для работы во входных каскадах усилителей
низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КП102
для работы во входных каскадах усилителей
низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2П103
2П103-9
для работы во входных каскадах усилителей
низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2ПС104
для работы во входных каскадах дифференциальных
малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением
2П201
для работы во входных каскадах усилителей
низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2ПС202
для работы во входных каскадах дифференциальных
малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением
КПС203
для работы во входных каскадах дифференциальных
малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением
КП301
для применения во входных каскадах малошумящих
усилителей и нелинейных малосигнальных схемах с высоким входным сопротивлением
КП302
для применения в широкополосных усилителях
в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих
устройствах
КП303
предназначены для применения во входных
каскадах усилителей высокой (Д, Е, И) и низкой (А, Б, В, Ж) частот с высоким
входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г предназначены для применения
в зарядочувствительных усилител ях и других схемах ядерной спектрометрии
КП304
предназначены для применения в переключающих
и усилительных схемах с высоким входным сопротивлением
2П305
предназначены для применения в усилительных
каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП306
предназначены для применения в преобразовательных
и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП307
предназначены для применения во входных
каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП307Ж предназначены для применения в зарядочувствительных
усилителях и других схемах ядерной спектрометрии
2П308-9
предназначены для применения во входных
каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока (А, Б, В), в переключающих
схемах и схемах коммутаторов (Г, Д) с высоким входным сопротивлением.
КП310
для применения в приемно-передающих устройствах
сверхвысокочастотного диапазона
КП312
предназначены для применения во входных
каскадах усилителей и преобразователей сверхвысокочастотного диапазона
КП313
предназначены для применения в усилительных
каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП314
для применения в охлаждаемых каскадах предусилителей
устройств ядерной спектрометрии
КПС315
для работы во входных каскадах дифференциальных
малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением
КПС316
для работы во входных каскадах дифференциальных
усилителей, балансных схем различного назначения с высоким входным сопротивлением
3П320-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом
шума на частоте 8 ГГц
3П321-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом
шума на частоте 8 ГГц
КП322
тетрод на основе p-n перехода для усилительных
и смесительных каскадов на частотах до 400 МГц
КП323-2
транзистор с p-n переходом для входных каскадов
предварительных малошумящих предварительных усилителей низкой и высокой
частот (до 400 МГц)
3П324-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом
шума на частоте 12 ГГц
3П325-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для
СВЧ устройств с малым уровнем шума, а также для фотоприемных устройств
с малым уровнем собственных шумов
3П326-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 17.4 ГГц
для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
КП327
МОП тетрод с n-каналом и затворами, защищенными
диодами, для селекторов телевизионных каналов метровых и дециметровых волн
3П328-2
арсенидогаллиевые полевые двухзатворные
транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте
8 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
КП329
для применения во входных каскадах усилителей
низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах
с высоким входным сопротивлением
3П330-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 25 ГГц (3П330А-2,
3П330Б-2) и 17.4 ГГц (3П330В-2) для применения во входных и последующих
каскадах малошумящих усилителей
3П331-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 10 ГГц для
применения в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим
диапазоном
2П332
полевой p-канальный транзистор для переключающих
и усилительных устройств
2П333
полевой n-канальный транзистор для применения
во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в
переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением
2П335-2
для усилительных устройств
2П336-1
для переключающих и усилительных устройств
2П337-Р
транзисторы подобранные в пары по электрическим
параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных
усилителях с высоким входным сопротивлением на частотах до 400 МГц
2П338-Р1
транзисторы подобранные в пары по электрическим
параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных
усилителях с высоким входным сопротивлением
3П339-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частотах 8 и 17.4
ГГц для применения в малошумящих усилителях, в усилителях с расширенным
динамическим диапазоном и в широкополосных усилителях
2П341
транзистор с p-n переходом для входных каскадов
малошумящих усилителей в диапазоне частот 20 Гц - 500 МГц
КП342
для переключающих устройств
3П343-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц для
применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П344-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 4 ГГц для
применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П345-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки для применения в фотоприемных устройствах с малым уровнем
собственных шумов
КП346-9
МОП n-канальный двухзатворный транзистор
с затворами, защищенными диодами, для селекторов каналов ТВ приемником
(А,Б- для дециметровых волн, В- для метровых волн)
2П347-2
n-канальный двухзатворный транзистор для
входных каскадов радиоприемных устройств
КП350
предназначены для применения в усилительных,
генераторных и преобразовательных каскадах сверхвысокой частоты (до 700
МГц)
КП351
транзисторы с барьером Шоттки с двумя затворами
(3П351А-2) и с одним затвором (3П351А1-2), предназначены для применения
в малошумящих усилителях, смесителях и других устройствах в сантиметровом
диапазоне
ZVN2120 высоковольтный полевой МОП-транзистор,
используемый в качестве ключа для аналоговых средств связи
КП601
2П601-9
полевые транзисторы с диффузионным затвором
и n-каналом, работа во входных и выходных каскадах усилителей и преобразователей
частоты
АП602-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах,
преобразователях частоты в диапазоне частот 3-12 ГГц
3П603-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах,
преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц
3П604-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах,
преобразователях частоты в диапазоне частот 3-18 ГГц
3П605-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом, работа в малошумящих усилителях и усилителях
с расширенным динамическим
диапазоном
3П606-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах,
преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц
3П607-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, преобразователях
частоты в диапазоне частот до 10 ГГц
3П608-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом для работы в выходных каскадах усилителей и
генераторов
КП701
полевые транзисторы с изолированным затвором
для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств
с частотой переключения до 1 МГц
КП702
полевые транзисторы с изолированным затвором
и n-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных
устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей,
генераторов
КП703
полевые транзисторы с изолированным затвором
и p-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных
устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей,
генераторов
КП704
полевые транзисторы с изолированным затвором
и n-каналом для использования в выходных каскадах оконечных видеоусилителей
многоцветных графических дисплеев, во вторичных источниках энергопитания,
в устройствах коммутации электрических цепей
КП705
полевые транзисторы с изолированным затвором
и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих
и импульсных устройствах
КП706
полевые транзисторы с изолированным затвором
и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих
и импульсных устройствах
КП709
полевые транзисторы с изолированным затвором
и n-каналом для использования в импульсных источниках электропитания ТВ
приемников четвертого и пятого поколений, переключающих и импульсных устройствах
радиоэлектронной аппар атуры, устройствах электропривода. Аналог BUZ90,
BUZ90A Siemens.
КП712
полевые транзисторы с изолированным затвором
и p-каналом для работы в импульсных устройствах
КП717Б
IRF350 МОП-транзистор с 400 В, 0.3 Ом
КП718А
BUZ45 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом
КП718Е1
IRF453 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом
КП722А
BUZ36 МОП-транзистор с 200 В, 0.12 Ом
КП723А
IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП723Б
IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП723В
IRF45 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП724Г
IRF42 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП724А
MTP6N60 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП724Б
IRF842 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП725А
TPF450 МОП-транзистор с 500 В, 0.4 Ом
КП726А
BUZ90 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП728А
МОП-транзистор с 800 В, 3.0 Ом
КП801
полевые транзисторы p-n переходом для применения
в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры
КП802
полевые транзисторы p-n переходом работа
в ключевых схемах преобразователей постоянного напряжения в качестве быстродействующего
коммутатора
КП803
полевые транзисторы с изолированным затвором
для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств,
а также для ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей
и генераторов
КП804
полевые транзисторы с изолированным затвором
и n-каналом для быстродействующих импульсных схем
КП805
полевые транзисторы с изолированным затвором
и n-каналом для построения источников вторичного электропитания с бестрансформаторным
входом, работающих от промышленной сети переменного тока с частотой 50
Гц и напряжением 220 В и для других устройств преобразования электрической
энергии
КП809
МОП транзисторы для работы на частотах до
3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом,
в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП810
прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных
источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП812
полевые транзисторы с изолированным затвором
и n-каналом для импульсных источников питания, регуляторов, усилителей
звуковой частоты
КП813
МОП транзисторы для работы на частотах до
3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом,
в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП814
полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных
