Infineon расширила свое семейство мощных ВЧ LDMOS-транзисторов, включив в него три новых прибора, предназначенных для усилителей Догерти в приложениях LTE, WCDMA и CDMA. Новые транзисторы обеспечивают отличную эффективность, высокую пиковую мощность и широкую полосу пропускания видеосигнала. Имеются варианты с выходной мощностью P1dB 150 Вт, 270 Вт и 360 Вт в инновационных дискретных корпусах компании Infineon для особо компактных схем.
Типичное применение PTFB093608FV для WCDMA с одной несущей Характеристики при частоте 960 МГц, 28 В, сигнале 3G PP, полосе пропускания канала 3.84 МГц, коэффициенте PAR 10 дБ при вероятности 0.01% CCDF (дополнительная интегральная функция распределения):
Средняя выходная мощность Pout: 112 Вт
Коэффициент усиления: 20 дБ
Эффективность: 34 дБ
Ослабление мощности по соседнему каналу: –36 дБн
Типичное применение PTFB082817FH для WCDMA с одной несущей Характеристики при частоте 821 МГц, 30 В, сигнале 3G PP, полосе пропускания канала 3.84 МГц, коэффициенте PAR 10 дБ при вероятности 0.01% CCDF:
Средняя выходная мощность Pout: 50 Вт
Коэффициент усиления: 19 дБ
Эффективность: 35 дБ
Ослабление мощности по соседнему каналу: –35 дБн
Типичное применение PTFB091507FH для WCDMA с одной несущей Характеристики при частоте 960 МГц, 28 В, сигнале 3G PP, полосе пропускания канала 3.84 МГц, коэффициенте PAR 7.5 дБ при вероятности 0.01% CCDF:
Средняя выходная мощность Pout: 50 Вт
Коэффициент усиления: 20 дБ
Эффективность: 38 дБ
Ослабление мощности по соседнему каналу: –36 дБн
Для каждого транзистора имеется эталонная схема, которая упрощает оценку:
LTN/PTFB093608FV — настроена на 960 МГц
LTN/PTFB082817FH — настроена на 821 МГц
LTN/PTFB091507FH — настроена на 960 МГц
Особенности
Предназначены для усилителей Догерти
Высокий коэффициент усиления, отличная эффективность
Инновационный дискретный корпус обеспечивает уменьшение размеров схемы
Возможность работы с КСВН = 10:1 при 28 В и непрерывной (CW) выходной мощности
Infineon расширила свое семейство мощных ВЧ LDMOS-транзисторов, включив в него три новых прибора, предназначенных для усилителей Догерти в приложениях LTE, WCDMA и CDMA. Новые транзисторы обеспечивают отличную эффективность, высокую пиковую мощность и широкую полосу пропускания видеосигнала. Имеются варианты с выходной мощностью P1dB 150 Вт, 270 Вт и 360 Вт в инновационных дискретных корпусах компании Infineon для особо компактных схем.
Номера компонентов:
PTFB093608FV V1 – 360 Вт (P1dB при 28 В)
PTFB082817FH V1 – 270 Вт (P1dB при 28 В)
PTFB091507FH V1 – 150 Вт (P1dB при 28 В)
Типичное применение PTFB093608FV для WCDMA с одной несущей Характеристики при частоте 960 МГц, 28 В, сигнале 3G PP, полосе пропускания канала 3.84 МГц, коэффициенте PAR 10 дБ при вероятности 0.01% CCDF (дополнительная интегральная функция распределения):
Типичное применение PTFB082817FH для WCDMA с одной несущей Характеристики при частоте 821 МГц, 30 В, сигнале 3G PP, полосе пропускания канала 3.84 МГц, коэффициенте PAR 10 дБ при вероятности 0.01% CCDF:
Типичное применение PTFB091507FH для WCDMA с одной несущей Характеристики при частоте 960 МГц, 28 В, сигнале 3G PP, полосе пропускания канала 3.84 МГц, коэффициенте PAR 7.5 дБ при вероятности 0.01% CCDF:
Для каждого транзистора имеется эталонная схема, которая упрощает оценку:
LTN/PTFB093608FV — настроена на 960 МГц
LTN/PTFB082817FH — настроена на 821 МГц
LTN/PTFB091507FH — настроена на 960 МГц
Особенности
Применение