Расширяя возможности систем резервного электропитания для поддержки шин с напряжением до ±400 В, компания Diodes разработала контроллер MOSFET для активной силовой схемы «ИЛИ». В конструкции микросхемы ZXGD3112N7 использована технология, успешно доказавшая свою эффективность в предыдущих 40- и 200-вольтовых устройствах. Низкое пороговое напряжение выключения позволяет MOSFET с низкими сопротивлениями каналов выполнять функции идеальных диодов, обеспечивающих высокий КПД систем питания, что хорошо подходит для телекоммуникационных систем, дата-центров и серверов, где соединение двух или более источников питания по схеме «ИЛИ» обеспечивает необходимый уровень резервирования.
Отвечая тенденции увеличения системных напряжений для более эффективного распределения энергии, ZXGD3112N7 одновременно способствует повышению надежности системы, поскольку совместное использование контроллеров и MOSFET с малыми сопротивлениями каналов позволяет работать при более низких температурах, чем в случае альтернативных решений с блокировочными диодами Шоттки. Кроме того, не превышающее 5 мВ пороговое напряжение выключения улучшает стабильность при легких нагрузках, а способность выключаться быстрее чем за 600 нс исключает возникновение обратных токов и предотвращает провалы напряжения на общей шине. Выходной ток 5 А обеспечивает быстрый разряд емкости затворов параллельной группы MOSFET.
При самом низком в своем классе пороге выключения и допустимом напряжении 400 В, что в четыре раза выше, чем у конкурирующих моделей, ZXGD3112N7 отличается эффективностью, надежностью и стабильностью во всем диапазоне нагрузок.
Расширяя возможности систем резервного электропитания для поддержки шин с напряжением до ±400 В, компания Diodes разработала контроллер MOSFET для активной силовой схемы «ИЛИ». В конструкции микросхемы ZXGD3112N7 использована технология, успешно доказавшая свою эффективность в предыдущих 40- и 200-вольтовых устройствах. Низкое пороговое напряжение выключения позволяет MOSFET с низкими сопротивлениями каналов выполнять функции идеальных диодов, обеспечивающих высокий КПД систем питания, что хорошо подходит для телекоммуникационных систем, дата-центров и серверов, где соединение двух или более источников питания по схеме «ИЛИ» обеспечивает необходимый уровень резервирования.
Отвечая тенденции увеличения системных напряжений для более эффективного распределения энергии, ZXGD3112N7 одновременно способствует повышению надежности системы, поскольку совместное использование контроллеров и MOSFET с малыми сопротивлениями каналов позволяет работать при более низких температурах, чем в случае альтернативных решений с блокировочными диодами Шоттки. Кроме того, не превышающее 5 мВ пороговое напряжение выключения улучшает стабильность при легких нагрузках, а способность выключаться быстрее чем за 600 нс исключает возникновение обратных токов и предотвращает провалы напряжения на общей шине. Выходной ток 5 А обеспечивает быстрый разряд емкости затворов параллельной группы MOSFET.
При самом низком в своем классе пороге выключения и допустимом напряжении 400 В, что в четыре раза выше, чем у конкурирующих моделей, ZXGD3112N7 отличается эффективностью, надежностью и стабильностью во всем диапазоне нагрузок.
Микросхема ZXGD3112N7 выпускается в корпусе SO-7.