TDA1516BQ | TDA1516CQ | TDA1518BQ | |
Uccmin | 6 V | 6 V | 6 V |
Uccmax | 18 V | 18 V | 18 V |
Icc0(Uвх.=0) | 30 mA | 40 mA | 30 mA |
Icc0(ST-BY=ON) | 0,1 μA | 0,1 μA | 0,1 μA |
Pвых.(12V/2Ω) | 11W(22W) | (24W) | 11W(22W) |
Iвых.max | 4A | 4A | 4A |
Rвх. | 50 КΩ | 50 КΩ | 50 КΩ |
Ку | 20 dB | 20 db | 40 dB |
ΔF | 20H2-20KHz | ||
Кг(Pвых.=0,5W, f=1KHz) |
0,1% | 0,1% | 0,1% |
Rвых.nom | 4Ω | 4Ω | 4Ω |
Интегральные микросхемы TDA1517, TDA1519, TDA1519A, ТDА1519В и TDA1519Q фирмы Philips выполнены в корпусах SIP2 с 9 выводами и представляют, собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения удвоенной выходной мощности на том же сопротивлении нагрузки при том же напряжении питания, микросхемы можно подключить по мостовой. Микросхему TDA1519Q рекомендуется использовать только в мостовом включении. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры - для одного канала, в скобках - для мостового включения) следующие:
TDA1517 | TDA1519 | TDA1519A | TDA1519B TDA1519Q |
|
Uccmin | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V |
Uccmax | 18V | 18 V | 17,5 V | 18 V |
Iвых.max | 2,5 A | 2,5A | 4 A | 2;5 A |
Icc0(Uвх.=0) | 40 mA | 40 mA | 40 mA | 40 mA |
Icc0(ST-BY=ON) | 100 μA | 100 μA | 100 μA | 100 μA |
Pвых.(12V/2Ω) | 6 W | 6 W | 11 W | 6 W(12W) |
Rвх. | 50 КΩ | 50 КΩ | 50 КΩ | 50 KΩ |
Ку | 20 dB | 40 dB | 40 dB | 40 dB |
ΔF | 20Hz-20KHz | |||
Кг(Pвых.=0,5W,f=1KHz) | 0,1% | 0,1% | 0,1% | 0,1% |
Rвых.nom | 4Ω | 4Ω | 2Ω | 4(8)Ω |
TDA1521 TDA1521A |
TDA1521Q | |
Uccmin | ±7,5 V | ±7,5 V |
Uccmax | ±21 V | ±21 V |
Iвых.max | 4 A | 4 A |
Icc0(Uвх.=0) | 40 mA | 40 mA |
Pвых.(32V/8Ω) | 15 W | 8 W |
Rвх. | 20 KΩ | 20 КΩ |
Ку | 40 dB | 40 dB |
ΔF | 20Hz-20KHz | |
Кг(Pвых.=6W, f=1KHz) | 0,2% | 0,3% |
Rвых.nom | 8Ω | 8Ω |
TDA1552Q | TDA1553CQ | TDA1553Q | TDA1557Q | |
Uccmin | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V |
Uccmax | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V |
Iвых.max | 4 A | 4 A | 4 A | 4 A |
Icco(Uвх.=0) | 80 mA | 80 mA | 80 mA | 80 mA |
Icc0(ST-BY=ON) | 100 μA | 100 μA | 100 μA | 100 μA |
Pвых.(l6V/4Ω) | 22 W | 22 W | 22 W | 22 W |
Rвх. | 60 КΩ | 60 KΩ | 60 КΩ | 60 КΩ |
Ку | 26 dB | 26 dB | 26 dB | 46 dB |
ΔF | 25Hz-20KHz | |||
Кг(Pвых.=17W, f=1KHz) | 0,5% | 0,5% | 0,5% | 0,5% |
Rвых.nom | 4Ω | 4Ω | 4Ω | 4Ω |
TDA1554Q | TDA1555Q | TDA1558Q | |
Uccmin | 6 V | 6 V | 6 V |
Uccmax | 18 V | 18 V | 18 V |
Iвых. max | 4 A | 4 A | 4 A |
Icc0(Uвх.=0) | 80 mA | 80 mA | 80 mA |
Icc0(ST-BY=ON) | 100 μA | 100 μA | 100 μA |
Pвых.(16V/4Ω) | 22W(4x11W) | 22W(4x11W) | 22W(4x11W) |
Rвх. | 30 КΩ | 60 КΩ | 60 КΩ |
Ку | 20 dB | 20 dB | 26 dB |
ΔF | 25Hz-20KHz | ||
Кг(Pвых.=1W,f=1KHz) | 0,1% | 0,1% | 0,1% |
Rвых.nom | 4Ω | 4Ω | 4Ω |
S STAVE ADRESS R/W АСК DATA ACK Р. где:
S-стартовый импульс;
-SLAVE ADRESS- 1101 100 (управляющий адрес для микросхемы);
R/W- чтение или запись (высокий уровень - запись в микросхему, низкий уровень - чтение из микросхемы);
АСК- подтверждение готовности к приему данных микросхемой;
DATA- данные установки величины параметра или условия (см. таблицу 1);
Р- стоповый импульс. Таблица 1:
функция | data | ||||||||
при записи в микросхему: | |||||||||
D7 | D6 | D5 | D4 | D3 | D2 | D1 | DO | ||
sleep condition | |||||||||
mute condition | 1 | ||||||||
not allowed | 1 | ||||||||
ON condition | 1 | 1 | |||||||
при чтении из микросхемы: | |||||||||
все выходные транзисторы в нормальном режиме | |||||||||
неисправность на 6 выводе микросхемы | 1 | ||||||||
неисправность на 8 выводе микросхемы | 1 | ||||||||
неисправность на 10 выводе микросхемы | 1 | ||||||||
неисправность на 12 выводе микросхемы | 1 | ||||||||
один из выходных каналов осциллирует | 1 | ||||||||
температура кристалла микросхемы выше 150°С: | 1 |
Uccmin | 6 V |
Uccmax | 18 V |
Icc0(Uвх.=0) | 80 mA |
Pвых.(13,2V/4Ω) | 22 W |
Rвх. | 100 КΩ |
Ку | 26 dB |
ΔF | 25Hz-20KHz |
Кг(Pвых.=1W, f=1KHz) |
0,05% |
Rвых.nom | 4Ω |
Uccmin | 6 V |
Uccmax | 18 V |
Iвых. max | 4 A |
Icc0(Uвх.=0) | 80 mA |
Icc0(ST-BY=ON) | 100 μA |
Pвых.(16V/4Ω) | 22W |
Rвх. | 50 KΩ |
Ку | 26 dB |
ΔF | 25Hz- 20KHz |
Кг(Pвых.=12W, f=1KHz) | 0,5% |
Rвых.nom | 4Ω |
SW1- включает детектор низкого сопротивления (короткого замыкания) в нагрузке;
SW2- переводит микросхему в режим работы с нулевым усилением и минимальным потреблением ("MUTE/ST-BY");
SW3- переводит микросхему в режимы работы класса В или класса Н. У микросхемы имеется выход DO (diagnostic output- 14 вывод), который выдает сигнал низкого уровня при температуре кристалла выше 150°С или замыкании одного выходного вывода на корпус или +Vcc. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin | 8 V |
Uccmax | 18 V |
Icc0(Uвх.=0) | 100 mA |
Iвых.max | 4 A |
Роut(14V/8Ω) | 40 W |
Rвх. | 180 КΩ |
Ку | 30 dB |
ΔF | 20Hz-20KHz |
Кг(Pвых.=30W, f=1KHz) |
0,5% |
Rвых.nom | 8Ω |
TDA1904 | TDA1905 | |
Uccmin | 4 V | 4 V |
Uccmax | 20 V | 30 V |
Icc0(Uвх.=0) | 10 mA | 17 mA |
Роut(13V/8Ω) | 4W | 5W |
Rвх. | 150 КΩ | 150 КΩ |
Ку | 48 dB | 48 dB |
ΔF | 30Нz-20KHz | |
Кг(Pвых.=0,5W, f=1KHz) |
0,1% | 0,1% |
Rвых.nom | 4Ω | 8Ω |
Uccimn | 4V |
Uccmax | 30 V |
Icc0(Uвх.=0) | 17 rriA |
Pвых.(24V/8Ω) | 8 W |
Rвх. | 150 KΩ |
Ку | 48 dB |
ΔF | 30Hz-20KHz |
Кг(Pвых.=0,1W, f=1KHz) |
0,1% |
Rвых.nom | 8Ω |
Uccmin | 8 V |
Uccniax | 30 V |
Icc0(Uвх.=0) | 17 mA |
Pвых.(24V/4Ω) | 17 W |
Rвх. | 150 КΩ |
Ку | 48 dB |
ΔF | 30Hz-20KHz |
Кг(Pвых.=0,1W, f=1KHz) |
0,01% |
Rвых.nom | 8Ω |
Uccmin | 8 V |
Uccmax | 26 V |
Icc0(Uвх.=0) | 48 mA |
Pвых.(24V/8Ω) | 6 W |
Rвх. | 150 КΩ |
Ку | 48 dB |
ΔF | 30Hz-20KHz |
Кг(Pвых.=0,lW, f=1KHz) |
0,01% |
Rвых.nom | 8Ω |
Uccmin | 8 V |
Uccmax | 28 V |
Icc0(Uвх.=0) | TDA2009-80 mA |
TDA2009A-60 mA | |
Iвых.max | ЗА |
Pвых.(14V/4Ω) | 10 W |
Rвх. | 150 КΩ |
Ку | 48 dB |
ΔF | 30Hz-20KH2 |
Кг(Pвых.=0,lW, f=1KHz) |
0,01% |
Rвых.nom | 4Ω |
Uccmin | 12 V |
Uccmax | 40 V |
Icc0(Uвх.=0) | 70 mA |
Pвых.(24V/4Ω) | 50 W |
Rвх. | 100 KΩ |
Ку | 42 dB |
ΔF | 20Hz-20KHz |
Кг(Pвых.=lW, f=1KHz) |
0,01% |
Rвых.nom | 4Ω |
TDA2610 | TDA2610A | |
Uccmin | 15 V | 15 V |
Uccmax | 35 V | 36 V |
Icc0(Uвх.=0) | 20 mA | 35 mA |
Pвых.(25V/10Ω) | 7W | 4W |
Rвх. | 150 КΩ | 150 KΩ |
Ку | 48 dB | 48 dB |
ΔF | 30Hz-20KHz | |
Кг(Pвых.=0,5W, f=1KHz) |
0,1% | 0,1% |
Rвых.nom | 10Ω | 15Ω |