источников питания
КП901
полевые транзисторы с изолированным затвором
предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне
коротких и ультракоротких длин волн (до 100 МГц)
КП902
полевые транзисторы с изолированным затвором
для применения в приемно-передающих устройствах в диапазоне частот до 400
МГц
КП903
полевые транзисторы p-n переходом для применения
в приемно-передающих и переключающих устройствах в диапазоне частот до
30 МГц
КП904
полевые транзисторы с изолированным затвором
предназначены для применения в усилительных, преобразовательных и генераторных
каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн
КП905
полевые транзисторы с изолированным затвором
для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц
КП907
полевые транзисторы с изолированным затвором
для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц, а
также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного
диапазона
КП908
полевые транзисторы с изолированным затвором
для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 2.25 ГГц
КП909
полевые транзисторы с изолированным затвором
для работы в усилительных и генераторных устройствах в непрерывном и импульсном
режимах на частотах до 400 МГц
АП910-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах,
в диапазоне частот до 8 ГГц
КП911
полевые транзисторы с изолированным затвором
для работы в усилительных и генераторных устройствах
КП912
полевые транзисторы с изолированным затвором
для применения в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения,
импульсных устройствах, усилителях и генераторах
КП913
полевые транзисторы с изолированным затвором
для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц при
напряжении питания до 45 В
2П914
полевой транзистор с p-n переходом д для
применения в усилителях, преобразователях и генераторах высокой частоты,
а также в переключающих устройствах
3П915-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах,
в диапазоне частот до 8 ГГц
КП918
полевые транзисторы с изолированным затвором
для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1 ГГц, а также
для быстродействующих переключающих устройств
КП920
полевые транзисторы с изолированным затвором
для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц, а
также для быстродействующих переключающих устройств
КП921
полевые транзисторы с изолированным затвором,
предназначен для применения в быстродействующих переключающих устройствах
2П922
2П922-1
полевые транзисторы с изолированным затвором
и n-каналом, предназначены для применения в источниках вторичного электропитания,
быстродействующ их переключающих и импульсных устройствах, а также в стабилизаторах
и преобразователях напряжения
КП923
полевые транзисторы с изолированным затвором
для работы в усилительных и генераторных устройствах, в линейных усилительных
устройствах на частоты до 1 ГГц
3П925-2
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом для работы в широкополосных усилителях мощности
в диапазоне частот 3.7-4.2 ГГц (3П925А) и 4.3-4.8 ГГц (3П925Б) в тракте
с волновым сопротивлением 50 Ом и содержит внутренние соглассующие цепи
2П926
полевые транзисторы для вторичных источников
питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых и линейных
устройств
3П927
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки с n-каналом для работы в усилителях мощности, автогенераторах,
преобразователях частот ы в диапазоне частот 1-18 ГГц
2П928
два МОП транзистора с n-каналом и общим
истоком, генераторные, предназначены для применения в усилителях мощности
и генераторах
3П930
арсенидогаллиевые полевые транзисторы с
барьером Шоттки и n-каналом для работы в диапазоне частот 5.7-6.3 ГГц
КП932
высоковольтный транзистор для работы в каскадах
видеоусилителей цветных дисплеев
КП933
два МДП транзистора с n-каналом и общим
истоком для работы в линейных и широкополосных усилительных устройствах
и автогенераторах с высокой стабильностью частоты (для усиления и генерирования
сигналов с частотой до 1 ГГц )
КП934
транзисторы со статической индукцией и n-каналом
предназначенные для применения в источниках вторичного электропитания и
в высоковольтных ключевых устройствах
КП937
переключательные полевые транзисторы с p-n
переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания,
преобразователях напряжения, системах электропривода, импульсных генераторах
электроискровых обрабат ывающих комплексов
КП938
переключательные высоковольтные полевые
транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного
электропитания, для питания двигателей постоянного и переменного тока,
в мощных коммутаторах, усилителях низкой частоты
2П941
для генерирования сигналов и усиления мощности
в радиоэлектронных схемах с рабочей частотой до 400-600 МГц при напряжении
питания 12 В
КП944
МДП транзистор с p-каналом для работы в схемах управления накопителей
ЭВМ на магнитных дисках
КП944
МДП транзистор с n-каналом для работы в схемах управления накопителей
ЭВМ на магнитных дисках
КП946
прибор со статической индукцией для применения
в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом,
ключевых усилителях мощности
КП948
прибор со статической индукцией для применения
в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом,
ключевых усилителях мощности
КП953
прибор со статической индукцией для применения
в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом,
ключевых усилителях мощности
КП955
прибор со статической индукцией для применения
в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом,
ключевых усилителях мощности
