Как и в других видах бизнеса, в основе которых лежит выпуск каких либо товаров, в сфере производства электронных компонентов существует небезызвестная тенденция: как только какой-то элемент становится популярен у большого числа потребителей, другие фирмы - производители электронных компонентов приступают к немедленной разработке и массовому выпуску аналогов(клонов). Такая тенденция, во-первых позволяет насытить рынок и снизить цену, что в конечном итоге сказывается на цене конечного изделия, выпускаемого потребителем, вышеупомянутого электронного компонента. Во-вторых, что также существенно, фирмы, производящие клон стараются противопоставить оригиналу изделие с улучшенными параметрами, дабы не быть обвинённым в плагиате. Поэтому старинная поговорка о важности количества голов в данном случае как никогда актуальна.

Речь идёт о мощных переключающих полевых транзисторах (POWER MOSFETS) основная область применения которых - импульсные источники питания (SMPS), импульсные преобразователи напряжения для источников бесперебойного питания, а также элетроприводы.
Схема управления генерирует импульсы управления полевым транзистором, регулируя их ширину в зависимости от падения напряжения на обмотке II, тем самым осуществляет стабилизацию колебательного процесса в контуре транзистор-трансформатор и, соответственно, напряжения на выходной обмотке III. Для такой схемы характерны простота конструкции и низкая себестоимость. Например , при применении в качестве схемы управления драйвера SGS Thomson TDA4605A, число электронных компонетов в схеме колеблется в районе 15-20. Качество работы всей схемы во многом зависит от характеристик транзистора, в особенности от такого важного параметра, как сопротивление сток-исток в полностью открытом состоянии (R_DS(on)). Естественно - чем меньше это сопротивление, тем меньше тепловые потери, тем больше мощность источника питания. Сопротивление открытого транзистора является таким же важным инструментом в конкуренции на рынке электронных компонентов, как и собственно цена.
На сегодняшний день хотелось бы выделить три основных производителя вышеуказанного транзистора.
Исторически первым был SIEMENS c технологией SIPMOS в и сопротивлением перехода в открытом состоянии 2W. За ним последовали SGS -Thomson (ныне именуемый STMicroelectronics) и International Rectifier c технологией HEXFET в , которым удалось достигнуть R_DS(on)=1.35W и 1.2W соответственно. Для лучшего понимания сходства и различий между транзисторами производимыми этими тремя компаниями , основные параметры сведены в таблицу:


Характеристика защитного диода имплантированного в транзистор:


Какой из трёх элементов применять, конечно должен решать покупатель - потенциальный производитель изделий на базе этого транзистора, но зачастую этот вопрос решает не он , а поставщик электронных компонентов, то-есть дистрибьютор. Поскольку у каждого дистрибьютора существуют разные условия поставки того или иного компонента, то выбор производится в данном случае не по лучшим параметрам, а по условиям поставки т.е лучшей цене и сроку отгрузки. Между дистрибьютерами тоже существует разница по цене и по качеству товара. Так, официальные дистрибьюторы для того чтобы выполнить договорной товорооборот со своим патроном покупают в основном "белый" товар, т.е товар от оригинального производителя. Такой товар имеет достаточно фиксированую цену, которая зачастую плохо конкурирует с ценой на товар от под-производителя, т.е. неизвестного производителя, использующего легально или нелегально торговую марку оригинального производителя. Такой товар зачастую является купли-продажи для неофициальных дистрибьютеров или "серого" рынка. Маневры по цене здесь очень большие, но покупатель должен иметь ввиду, что в данном случае качество не гарантируется производителем а гарантируется (может быть) перепродавцом, что значительно увеличивает вероятность брака.