 дБ и лучший в своем классе коэффициент шума (0.96 дБ) в устройствах 5-ГГц диапазона.
ВЧ транзисторы серии BFx840xESD RF позволяют инженерам улучшить бюджет ВЧ линии связи, а также отношение сигнал/шум (SNR) в маршрутизаторах, точках доступа и мобильных станциях, чтобы увеличить зону покрытия. Это особенно важно при использовании схем модуляции более высокого порядка, например, в новейших спецификациях беспроводной связи с очень высокой пропускной способностью, таких как квадратурная амплитудная модуляция 256-QAM в стандарте IEEE 802.11ac, ужесточающем требования к отношению сигнал/шум как для точки доступа, так и для клиентской системы.
Первые B9HFM SiGe:C-транзисторы предлагаются в стандартном корпусе SOT-343 (BFP840ESD), в корпусе TSFP-4-1 с плоскими выводами (BFP840FESD) и в корпусе TSLP-3-9 малой (0.3 мм) высоты, предназначенном специально для модулей Wi-Fi (BFR840L3RHESD).
Особенности
Применение
infineon-designlink.com