- вольт-амперные характеристики диодов, в том числе фото-, свето-, туннельных- и обращенных диодов ( в интервале напряжений 0… 4,5 В и токов 1мкА … 0,5 А );
- обратный и прямой токи коллектора и ток базы биполярных транзисторов;
- ток стока, начальный ток стока, напряжение «затвор-исток» и напряжение отсечки полевых транзисторов;
- ток через тиристор в открытом и закрытом состоянии, ток через управляющий переход и напряжение на нем, открывающее тиристор при напряжении на аноде 4,5В;
- межбазовый ток и напряжение на эмиттере однопереходных транзисторов.
В качестве измерительных приборов используются стрелочные или цифровые измерительные приборы (микроамперметр и вольтметр), можно использовать обычный тестер. Элемент питания – батарея напряжением 4,5 В или стабилизированный блок питания с таким напряжением.
На рис.1 показан способ измерения обратного тока коллекторного перехода (Iкбо) транзистора структуры n-p-n. Для транзисторов обратной структуры следует изменить полярность питания и включения микроамперметра. Резистор R1 нужен для ограничения тока при пробитом переходе, чтобы защитить измерительный прибор от больших токов. Эта схема позволяет также проверить обратный ток диода, световые характеристики фотодиода, обратный ток p-n –перехода полевого транзистора и измерить ток утечки конденсатора:
Рис 1. Измерение Iкбо
Рис 2. Измерение Iб
Рис 3. Измерение Iк
Рис 4. Полевые и однопереходные транзисторы
С помощью простой схемы можно проверить работоспособность тиристора на переменном и постоянном токе.
Рис 5. Схема проверки тиристоров
Проверка переменным током: S2 установить в положение «1». При каждом нажатии S1 лампа должна загораться, при отпускании гаснуть;
Проверка постоянным током: S2 установить в положение «3». При нажатии S1 лампа загорается и горит при отпускании кнопки. Чтобы ее выключить, то есть «закрыть» тиристор, нужно снять напряжение питания, переключив S2 в положение «2».
Если тиристор неисправен, то лампа будет гореть постоянно либо не будет загораться вообще.