Процесс iCMOS^TM позволяет создавать ИС с аналоговыми характеристиками, работающие при напряжении питания до 30В

9 ноября, 2004- Фирма Analog Devices представляет новую технологию, которая позволяет создавать ИС с высоким напряжением питания на базе субмикронной КМОП и комплементарной биполярной технологий. Усилия фирмы Analog Devices в области исследований и разработки вылились в создание процесса iCMOS^TM (industrial CMOS). Пятнадцать новых аналоговых микросхем, представленных сегодня, демонстрируют великолепные результаты. В отличие от ИС, созданных на базе обычной КМОП технологии, компоненты iCMOS могут работать при напряжении питания до 30 В, и при этом демонстрируют превосходные характеристики, способствуют снижению стоимости системы, уменьшению потребляемой мощности на 85% и размеров корпуса на 30%.

Счетверенный 16-разр. ЦАП: ИС AD5764 представляет собой четыре 16 битных цифро-аналоговых преобразователя (ЦАП) на одном кристалле. ЦАП обладает высокой точностью и на 50% меньшими размерами по сравнению с аналогичными приборами.

Многоканальный АЦП с биполярным входом: 13-разрядный АЦП AD732x и АЦП AD765x с разрядностью от 12 до 16 рассчитаны на входное напряжение от +/-2.5 до +/-10 В. Переключение входов программируется.

Высокопрецизионный ОУ: ИС AD8661 - прецизионный операционный усилитель, работающий с сигналом в пределах напряжения питания (rail-to-rail), которое может иметь величину от 5 до 16 В. При этом данный ОУ имеет низкое напряжение смещения, малый входной ток и размеры, соответствующие 1/3 от размеров аналогичных микросхем.

Ключи и мультиплексоры на повышенное напряжение: ключи ADG12xx работают с сигналами до +/-15 В и при этом имеют очень малую емкость; в мультиплексорах ADG14xx радикально снижено сопртивление ключа в открытом состоянии.

О процессе iCMOS фирмы Analog Devices
С реализацией технологии iCMOS появляется новая категория высококачественных аналоговых компонентов, способных работать в "шумном" окружении и не требующих при этом дополнительных ИС. Технология iCMOS имеет субмикронную геометрию, но тем не менее позволяет работать при напряжении до 30 В. Дополнительные средства позволяют работать даже при 50 В. Среди главных свойств технологии iCMOS - возможность полной изоляции компонентов от подложки и друг от друга. Это означает, что на одном кристалле могут присутствовать и 5-вольтовые, и 16-, 24- или 30-вольтовые схемы. Компоненты, созданные с помощью процесса iCMOS, позволяют интегрировать современную цифровую логику с быстродействующими аналоговыми схемами на одном кристалле, и при этом достичь очень малых размеров. Например, АЦП, созданный на основе технологии iCMOS, обеспечивает более высокие показатели, имеет меньшее энергопотребление и имеет меньшие размеры по сравнению с аналогичными, созданными на основе существующих технологий. ЦАП, созданный по технологии iCMOS, может содержать встроенный ОУ, который обеспечит широкий диапазон выходных сигналов, не требуя дополнительного ОУ. Мультиплексоры iCMOS способны обеспечить сопротивление открытого канала 3-4 Ома и постоянство этого сопротивления в пределах 0.5Ом.

Кроме того, возможность расположить на кристалле компоненты с различным напряжением питания позволяет интегрировать энергонезависимую память для калибровки. Например, в АЦП может калиброваться интегральная нелинейность, смещение и другие параметры.

Еще одно достоинство - то, что в рамках технологии iCMOS легко организовать программно управляемое переключение. Таким образом, один и тот же компонент можно использовать в разных устройствах, соответствующим образом программируя диапазон входного сигнала, что упрощает разработку и снижает стоимость продукции.